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本发明涉及一种集成电容器及其制造方法，射频电路；所述集成电容器包括：第一金属层；第一介质层，设于第一金属层上；第二金属层，设于第一介质层上；第二介质层，设于第一介质层上；第三金属层，设于第二金属层上，与第二金属层直接接触，且第三金属层延伸至...
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