半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法，半导体材料的制备方法包括以下步骤：沉积羧酸盐溶液，羧酸盐溶液选自羧酸铅溶液、羧酸锡溶液中的至少一种；沉积有机胺盐/脒盐溶液；在50℃～160℃进行退火。本发明专利技术使用羧酸盐和有机胺盐/脒盐作为原料，所用的溶剂可以不含DMF、DMSO等强极性且有毒溶剂，适合在极性溶剂敏感和极性溶剂不敏感的各种衬底上生长钙钛矿，并且对环境友好。本发明专利技术还利用羧酸盐溶液和有机胺盐/脒盐溶液作为钙钛矿前驱体材料，在碳电极中进行结晶，使得与钙钛矿层直接接触的碳电极材料被钙钛矿材料包裹，造成“钙钛矿/碳”异质结的接触面积增加，以提升器件光电转换性能和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体光电
，尤其是涉及半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法。
技术介绍
半导体材料的制备方法经常决定了其使用范围及应用领域。目前制备钙钛矿薄膜的溶液法都要求衬底是极性溶剂不敏感的，并且使用强极性的DMF，DMSO等有毒溶剂，在将来的工业生产中会对环境造成不利影响。如目前制备高质量钙钛矿用到的反溶剂法，其溶解钙钛矿前驱盐的溶剂多为DMF，DMSO，属于强极性溶剂，不适合在极性溶剂敏感的衬底上生长。另外现有技术中的钙钛矿前驱体盐还使用碘化铅，碘化铅只有在DMF，DMSO等强极性溶剂中才具有良好的溶解度，限制了衬底的使用范围，并且对环境不友好，不适用于工业生产。为了进一步的拓宽钙钛矿这类半导体材料的使用范围，以及促进相关半导体器件性能的进一步提升，需要开发新型的半导体制备方法。利用半导体的光电性质开发能进行光电转换，光电探测，电光转换的半导体器件为社会生活带来了翻天覆地的变化。含卤钙钛矿半导体因为具有优异的载流子迁移率、高的吸收系数和低温溶液制备的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)沉积羧酸盐溶液；或者先沉积有机胺盐或脒盐溶液，再沉积羧酸盐溶液；所述羧酸盐溶液选自羧酸铅溶液、羧酸锡溶液中的至少一种；/n(2)沉积有机胺盐或脒盐溶液；/n(3)在50℃～160℃进行退火。/n

【技术特征摘要】
1.半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)沉积羧酸盐溶液；或者先沉积有机胺盐或脒盐溶液，再沉积羧酸盐溶液；所述羧酸盐溶液选自羧酸铅溶液、羧酸锡溶液中的至少一种；
(2)沉积有机胺盐或脒盐溶液；
(3)在50℃～160℃进行退火。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机胺盐或脒盐溶液中的有机胺盐或脒盐的分子式为AX，A为甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、苯乙胺、乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、甲脒、乙脒、氯乙脒、三氟乙脒中一种或任意两种的组合或三种的组合；B为铅、锡；X可为碘、溴、氯中一种或任意两种的组合或三种的组合。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述羧酸盐溶液中的溶剂选自乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、异丙醇、丙醇、叔丁醇、正丁醇、戊醇、叔戊醇、乙酸乙酯、甲酸乙酯、乙酸甲酯、丙酸丙酯中的至少一种。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机胺盐或脒盐溶液中的溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、叔丁醇、环丙烷、乙酸乙酯中的至少一种。


5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)和(2)中所述沉积的方式为旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、印刷、滴涂、喷涂、卷对卷涂覆法中的至少一种。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨世和，刘通发，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东;44