前置样品室及晶片处理装置制造方法及图纸

一种前置样品室，用于暂存晶片，并加热或冷却所述晶片，所述前置样品室包括承载台、扩散器和供气管。所述晶片设置在所述承载台上，所述承载台能够加热或冷却所述晶片。所述供气管用于提供气体以加热或冷却所述晶片。所述扩散器与所述供气管连通并设置于所述承载台的上方。所述扩散器朝向所述晶片的一侧均匀开设有多个通孔，所述供气管输送至所述扩散器中的气体从所述通孔流出，所述通孔的位置与所述晶片匹配。所述前置样品室通过所述扩散器与所述承载台配合，使所述晶片的上端面和下端面能同时均匀冷却或加热到预定的温度范围内，避免所述晶片因温度不均匀产生变形甚至破裂。本发明专利技术还提供一种包括上述前置样品室的晶片处理装置。

【技术实现步骤摘要】
前置样品室及晶片处理装置
本专利技术涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种前置样品室及具有所述前置样品室的晶片处理装置。
技术介绍
半导体制程中，为了较佳的组件材料特性，通常会在加热的环境下，在半导体晶片上沉积薄膜。譬如，在化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition)制程中，反应温度通常大于摄氏100度。在半导体的制程中，如何能快速均匀冷却或预热半导体晶片是一个重要的问题。不均匀的预热或冷却，除了会因为温差过大造成晶片因热胀冷缩而变形，更有可能晶片本身因材料不同，材料应力不平均导致晶片破裂。而因破裂产生的微小碎裂粉末，也会污染反应室及整个半导体制程机台。
技术实现思路
鉴于上述状况，本专利技术提供一种能够快速均匀冷却或加热晶片的前置样品室及具有所述前置样品室的晶片处理装置。一种前置样品室，用于暂存晶片，并加热或冷却所述晶片，所述前置样品室包括承载台、扩散器和供气管。所述晶片设置在所述承载台上，所述承载台能够加热或冷却所述晶片。所述供气管用于提供气体以加热或冷却所述晶片。所述扩散器与所述供气管连通并设置于所述承载台的上方。所述扩散器朝向所述晶片的一侧均匀开设有多个通孔，所述供气管输送至所述扩散器中的气体从所述通孔流出，所述通孔的位置和分布形状与所述晶片匹配。可选地，所述扩散器为环形管道，其直径大于或等于所述晶片的直径。可选地，所述晶片与所述扩散器之间的垂直距离为1mm～300mm。可选地，所述扩散器朝向所述晶片的一侧可以为一平面并与承载台的端面平行。<br>可选地，所述多个通孔呈圆形或椭圆形分布在所述平面上。可选地，所述多个通孔阵列分布在所述平面上，阵列面积大于或等于所述晶片的面积。可选地，所述通孔内设置有过滤件。可选地，所述供气管的数量至少为两个并对称设置在所述扩散器上，以保证所述扩散器内的气体流速均匀。可选地，所述扩散器的数量至少为一个，多个所述扩散器对称设置在所述晶片上方。一种晶片处理装置，所述晶片处理装置包括上述任一项所述的前置样品室。上述前置样品室和晶片处理装置通过所述扩散器将气体均匀地从所述晶片上方释放，与所述承载台配合，使所述晶片的上端面和下端面能同时均匀冷却或加热到预定的温度范围内，避免所述晶片因温度不均匀产生变形甚至破裂。附图说明图1为前置样品室在一实施例中的结构示意图。图2为图1前置样品室的俯视图。图3为图1前置样品室的扩散器的仰视图。图4为图1前置样品室的正视图。图5为扩散器在实施例二中的仰视图。图6为扩散器在实施例三中的仰视图。图7为扩散器在实施例四中的仰视图。图8为前置样品室在实施例五中的结构示意图。图9为前置样品室在一实施例中的结构框图。主要元件符号说明：前置样品室100，500承载台10扩散器20，30，40平面32，42内径R1外径R2垂直距离D通孔21，31，41供气管50晶片60温度调控件70控制器80具体实施方式：下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一请参阅图1和图2，前置样品室100用于暂存晶片60，并根据晶片60后续的加工条件对所述晶片60进行加热或冷却。所述前置样品室100包括承载台10、扩散器20和供气管50。所述晶片60设置在所述承载台10上，所述承载台10能够自所述晶片60的底部均匀加热或冷却所述晶片60。所述供气管50用于提供气体以加热或冷却所述晶片60，所述供气管50提供的气体优选为传热能较佳的气体，例如氩气、氢气、氦气、氮气等。