紫外LED外延结构及光源器件制造技术

本实用新型专利技术属于半导体器件技术领域，涉及一种紫外LED外延结构及光源器件，该紫外LED外延结构包括衬底基材以及依次层叠设置于所述衬底基材顶面上的n型电流扩展层、有源发光结构和p型电流扩展层；其中，所述衬底基材包括合金材质的衬底层。该紫外LED外延结构及光源器件提供的技术方案具有结构简单、生产成本低、综合力学性能好、晶格缺陷小、强度高、硬度大、导热性好、热膨胀系数小的特点。

【技术实现步骤摘要】
紫外LED外延结构及光源器件
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种紫外LED外延结构及光源器件。
技术介绍
发光二极管(简称LED)可以直接把电能转化为光能。LED芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一部分是N型半导体，在它里面电子占主导地位。当这两个半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流流过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。LED作为一种新型光源，由于具有环保、节能、寿命长、启动速度快、等优势而得到了空前的发展。紫外LED由于UVC波段(200nm～280nm)波长短，能量高，短时间内破坏微生物机体(细菌、病毒等病原体)细胞中分子结构，因此可以通过破坏微生物的DNA和RNA而阻止其繁殖，以实现高效快速的广谱杀菌效果，从而对水、空气和物体表面进行杀菌消毒，使细胞无法再生，广泛应用于如水、空气等的杀菌消毒。数据显示，仅以30mW/cm2的UVC紫外辐照强度，一秒钟即可对绝大部分细菌(包括目前正在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述紫外LED外延结构包括衬底基材以及依次层叠设置于所述衬底基材顶面上的n型电流扩展层、有源发光结构和p型电流扩展层；其中，所述衬底基材包括合金材质的衬底层。/n

【技术特征摘要】
1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述紫外LED外延结构包括衬底基材以及依次层叠设置于所述衬底基材顶面上的n型电流扩展层、有源发光结构和p型电流扩展层；其中，所述衬底基材包括合金材质的衬底层。


2.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述紫外LED外延结构还包括设置于所述衬底基材和所述n型电流扩展层之间的过渡层；
所述过渡层包括AlN层，所述过渡层的厚度为50～70nm。


3.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述紫外LED外延结构还包括层叠设置于所述p型电流扩展层顶面上的盖帽层；
所述盖帽层包括GaN层，且所述盖帽层厚度为10～30nm。


4.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述n型电流扩展层包括n型GaN层，且所述n型电流扩展层的厚度为30～80nm；
所述p型电流扩展层包括p型GaN层，且所述p型电流扩展层的厚度为30～80nm。


5.根据权利要求1至4任一项所述的紫外LED外延结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锋，吉爱华，
申请(专利权)人：深圳市光脉电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44