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光电探测器及其制备方法技术

技术编号:26481175 阅读:47 留言:0更新日期:2020-11-25 19:27
本申请提供了光电探测器及其制备方法。其中光电探测器包括衬底,设于衬底一侧的第一电极与第二电极。设于衬底的一侧的光电转换层,第一电极电连接于光电转换层的一侧,第二电极电连接于光电转换层相对的另一侧;光电转换层的分子式包括(RNH

【技术实现步骤摘要】
光电探测器及其制备方法
本申请属于光电探测装置
,具体涉及光电探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测器是可将光信号转变为电信号的器件。由于光电转换器的精度高、反应快、结构简单等特点,现已备受广大用户的喜爱。但同时用户对光电转换器的期望值与要求也越来越高。例如,目前的光电转换器由于受到各种因素的制约,导致其波长的响应范围较宽,即吸收的波长范围较宽,无法精确响应某一特点波长范围内的光线。为了实现对特定波长光线响应,必须在探测器前端增设特定波长的滤镜。但这样会增加器件整体的复杂度和成本,降低器件的探测性能。
技术实现思路
鉴于此,本申请第一方面提供了一种光电探测器,所述光电探测器包括:衬底;设于所述衬底一侧的第一电极与第二电极,所述第一电极与所述第二电极间隔设置;及设于所述衬底的一侧的光电转换层,所述第一电极电连接于所述光电转换层的一侧,所述第二电极电连接于所述光电转换层相对的另一侧;所述光电转换层的分子式包括(RNH3)2An–1BnX3n+1,其中,RNH3与A均代表一价有机铵根阳离子,B代表二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电探测器,其特征在于,所述光电探测器包括:/n衬底;/n设于所述衬底一侧的第一电极与第二电极,所述第一电极与所述第二电极间隔设置;及/n设于所述衬底的一侧的光电转换层,所述第一电极电连接于所述光电转换层的一侧,所述第二电极电连接于所述光电转换层相对的另一侧;所述光电转换层的分子式包括(RNH

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器,其特征在于,所述光电探测器包括:
衬底;
设于所述衬底一侧的第一电极与第二电极,所述第一电极与所述第二电极间隔设置;及
设于所述衬底的一侧的光电转换层,所述第一电极电连接于所述光电转换层的一侧,所述第二电极电连接于所述光电转换层相对的另一侧;所述光电转换层的分子式包括(RNH3)2An–1BnX3n+1,其中,RNH3与A均代表一价有机铵根阳离子,B代表二价金属阳离子,X代表一价卤素阴离子,n为正整数。


2.如权利要求1所述的光电探测器,其特征在于,所述光电探测器还包括设于所述衬底一侧的第一绝缘层,所述第一电极与所述第二电极设于所述第一绝缘层的相对两侧,所述光电转换层设于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧。


3.如权利要求2所述的光电探测器,其特征在于,所述光电转换层的厚度为10-50nm。


4.如权利要求2所述的光电探测器,其特征在于,所述光电探测器还包括第一引导电极与第二引导电极,所述第一引导电极的一端设于所述第一绝缘层与所述光电转换层之间,所述第一引导电极的另一端连接所述第一电极;和/或,所述第二引导电极的一端设于所述光电转换层背离所述衬底的一侧,所述第二引导电极的另一端连接所述第二电极。


5.如权利要求4所述的光电探测器,其特征在于,所述第一引导电极的另一端连接于所述第一电极背离所述衬底的一侧;和/或,所述第二引导电极的另一端连接于所述第二电极背离所述衬底的一侧。


6.如权利要求4所述的光电探测器,其特征在于,所述第二引导电极包括第一子引导电极与第二子引导电极,所述第一子...

【专利技术属性】
技术研发人员:张文静屠宇迪
申请(专利权)人:深圳大学
类型:发明
国别省市:广东;44

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