射频滤波器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种射频滤波器及其制造方法。所述射频滤波器包括：电路基板，包括相对的第一表面和第二表面，以及设于所述电路基板中的互联线；第一电触点，设于所述第一表面；第一倒装芯片，倒装设于所述第一电触点上，所述第一倒装芯片中的电子元器件通过所述第一电触点与所述互联线电性连接，所述第一倒装芯片中的电子元器件包括声学谐振器；第二电触点，设于所述第一表面；第二倒装芯片，倒装设于所述第二电触点上，所述第二倒装芯片中的电子元器件通过所述第二电触点与所述互联线电性连接，所述第二倒装芯片中的电子元器件包括电容器；第三电触点，设于所述第二表面上，与所述互联线电性连接。方案具有良好的可行性，并且成本较低。低。低。

【技术实现步骤摘要】
射频滤波器及其制造方法


[0001]本申请涉及滤波器，特别是涉及一种射频滤波器，还涉及一种射频滤波器的制造方法。

技术介绍

[0002]射频滤波器是在无线前端中常见的器件，它们用于选择特定的频段进行通信并消除干扰信号。这些滤波器尺寸必须很小，以适合现代通信设备的大小要求。另外，它们需要提供低损耗和高抑制，并且具有低廉的制造成本。射频产品混合集成到同一基板上，由于电气交叉耦合、不同芯片之间的热应力以及电气寄生的存在降低了制造芯片的性能，因此面临着重大挑战。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种技术上可行且成本较低的射频滤波器及其制造方法。
[0004]一种射频滤波器，包括：电路基板，包括相对的第一表面和第二表面，以及设于所述电路基板中的互联线；第一电触点，设于所述第一表面；第一倒装芯片，倒装设于所述第一电触点上，所述第一倒装芯片中的电子元器件通过所述第一电触点与所述互联线电性连接，所述第一倒装芯片中的电子元器件包括声学谐振器；第二电触点，设于所述第一表面；第二倒装芯片，倒装设于所述第二电触点上，所述第二倒装芯片中的电子元器件通过所述第二电触点与所述互联线电性连接，所述第二倒装芯片中的电子元器件包括电容器；第三电触点，设于所述第二表面上，与所述互联线电性连接。
[0005]在其中一个实施例中，所述互联线为多层结构，所述互联线形成电感器。
[0006]在其中一个实施例中，所述电路基板包括设于相邻两层互联线之间的介电层，所述电路基板至少包括两层所述介电层。
[0007]所述电路基板至少包括三层所述互联线。
[0008]在其中一个实施例中，所述第一倒装芯片还包括叉指电极换能器，所述叉指电极换能器设于所述第一倒装芯片朝向所述电路基板的一面，并与所述第一电触点电性连接。
[0009]在其中一个实施例中，所述第一倒装芯片与所述电路基板之间未形成所述第一电触点的位置形成有第一空腔，所述第二倒装芯片与所述电路基板之间未形成所述第二电触点的位置形成有第二空腔。
[0010]在其中一个实施例中，所述电路基板还形成有第一凹陷区和第二凹陷区，所述第一凹陷区形成于所述第一倒装芯片和所述电路基板之间，且所述第一空腔与所述第一凹陷区至少部分重合，所述第二凹陷区形成于所述第二倒装芯片和所述电路基板之间，且所述第二空腔与所述第二凹陷区至少部分重合。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一电触点、第二电触点及第三电触点均包括焊球。
[0012]在其中一个实施例中，所述互联线中最靠近所述第一倒装芯片和第二倒装芯片的一层用于形成与所述第一电触点和第二电触点电性连接的焊盘。
[0013]在其中一个实施例中，所述射频滤波器还包括塑封结构，所述塑封结构设于所述第一表面上，并包覆所述第一倒装芯片和第二倒装芯片。
[0014]一种射频滤波器的制造方法，包括：获取电路基板；所述电路基板包括相对的第一表面和第二表面，以及设于所述电路基板中的互联线，所述第一表面设有第一电触点和第二电触点，所述第一电触点和第二电触点与所述互联线电性连接；在所述第二表面形成与所述互联线电性连接的第三电触点；在所述电路基板的第一表面上倒装设置第一倒装芯片和第二倒装芯片，并使所述第一倒装芯片中的电子元器件与所述第一电触点电性连接、所述第二倒装芯片中的电子元器件与所述第二电触点电性连接；所述第一倒装芯片中的电子元器件包括声学谐振器，所述第二倒装芯片中的电子元器件包括电容器。