所述扩散器20与所述供气管50连通并设置于所述承载台10的上方。所述扩散器20朝向所述晶片60的一侧均匀开设有多个通孔21。所述供气管50输送至所述扩散器20中的气体从所述通孔21流出。所述通孔21的位置和分布形状与所述晶片60匹配，例如所述晶片60的形状为圆形，所述通孔21的分布形状也呈圆形并与所述晶片60同轴设置。在其他实施例中，所述通孔21的分布形状也可以是方形、多边形等对称的形状，所述晶片60位于所述通孔21的分布形状的正下方。所述扩散器20大致呈环形，并且具有中空结构，可以理解为环形管道。在其他实施例中，所述扩散器20还可以是圆形、多边形、正方形等对称结构，本申请不对所述扩散器20的形状进行限制。所述扩散器20设置在所述前置样品室100的上部，与所述承载台10间隔设置，所述扩散器20上均匀开设的多个通孔21朝向所述承载台10。所述通孔21的孔洞面积与所述扩散器20的表面积比可以为0.1～1，而孔径大小不超过所述扩散器20的管径，孔与孔直径的距离为1mm～100mm。所述扩散器20的材料优选为不容易因温度发生形变且耐高温材料，例如陶瓷材料、耐高温的石英材料等。请继续参阅图3和图4，所述晶片60放置于所述扩散器20的正下方并与所述扩散器20间隔设置，利用所述扩散器20的对称结构将气体均匀地从所述晶片60上方释放，与所述承载台10配合，使所述晶片60的上端面和下端面能同时均匀冷却或加热到预定的温度范围内，避免所述晶片60因温度不均匀产生变形甚至破裂。所述扩散器20的内径R1大于或等于所述晶片60的直径，以避免从所述通孔21释放出的气体直接撞击在所述晶片60的局部区域，造成所述晶片60的上表面温度不均匀。在一实施例中，所述扩散器20的内径R1为150mm～190mm，所述扩散器20的外径R2为150mm～200mm。所述扩散器20与所述晶片60之间的垂直距离D为1mm～300mm。所述晶片60冷却后的温度为10～80℃。所述供气管50的数量至少为两个并对称设置在所述扩散器20上，以保证所述扩散器20内的气体流速均匀，每个所述通孔21处释放的气体流速大致相同，偏差值在一允许值范围内。在另一实施例中，所述扩散器20上还设置有过滤件(图未示)，所述过滤件与所述通孔21对应，可以设置在所述通孔21内。所述过滤件用于过滤气体中的杂质的同时，可以减缓所述通孔21处的气体流速，减少由于气体流速造成的晶片损伤的可能。实施例二请参阅图5，实施例二的前置样品室与实施例一的前置样品室100大致相同，区别在于，所述扩散器30的形状与所述扩散器20的形状不同。所述扩散器30具有中空结构并与所述供气管50连通，所述扩散器30朝向所述晶片60的一侧大致为一平面32，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种前置样品室，用于暂存晶片，并加热或冷却所述晶片，所述前置样品室包括：/n承载台，所述晶片设置在所述承载台上，所述承载台能够加热或冷却所述晶片；/n扩散器；和/n供气管，用于提供气体以加热或冷却所述晶片；/n其特征在于，所述扩散器设置于所述承载台的上方；/n所述扩散器与所述供气管连通并设置于所述承载台的上方，所述扩散器朝向所述晶片的一侧均匀开设有多个通孔，所述供气管输送至所述扩散器中的气体从所述通孔流出，所述通孔的位置与所述晶片匹配。/n

【技术特征摘要】
1.一种前置样品室，用于暂存晶片，并加热或冷却所述晶片，所述前置样品室包括：
承载台，所述晶片设置在所述承载台上，所述承载台能够加热或冷却所述晶片；
扩散器；和
供气管，用于提供气体以加热或冷却所述晶片；
其特征在于，所述扩散器设置于所述承载台的上方；
所述扩散器与所述供气管连通并设置于所述承载台的上方，所述扩散器朝向所述晶片的一侧均匀开设有多个通孔，所述供气管输送至所述扩散器中的气体从所述通孔流出，所述通孔的位置与所述晶片匹配。


2.如权利要求1所述的前置样品室，其特征在于，所述扩散器为环形管道，其直径大于或等于所述晶片的直径。


3.如权利要求2所述的前置样品室，其特征在于，所述晶片与所述扩散器之间的垂直距离为1mm～300mm。


4.如权利要求1所述的前置样品室，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭逃远，金玄永，徐康元，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37