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硫代乙酰胺修饰TiO制造技术

技术编号:26481173 阅读:56 留言:0更新日期:2020-11-25 19:27
本发明专利技术提供了一种硫代乙酰胺修饰TiO

【技术实现步骤摘要】
硫代乙酰胺修饰TiO2介孔层在钙钛矿太阳能电池中的应用
本专利技术属于太阳能电池领域,具体涉及一种硫代乙酰胺修饰TiO2介孔层在钙钛矿太阳能电池中的应用。
技术介绍
有机铅卤化物钙钛矿是一种有着优异的光电子性质和广阔的发展前景的光电压材料,如合适的能带、较长的载流子扩散长度、弱的激子结合能及较高的吸收系数。短短数年,钙钛矿太阳能电池的光电转换效率从3.8%到如今已经超过25%,应用潜力巨大。但是,由于钙钛矿材料的离子特性和溶液制备方法,在钙钛矿薄膜的表面和界面容易形成大量缺陷态,这些缺陷态会导致器件内的电荷积累和复合,不利于电池的光伏性能。研究结果表明,MAPbI3薄膜表面存在缺陷,这些缺陷是由于未配位的离子造成的。除此之外,TiO2表面由于氧空位的存在,也有大量缺陷态形成。因此采用一些方法钝化空位,降低缺陷态密度对于制备高性能的钙钛矿太阳能电池是必要的。从目前研究成果来看,大多文献都是采取单一钝化的方法来抑制缺陷态的生成,而且并未有关于使用硫代乙酰胺(TAA)修饰TiO2介孔层来解决缺陷态问题的相关报道。我们采用在TiO2介孔层和钙钛矿层之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硫代乙酰胺修饰TiO

【技术特征摘要】
1.一种硫代乙酰胺修饰TiO2介孔层在钙钛矿太阳能电池中的应用,其特征在于,在TiO2介孔层和钙钛矿层之间加入一层修饰层硫代乙酰胺,然后用于组装钙钛矿太阳能电池。


2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将硫代乙酰胺溶于异...

【专利技术属性】
技术研发人员:李亚峰王晶晶魏明灯
申请(专利权)人:福州大学
类型:发明
国别省市:福建;35

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