一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法，所述III族氮化物纳米线发光二极管依次顺序包括PDMS基层、金属反射层、p型接触层、III族氮化物纳米线和顶层金属接触点层，所述III族氮化物纳米线覆盖有抗蚀剂。本发明专利技术的III族氮化物纳米线发光二极管用PDMS及金属反射层替代硅作为衬底，提高了III族氮化物纳米线发光二极管的输出功率，同时可提高III族氮化物纳米线发光二极管的可拉伸性。本发明专利技术的III族氮化物纳米线发光二极管实现了高亮度无磷LED，具有高稳定的白光发射和高达98的显色指数。

【技术实现步骤摘要】
一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法。
技术介绍
目前，III-氮化物半导体已在光电子器件中进得到了广泛研究。直接能带隙III-氮化物半导体可以有效吸收或发射约0.65eV的宽光谱光(InN)至6.4eV(AlN)，涵盖从深紫外到近红外光谱，但是由于缺乏天然衬底，传统的III型氮化物平面异质结构通常显示出非常高的位错密度，从而严重限制了器件的性能和可靠性。另一方面，由于高度有效的侧向应力松弛，纳米线异质结构可以在位错密度大大降低的晶格失配的衬底上生长，如硅和蓝宝石。当前报道的纳米线LED通常表现出非常低的外部量子效率，这可能归因于缺陷的存在和/或低光提取效率(LEE)。而且，III族氮化物纳米线LED通常生长在Si衬底上，其可以大量吸收从LED有源区发射的光子，从而严重限制了光输出功率。Si半导体表现出低的电导率和热膨胀系数。但是，大功率LED应用需要大面积的芯片，并且可以在高注入电流下工作，这将极大地加热器件。通常，结温升高时，量子效率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管，其特征在于，所述III族氮化物纳米线发光二极管依次顺序包括PDMS基层、金属反射层、p型接触层、III族氮化物纳米线和顶层金属接触点层，所述III族氮化物纳米线覆盖有抗蚀剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管，其特征在于，所述III族氮化物纳米线发光二极管依次顺序包括PDMS基层、金属反射层、p型接触层、III族氮化物纳米线和顶层金属接触点层，所述III族氮化物纳米线覆盖有抗蚀剂。


2.根据权利要求1所述的III族氮化物纳米线发光二极管，其特征在于，所述III族氮化物纳米线为自组织的InGaN纳米线，所述自组织的InGaN纳米线顺序包括n-GaN、有源区和p-GaN，所述p-GaN和所述顶层金属接触点层接触，所述n-GaN和所述p型接触层接触。


3.根据权利要求2所述的III族氮化物纳米线发光二极管，其特征在于，所述金属反射层为第一Au层，所述p型接触层为Ni层，所述第一Au层的厚度为150～160nm，所述Ni层的厚度为10～12nm。


4.根据权利要求2所述的III族氮化物纳米线发光二极管，其特征在于，所述自组织的InGaN纳米线的半径为60～62nm，所述相邻自组织的InGaN纳米线的几何中心轴间距为110～112nm。


5.根据权利要求1所述的III族氮化物纳米线发光二极管，其特征在于，所述顶层金属接触点层由外至内依次包括第二Au层、第一Ti层、ITO层、第三Au层和第二Ti层。


6.根据权利要求5所述的III族氮化物纳米线发光二极管，其特征在于，所述第二Au层的厚度为100～110nm，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱玲，吴懿平，吕卫文，祝超，
申请(专利权)人：深圳远芯光路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44