集成电容器及其制造方法，射频电路技术

本发明专利技术涉及一种集成电容器及其制造方法，射频电路；所述集成电容器包括：第一金属层；第一介质层，设于第一金属层上；第二金属层，设于第一介质层上；第二介质层，设于第一介质层上；第三金属层，设于第二金属层上，与第二金属层直接接触，且第三金属层延伸至第二介质层上，第三金属层的厚度大于第二金属层的厚度；其中，第一金属层包括电容器的第一极板，第一介质层包括电容器的电容介电层，第二金属层包括电容器的第二极板；第二金属层的全部边缘被第二介质层覆盖，从而使得第三金属层与第二金属层的接触面积小于第二极板的面积。本发明专利技术在能够保证电容器获得准确电容值的前提下，可以不牺牲电容器的电容密度、占地面积和可靠性获得高品质因数。

【技术实现步骤摘要】
集成电容器及其制造方法，射频电路
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种集成电容器，还涉及一种集成电容器的制造方法，还涉及一种射频电路。
技术介绍
晶圆级集成电容器作为一种无源元件，常见于射频集成电路中。集成电容器与其他晶圆电路元件(如电感器和晶体管)相结合，可以形成具有多种功能的电路网络和微系统，包括滤波器、阻抗匹配网络、功率放大器、低噪声放大器、巴伦、耦合器、分频器和组合器等。集成电容器的电容值如果与设计值偏差过大会影响射频电路的良率，例如会导致滤波器的中心频率和带宽偏离设计值。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种电容值符合设计值的集成电容器。一种集成电容器，包括：第一金属层；第一介质层，设于所述第一金属层上；第二金属层，设于所述第一介质层上；第二介质层，设于所述第一介质层上；第三金属层，设于所述第二金属层上，与所述第二金属层直接接触，且所述第三金属层延伸至所述第二介质层上，所述第三金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度；其中，所述第一金属层包括电容器的第一极板，所述第一介质层包括所述电容器的电容介本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电容器，其特征在于，包括：/n第一金属层；/n第一介质层，设于所述第一金属层上；/n第二金属层，设于所述第一介质层上；/n第二介质层，设于所述第一介质层上；/n第三金属层，设于所述第二金属层上，与所述第二金属层直接接触，且所述第三金属层延伸至所述第二介质层上，所述第三金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度；/n其中，所述第一金属层包括电容器的第一极板，所述第一介质层包括所述电容器的电容介电层，所述第二金属层包括所述电容器的第二极板；所述第二金属层的全部边缘被所述第二介质层覆盖，从而使得所述第三金属层与所述第二金属层的接触面积小于所述第二极板的面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电容器，其特征在于，包括：
第一金属层；
第一介质层，设于所述第一金属层上；
第二金属层，设于所述第一介质层上；
第二介质层，设于所述第一介质层上；
第三金属层，设于所述第二金属层上，与所述第二金属层直接接触，且所述第三金属层延伸至所述第二介质层上，所述第三金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度；
其中，所述第一金属层包括电容器的第一极板，所述第一介质层包括所述电容器的电容介电层，所述第二金属层包括所述电容器的第二极板；所述第二金属层的全部边缘被所述第二介质层覆盖，从而使得所述第三金属层与所述第二金属层的接触面积小于所述第二极板的面积。


2.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，所述第一极板在边缘处形成台阶，台阶处的第一金属层与第三金属层之间被所述第一介质层和第二介质层隔离。


3.根据权利要求1或2所述的集成电容器，其特征在于，所述第二极板在所述第一金属层上的正投影在所述第一金属层的范围之内。


4.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，所述第二金属层的厚度为50纳米至1000纳米。


5.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，还包括基底，所述电容器设于所述基底上。


6.根据权利要求5所述的集成电容器，其特征在于，还包括设于所述基底和所述第一金属层之间的钝化层，所述基底包括硅衬底。


7.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，所述第三金属层将所述第二极板除被所述第二介质层覆盖的位置以外的上表面全部覆盖。


8.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，所述第一介质层的厚度为10纳米至2微米，所述第二介质层的厚度为100纳米至10微米。


9.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，在第三金属层与第一金属层直接接触的位置边缘的各台阶处，第三金属层延伸至这些台阶上方从而覆盖这些台阶；在第三金属层与第二金属层直接接触的位置边缘的各台阶处，第三金属层延伸至这些台阶上方从而覆盖这...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚颂斌，杨岩松，
申请(专利权)人：偲百创深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44