一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本申请提供一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管的制备方法：包括：在阳极衬底上，形成空穴注入层；在所述空穴注入层上，形成空穴传输层；在所述空穴传输层上，形成量子点发光层；在所述量子点发光层上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层；所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物；在所述电子传输层上，形成金属阴极。该制备方法用以提高量子点发光二极管的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法
本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管的电子传输层通常为ZnO(氧化锌)，但是ZnO薄膜表面含有大量的缺陷和空位，容易团聚，使表面的粗糙度增加，导致载流子迁移率较低，量子点发光二极管的性能较差。
技术实现思路
本申请实施例的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，用以提高量子点发光二极管的性能。第一方面，本申请实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法：包括：在阳极衬底上，形成空穴注入层；在所述空穴注入层上，形成空穴传输层；在所述空穴传输层上，形成量子点发光层；在所述量子点发光层上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层；所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物；在所述电子传输层上，形成金属阴极。在本申请实施例中，与现有技术相比，电子传输层为多层金属氧化物，且多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物，相对于仅包括氧化锌的电子传输层来说，利用不同的金属氧化物之间的相互作用，能够降低单一的金属氧化物表面的粗糙度；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：/n在阳极衬底上，形成空穴注入层；/n在所述空穴注入层上，形成空穴传输层；/n在所述空穴传输层上，形成量子点发光层；/n在所述量子点发光层上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层；所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物；/n在所述电子传输层上，形成金属阴极。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
在阳极衬底上，形成空穴注入层；
在所述空穴注入层上，形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上，形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层；所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物；
在所述电子传输层上，形成金属阴极。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多层金属氧化物依次为：MgZnO、ZnO和AZO。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述量子点发光层上，形成具有多层结构的电子传输层，包括：
在所述量子点发光层上以预设转速旋涂所述MgZnO；
在旋涂所述MgZnO到达第一预设时间后，进行第二预设时间的退火处理；
在MgZnO层上以所述预设转速旋涂所述ZnO；
在旋涂所述ZnO到达所述第一预设时间后，进行所述第二预设时间的退火处理；
在ZnO层上以所述预设转速旋涂所述AZO；
在旋涂所述AZO到达所述第一预设时间后，进行所述第二预设时间的退火处理，完成所述电子传输层的形成。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述预设转速为4000rpm/s；所述第一预设时间为60s；所述第二预设时间为30min。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属阴极的可见光反射率大于百分之九十八。


6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
在阴极衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨紫琰，龙能文，完亮亮，管子豪，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34