一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，包括：声学镜，包括至少一第一声反射层和至少一第二声反射层，各所述第一声反射层的声阻抗小于各所述第二声反射层的声阻抗；底电极层，位于所述声学镜上；压电层，设于所述底电极层上，所述压电层包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的钽酸锂；电极单元，设于所述压电层上；横向反射器，设于所述压电层上，所述横向反射器用于对声波进行横向反射；其中，所述底电极层和电极单元用于形成电场。本实用新型专利技术可以在3GHz以上的频率下具有高机电耦合系数和高Q值。耦合系数和高Q值。耦合系数和高Q值。

【技术实现步骤摘要】
一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器


[0001]本申请涉及谐振器
，特别是涉及一种厚度方向剪切模式的声学谐振器。

技术介绍

[0002]射频声学谐振器是用于合成滤波功能或作为频率源的小型微合成结构。声学谐振器由于具有更小的体积和更高的品质因子(Q)，从而取代了手机、小型基站和物联网设备中使用的其他类型的谐振器，声学谐振器可以实现低损耗(低功耗)、高抑制和高信号噪声比，及更为超薄的封装。
[0003]随着新的通信标准(即第五代移动网络)的发布，有必要将谐振器的工作范围扩大到更高的频率同时保持高机电耦合系数和高Q值。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种能够在3GHz以上的频率下具有高机电耦合系数和高Q值的厚度方向剪切模式的声学谐振器。
[0005]一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，包括：声学镜，包括至少一第一声反射层和至少一第二声反射层，各所述第一声反射层的声阻抗小于各所述第二声反射层的声阻抗；底电极层，位于所述声学镜上；压电层，设于所述底电极层上，所述压电层包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，其特征在于，包括：声学镜，包括至少一第一声反射层和至少一第二声反射层，各所述第一声反射层的声阻抗小于各所述第二声反射层的声阻抗；底电极层，位于所述声学镜上；压电层，设于所述底电极层上，所述压电层包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的钽酸锂；电极单元，设于所述压电层上；横向反射器，设于所述压电层上，所述横向反射器用于对声波进行横向反射；其中，所述底电极层和电极单元用于形成电场。2.根据权利要求1所述的厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，其特征在于，所述底电极层和电极单元形成的电场方向主要为所述压电层的厚度方向，所述底电极层和电极单元还用于在整个压电层的厚度上产生剪切模式的机械波。3.根据权利要求1所述的厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，其特征在于，离所述底电极层越远的第一声反射层的厚度越厚；离所述底电极层越远的第二声反射层的厚度越厚。4.根据权利要求1所述的厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，其特征在于，所述声学镜包括三层第一声反射层和两层第二声反射层，且声学镜中第一声反射层和第二声反射层交替设置。5.根据权利要求1所述的厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，其特征在于，存在一第一声反射层比所有的第二声反射层更靠近所述底电极层。6.根据权利要求5所述的厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，其特征在于，所述电极单元包括第一公共电极、第二公共电极、多条第一叉指电极及多条第二叉指电极，各所述第一叉指电极与所述第一公共电极电性连接，各所述第二叉指电极与所述第二公共电极电性连接，且各第一叉指电极与各第二叉指电极之间绝缘设置，所述第一公共电极用于接入输入电压，所述第二公共电极用于接地；所述横向反射器包括位于所述电极单...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚颂斌，吕若辰，
申请(专利权)人：偲百创深圳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：