一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；本发明专利技术也相应地公开上述IBC太阳能电池结构的制备工艺。本发明专利技术通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。

【技术实现步骤摘要】
一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种低成本有机/晶硅杂化IBC太阳能电池结构及其制备工艺。
技术介绍
太阳能电池是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件，利用光能这一可再生资源，在当今能源短缺的情形下太阳能电池具有广阔的发展前景。太阳能电池的种类繁多，其中，IBC(Interdigitatedbackcontact，叉指背接触)太阳能电池以其较高的转换效率、较低的串联电阻、简化的互联技术及良好的外观等优点受到越来越多业内人士的关注，成为太阳能电池
较为前沿的高效电池技术之一。常规制作IBC太阳能电池的工艺流程大致为：清洗-表面制绒-双面扩散掺杂-去玻璃层-丝网印刷阻挡层-刻蚀形成第一导电指区-扩散形成第二导电指区-正面制备减反射层-背面制备背钝化层-丝网印刷第一电极和第二电极-烧结-激光烧结。在实际生产过程制作IBC太阳能电池的技术细节及相应的操作步骤非常多，繁多的步骤和复杂的操作使IBC太阳能电池的生产效率较低，并且生产成本也较高，给IBC太阳能电池的发展造成了困难。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IBC太阳能电池结构，其特征在于，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；/n所述n型单晶硅基底层包括正面和背面，所述正面构造为绒面结构；所述正面包括p型扩散层且所述p型扩散层形成有正面p+型发射区；所述背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；所述有机异质结层平整贴附于所述背面钝化膜层。/n

【技术特征摘要】
1.一种IBC太阳能电池结构，其特征在于，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；
所述n型单晶硅基底层包括正面和背面，所述正面构造为绒面结构；所述正面包括p型扩散层且所述p型扩散层形成有正面p+型发射区；所述背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；所述有机异质结层平整贴附于所述背面钝化膜层。


2.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述减反射层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氟化镁中一种或多种。


3.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述正面钝化膜层包括层叠设置的氧化铝层和氧化硅层，所述氧化铝层贴合设置于所述减反射层，所述氧化硅层贴合设置于所述p型扩散层。


4.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述p型扩散层通过硼扩散或硼离子注入形成。


5.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述背面导电保护层构造为透明导电TCO保护层，所述TCO选自ZnO、In2O3、Ga2O3、TiO2、ZrO2中的一种或多种混合物。


6.一种IBC太阳能电池结构的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括以下步骤：
S1、对n型单晶硅片的正面和反面进行制绒，制备出金字塔形状的绒面结构；
S2、在所述n型单晶硅片的正面进行进行硼扩散形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵保星，魏青竹，倪志春，张树德，符欣，连维飞，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32