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本发明公开了一种半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法，半导体材料的制备方法包括以下步骤：沉积羧酸盐溶液，羧酸盐溶液选自羧酸铅溶液、羧酸锡溶液中的至少一种；沉积有机胺盐/脒盐溶液；在50℃～160℃进行退火。本发明使用羧酸盐和有...
该专利属于北京大学深圳研究生院所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学深圳研究生院授权不得商用。

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