[0015]在其中一个实施例中，所述制造方法还包括：在所述第一表面上，形成包覆所述第一倒装芯片和第二倒装芯片的塑封结构。
[0016]在其中一个实施例中，所述形成包覆所述第一倒装芯片和第二倒装芯片的塑封结构的步骤包括：形成包覆所述第一倒装芯片和第二倒装芯片的密封薄膜；所述密封薄膜形成后，所述第一倒装芯片与所述电路基板之间未形成所述第一电触点的位置形成第一空腔，所述第二倒装芯片与所述电路基板之间未形成所述第二电触点的位置形成第二空腔；使用塑封材料在所述密封薄膜上形成塑封结构。
[0017]在其中一个实施例中，所述使用塑封材料在所述密封薄膜上形成塑封结构的步骤包括使用压膜或包塑成型工艺。
[0018]上述射频滤波器及其制造方法，将包含声学谐振器的倒装芯片和包含电容器的倒装芯片不是通过引线键合(wire bonding)，而是通过倒装设置在电路基板上，从而将声学谐振器及电容器封装在一个芯片中作为射频滤波器。方案具有良好的可行性，并且成本较低。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是一实施例中射频滤波器的剖面示意图；
[0021]图2是再一实施例中射频滤波器的剖面示意图；
[0022]图3是一实施例中第一倒装芯片底面的俯视示意图
[0023]图4是一实施例中第二倒装芯片底面的俯视示意图；
[0024]图5是另一实施例中射频滤波器的剖面示意图；
[0025]图6是又一实施例中射频滤波器的剖面示意图；
[0026]图7是一实施例中射频滤波器的制造方法的流程图；
[0027]图8是一实施例中电路基板的结构示意图。
具体实施方式
[0028]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中
给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0029]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0030]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分；举例来说，可以将第一掺杂类型成为第二掺杂类型，且类似地，可以将第二掺杂类型成为第一掺杂类型；第一掺杂类型与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频滤波器，其特征在于，包括：电路基板，包括相对的第一表面和第二表面，以及设于所述电路基板中的互联线；第一电触点，设于所述第一表面；第一倒装芯片，倒装设于所述第一电触点上，所述第一倒装芯片中的电子元器件通过所述第一电触点与所述互联线电性连接，所述第一倒装芯片中的电子元器件包括声学谐振器；第二电触点，设于所述第一表面；第二倒装芯片，倒装设于所述第二电触点上，所述第二封装芯片中的电子元器件通过所述第二电触点与所述互联线电性连接，所述第二封装芯片中的电子元器件包括电容器；第三电触点，设于所述第二表面上，与所述互联线电性连接。2.根据权利要求1所述的射频滤波器，其特征在于，所述互联线为多层结构，所述互联线形成电感器。3.根据权利要求2所述的射频滤波器，其特征在于，所述电路基板包括设于相邻两层互联线之间的介电层，所述电路基板至少包括两层所述介电层。4.根据权利要求1所述的射频滤波器，其特征在于，所述第一倒装芯片还包括叉指电极换能器，所述叉指电极换能器设于所述第一倒装芯片朝向所述电路基板的一面，并与所述第一电触点电性连接。5.根据权利要求1所述的射频滤波器，其特征在于，所述第一倒装芯片与所述电路基板之间未形成所述第一电触点的位置形成有第一空腔，所述第二倒装芯片与所述电路基板之间未形成所述第二电触点的位置形成有第二空腔。6.根据权利要求5所述的射频滤波器，其特征在于，所述电路基板还形成有第一凹陷区和第二凹陷区，所述第一凹陷区形成于所述第一倒装芯片和所述电路基板之间，且所述第一空腔与所述第一凹陷区至少部分重合，所述第二凹陷区形成于所述第二倒装芯片和所述电路基板之间，且所述第二空腔与所述第二凹陷区至少部分重合。7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚颂斌，杨岩松，
申请(专利权)人：偲百创深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：