光电转换膜、光电转换元件和电子设备制造技术

本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。

【技术实现步骤摘要】
光电转换膜、光电转换元件和电子设备本申请是申请日为2015年4月8日、专利技术名称为“光电转换膜、光电转换元件和电子设备”的申请号为201580020332.9专利申请的分案申请。相关申请的交叉参考本申请要求于2014年5月13日提交的日本在先专利申请JP2014-099816和2015年1月6日提交的日本在先专利申请JP2015-000695的优先权权益，每个申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本公开涉及光电转换膜、光电转换元件和电子设备。
技术介绍
近来，已经提出了一种具有由有机材料制成的光电转换膜层叠起来的多层结构的固态图像传感器。例如，专利文献1披露了一种用于吸收蓝色光、绿色光和红色光的有机光电转换膜顺次层叠的固态图像传感器。在专利文献1所披露的固态图像传感器中，各颜色的信号通过在各有机光电转换膜中对与该颜色对应的光进行光电转换而被提取。此外，专利文献2披露了一种用于吸收绿色光的有机光电转换膜和硅光电二极管顺次层叠的固态图像传感器。在专利文献2所披露的固态图像传感器中，绿色光的信号利用有机光电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换膜，其包含：/n由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
20140513 JP 2014-099816;20150106 JP 2015-0006951.一种光电转换膜，其包含：
由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物：
[化学式1]

和
由通式(2)表示的亚酞菁衍生物：
[化学式2]



其中，在通式(1)中，R1～R10每一个独立地选自氢、卤素、羟基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基和通过使R1～R10中的彼此相邻的至少两个缩合而形成的芳基或杂芳基，
其中，在通式(2)中，R11～R16每一个独立地选自氢、卤素、羟基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基，
其中，X选自卤素、羟基、巯基、酰亚氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基，并且
其中，R11～R16中的至少一个表示氟。


2.根据权利要求1所述的光电转换膜，其中，R11～R16每一个都是氟。


3.根据权利要求2所述的光电转换膜，其中，X选自卤素、羟基、取代或未取代的烷氧基和取代或未取代的芳氧基。


4.根据权利要求3所述的光电转换膜，其中，所述亚酞菁衍生物的最低未占据分子轨道(LUMO)能级比所述喹吖啶酮衍生物的LUMO能级深，并且所述亚酞菁衍生物的LUMO能级与所述喹吖啶酮衍生物的LUMO能级之间的差大于或等于0.1eV且小于或等于1.0eV。


5.根据权利要求4所述的光电转换膜，其中，所述喹吖啶酮衍生物和所述亚酞菁衍生物是本体异质膜。


6.一种光电转换膜，其包含：
不吸收可见光且由通式(3)和通式(4)中的至少一个表示的透明化合物：
[化学式3]






其中，在通式(3)中，R21～R32每一个独立地选自氢、卤素、羟基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基和通过使R21～R32中的彼此相邻的至少两个缩合而形成的芳基或杂芳基，和
其中，在通式(4)中，R41～R48每一个独立地选自氢、卤素、羟基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、酰亚氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基和通过使R41～R48中的彼此相邻的至少两个缩合而形成的芳基或杂芳基，并且
其中，Ar1～Ar4每一个独立地是取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中的一个。


7.根据权利要求6所述的光电转换膜，其中，所述透明化合物至少由通式(3)表示，并且通式(3)中的R21、R24、R25、R28、R29和R32均是氢。


8.根据权利要求6所述的光电转换膜，其中，所述透明化合物至少由通式(4)表示，并且通式(4)中的Ar1～Ar4和R41～R48中的至少一个是吸电子基团。


9.根据权利要求8所述的光电转换膜，其中，所述吸电子基团选自卤素、氰基、硝基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、酰基、酰氨基、酰氧基、酰亚氨基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、卤代烷基和卤代芳基。


10.根据权利要求6所述的光电转换膜，其还包含：
有机染料化合物，其中所述有机染料化合物和...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾花良哲，根岸佑树，长谷川雄大，竹村一郎，榎修，茂木英昭，松泽伸行，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP