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一种原位生长制备的钙钛矿太阳能电池制造技术

技术编号:26848096 阅读:32 留言:0更新日期:2020-12-25 13:13
本发明专利技术公开了一种原位生长制备的钙钛矿太阳能电池,包括导电玻璃层、氧化锡层、钙钛矿层、钙钛矿修饰层、空穴传输层以及金属电极层,所述钙钛矿层为CH

【技术实现步骤摘要】
一种原位生长制备的钙钛矿太阳能电池
本专利技术涉及一种原位生长制备的钙钛矿太阳能电池,属于钙钛矿太阳能电池领域。
技术介绍
钙钛矿太阳能电池受到科研以及产业界的高度重视。相比于传统单晶硅太阳能电池,以及染料敏化太阳能电池、有机太阳能电池等新型薄膜太阳电池,钙钛矿太阳能电池成本更加低廉,制备更加简单,工艺更加多样,可以满足更加丰富的市场需求,同时具有很高的光电转化效率。钙钛矿材料从2009年用于太阳能电池,初始效率为3.8%,直到最近,光电效率已经达到25.2%,发展速度极其迅速,创造了光伏领域的历史。目前,制备高质量晶体薄膜的技术已经基本成熟,但传输材料、电极与活性层之间仍有很大的能级不匹配。另一方面,由于钙钛矿晶格内部原子作用力较弱,经常会出现离子迁移,即一些元素会以离子的形式在晶体内移动,这种离子迁移的行为会是限制钙钛矿太阳能电池效率提升的一个最主要的原因,并且电极材料会通过离子迁移腐蚀活性层,对器件造成不可逆的损害。而由于传统器件制备手段的局限,膜层之间仍然存在很多不可控的陷阱态以及由于电荷失配导致的局域电场,形成大量的复本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原位生长制备的钙钛矿太阳能电池,包括导电玻璃层、氧化锡层、钙钛矿层、钙钛矿修饰层、空穴传输层以及金属电极层,其特征在于,所述钙钛矿层为CH

【技术特征摘要】
1.一种原位生长制备的钙钛矿太阳能电池,包括导电玻璃层、氧化锡层、钙钛矿层、钙钛矿修饰层、空穴传输层以及金属电极层,其特征在于,所述钙钛矿层为CH3NH3PbI3多晶膜,钙钛矿修饰层为(CH3NH3)3Sb2I9修饰层。


2.根据权利要求1所述的原位生长制备的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述(CH3NH3)3Sb2I9修饰层的制备方法为,将SbI3修饰液旋涂于CH3NH3PbI3多晶膜上,以使SbI3与富余CH3NH3+结合进行原位生长,以形成(CH3NH3)3Sb2I9修饰层。


3.根据权利要求2所述的原位生长制备的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述SbI3与CH3NH3+结合后在95℃条件下加热10min。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:原浩博张京俞陆婷章泽群郭同辉诸跃进
申请(专利权)人:宁波大学
类型:发明
国别省市:浙江;33

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