一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用，所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵0.5‑10份、有机溶剂65‑85份、有机醇胺1‑20份、有机醇0.1‑5份、金属保护剂0.01‑5份和阻蚀剂0.1‑5份。本发明专利技术提供的光刻胶去胶液去胶速度快、去胶能力强，在较低温度都能保持去胶性能，而且降低了对金属、硅、氧化硅、钝化等各种底材的腐蚀，延长了工作时间，水溶性好，容易清洗。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用
本专利技术属于半导体制造领域，具体涉及一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用，尤其涉及一种去胶能力强的光刻胶去胶液及其制备方法和应用。
技术介绍
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种不导电的光敏材料，它通过受到光照后特性会发生改变的原理将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。显影过后未固化的光刻胶需要用去胶液洗掉，暴露出底材再进行相应的蚀刻。目前市场上大部分去胶液存在去胶速度慢、有胶残留、长时间工作后腐蚀金属或伤钝化层的问题。CN107577121A公开了一种光刻胶去胶液，其配方包括：1-30wt％醇类，0.1-10wt％有机醇胺，0.1-5wt％季铵碱，60-90wt％极性非质子有机溶剂以及补足余量的去离子水。该专利技术的光刻胶去胶液不仅大大提高了去胶速度及去胶能力，而且降低了对金属、钝化层、氧化硅等各种底材的腐蚀；水溶性比较好，去胶过后容易清洗。但其组成中没有阻蚀剂和金属保护剂，对底材仍存在一定腐蚀。CN107346095A公开了一种半导体制程正性光刻胶去胶液，包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶去胶液，其特征在于，所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵0.5-10份、有机溶剂65-85份、有机醇胺1-20份、有机醇0.1-5份、金属保护剂0.01-5份和阻蚀剂0.1-5份。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶去胶液，其特征在于，所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵0.5-10份、有机溶剂65-85份、有机醇胺1-20份、有机醇0.1-5份、金属保护剂0.01-5份和阻蚀剂0.1-5份。


2.根据权利要求1所述的光刻胶去胶液，其特征在于，所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵2-8份、有机溶剂70-80份、有机醇胺5-15份、有机醇1-4份、金属保护剂1-4份和阻蚀剂1-4份。


3.根据权利要求1或2所述的光刻胶去胶液，其特征在于，所述氢氧化季铵包括四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵、甲基三丙基氢氧化铵、丁基三甲基氢氧化铵、甲基三丁基氢氧化铵、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、(2-羟基乙基)三乙基氢氧化铵、(3-羟基丙基)三乙基氢氧化铵、氢氧化四乙醇铵、苯基三甲基氢氧化铵或苯甲基三甲基氢氧化铵中任意一种或至少两种的组合，优选四甲基氢氧化铵和四丙基氢氧化铵的组合。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的光刻胶去胶液，其特征在于，所述有机溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚或二乙二醇单丁醚中任意一种或至少两种的组合，优选二甲基亚砜。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的光刻胶去胶液，其特征在于，所述有机醇胺包括单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺或二甘醇胺中任意一种或至少两种的组合。


6.根据权利要求1-5中任一项所述的光刻胶去胶液，其特征在于，所述有机醇包括一元醇、二元醇或三元醇中任意一种或至少两种的组合，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁豹，方磊，杜冰，刘文永，邱柱，刘伟，张茂，张兵，赵建龙，向文胜，朱坤，陆兰，
申请(专利权)人：江苏艾森半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32