【技术实现步骤摘要】
存储设备及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年9月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0116814号的优先权,其公开的内容通过引用整体并入本申请。
本文公开的专利技术构思的各种示例实施例涉及一种半导体设备,更具体地涉及一种用于管理存储在非易失性存储器中的数据的存储设备及其操作方法。
技术介绍
存储设备是指在诸如计算机、智能电话、智能平板等的主机设备的控制下存储数据的设备。存储设备包括将数据存储在磁盘(例如,硬盘驱动器(harddiskdrive,HDD))上的设备;或者将数据存储在半导体存储器,尤其是非易失性存储器(例如,固态驱动器(solidstatedrive,SSD)或存储卡)中的设备。非易失性存储器设备包括只读存储器(readonlymemory,ROM)、可编程ROM(programmableROM,PROM)、电可编程ROM(electricallyprogrammableROM,EPROM)、电可擦除可编程ROM(electricallyerasab ...
【技术保护点】
1.一种包括一个或多个非易失性存储器的存储设备的操作方法,所述方法包括:/n将参考数据存储在所述一个或多个非易失性存储器的第一存储器区域中;/n当所述参考数据的访问频率超过第一参考值时,将与所述参考数据相同的第一复制数据存储在所述一个或多个非易失性存储器的第二存储器区域中;/n在所述第一复制数据被存储之后,当所述参考数据或所述第一复制数据的访问频率超过所述第一参考值时,将与所述参考数据相同的第二复制数据存储在所述一个或多个非易失性存储器的第三存储器区域中;以及/n随着所述第一复制数据和所述第二复制数据被存储在所述一个或多个非易失性存储器中,管理所述第二存储器区域的第二物理地 ...
【技术特征摘要】
20190923 KR 10-2019-01168141.一种包括一个或多个非易失性存储器的存储设备的操作方法,所述方法包括:
将参考数据存储在所述一个或多个非易失性存储器的第一存储器区域中;
当所述参考数据的访问频率超过第一参考值时,将与所述参考数据相同的第一复制数据存储在所述一个或多个非易失性存储器的第二存储器区域中;
在所述第一复制数据被存储之后,当所述参考数据或所述第一复制数据的访问频率超过所述第一参考值时,将与所述参考数据相同的第二复制数据存储在所述一个或多个非易失性存储器的第三存储器区域中;以及
随着所述第一复制数据和所述第二复制数据被存储在所述一个或多个非易失性存储器中,管理所述第二存储器区域的第二物理地址和所述第三存储器区域的第三物理地址,使得所述第一存储器区域的第一物理地址对应于所述第二物理地址和所述第三物理地址。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,对所述第二物理地址和所述第三物理地址的管理包括:
将所述第二物理地址存储在物理地址管理表中,以便对应于所述第一物理地址;以及
将所述第三物理地址存储在所述物理地址管理表中,以便对应于所述第二物理地址。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述参考数据被存储之后,响应于用于存储与所述参考数据相同的写入数据的写入命令和第一逻辑地址,将所述第一物理地址存储在地址映射表中,以便对应于所述第一逻辑地址。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述参考数据的访问频率根据与所述第一逻辑地址相关联的读取操作而变化。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括:
响应于对所述参考数据的读取请求,选择所述参考数据、所述第一复制数据和所述第二复制数据中的一个;以及
从所述一个或多个非易失性存储器中输出所选择的数据。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所选择的数据是与所述参考数据的第一读取计数、所述第一复制数据的第二读取计数以及所述第二复制数据的第三读取计数当中的最小读取计数相对应的数据。
7.根据权利要求5所述的方法,其中,所选择的数据是与所述参考数据的第一写入时间、所述第一复制数据的第二写入时间以及所述第二复制数据的第三写入时间当中的最早写入时间相对应的数据。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括:
当所述参考数据、所述第一复制数据和所述第二复制数据中的至少一个的访问频率小于第二参考值并且所述参考数据、所述第一复制数据和所述第二复制数据的总读取计数小于参考计数时,选择所述参考数据、所述第一复制数据和所述第二复制数据中的一个;以及
移除所选择的数据。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所选择的数据是与所述参考数据的第一读取计数、所述第一复制数据的第二读取计数以及所述第二复制数据的第三读取计数当中的最大读取计数相对应的数据。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所选择的数据是与所述参考数据的第一写入时间、所述第一复制数据的第二写入时间以及所述第二复制数据的第三写入时间当中的最早写入时间相对应的数据。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述访问频率是数据的读取计数在特定时间段内的增量。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一至第三存储器区域分别被包括在所述一个或多个非易失性存储器的第一至第三非易失性存储器中,并且
其中,所述第一至第三非易失性存储器由不同的半导体管芯或不同的半导体芯片实施。
13.一种包括一个或多个非易失性存储器的存储设备的操作方法,所述方...
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