用于化学气相沉积处理的加热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置，包括：壳体，包围限定出腔室；加热组件，设于腔室中，并包括多个导热部和多个加热部；其中，至少两个的导热部相互分体设置，任一导热部与任意至少一个的加热部相配合，加热部生发热量，导热部将来自加热部的热量散发至腔室中。本实用新型专利技术能够促进腔室之中温度的均匀分布，并由此提高载具和载具之上硅片的受热均匀程度。

【技术实现步骤摘要】
用于化学气相沉积处理的加热装置
本技术涉及硅片制造的
，具体而言，涉及一种用于化学气相沉积处理的加热装置。
技术介绍
硅片在太阳能电池生产、半导体设备制造等诸多领域均具有广泛的应用前景。采用等离子增强化学气相沉积(英文名称：PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，英文简称：PECVD)是对硅片进行表面处理，是提高硅片性能的重要手段。在实施化学气相沉积处理时，需要采用加热装置对硅片进行加热。相关技术中的其中一项不足是，加热装置对硅片进行加热时的温度均匀性不够理想，并由此使得硅片的生产质量难以得到保证。
技术实现思路
本技术旨在解决上述技术问题的至少之一。为此，本技术的目的在于提供一种用于化学气相沉积处理的加热装置。为实现本技术的目的，本技术的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置，包括：壳体，包围限定出腔室；加热组件，设于腔室中，并包括多个导热部和多个加热部；其中，至少两个的导热部相互分体设置，任一导热部与任意至少一个的加热部相配合，加热部生发热量，导热部将来自加热部的热量散发至腔室中。本实施例对导热部进行了分体设置。其中，导热部的数量为多个，相邻或相互靠近的两个导热部之间相互分隔，以减少二者之间的温度传递。并且，各个导热部均设有与其各自适配的加热部。由此，各个加热部可分别对位于其上方的导热部进行加热升温。相互分体设置的两个或多个导热部的温度可被分别控制，并且温度传递情况得到抑制。由此，本实施例的加热组件对被加工件的升温更加均匀，并由此提高了例如硅片的被加工件的产品性能。另外，本技术上述实施例提供的技术方案还可以具有如下附加技术特征：上述技术方案中，导热部和加热部之间具有第一间隙。本实施例使得导热部和加热部之间具有间隙，间隙的设置能够有效避免因导热部局部过热而导致的变形问题。由此，本实施例能够有效保护导热部，避免其变形，延长其使用寿命。上述任一技术方案中，导热部包括：第一导热部；第二导热部，围绕第一导热部的周缘设置；其中，第一导热部和第二导热部之间具有第二间隙。设置间隙可为第一导热部和第二导热部受热后出现膨胀现象留有安全余量。此外，本实施例可对位于中间位置的导热部和位于四周位置的导热部进行分别加热和控制，第二间隙的设置可达到避免中间温度和四周温度相互干扰影响的作用。上述任一技术方案中，第一导热部和第二导热部中的任一者设有缺口，第一导热部和第二导热部中相对于任一者的另一者设有凸起，凸起的至少一部分伸入缺口。本实施例可实现第一导热部和第二导热部在安装位置方面的相互配合，以便于导热部并平坦且平稳地铺设于腔室之中。上述任一技术方案中，第一导热部包括至少两个并相互分体设置的第一导热部拼接单元；和/或第二导热部包括至少两个并相互分体设置的第二导热部拼接单元。本实施列可分别对第一导热部和第二导热部进行进一步地分割，使得多个相互分体独立的第一导热部拼接单元共同限定出第一导热部，或使得多个相互分体独立的第二导热部拼接单元共同限定出第二导热部。由此，本实施例能够进一步提高加热装置在升温加热时的升温均匀程度。上述任一技术方案中，加热部包括：第一加热部，适于加热第一导热部；第二加热部，适于加热第二导热部；其中，第一加热部和第二加热部适于被分别控制。各个第一导热部和各个第二导热部对应各自的加热部，通过分体式导热部的不同温度组合，可使得各个第一导热部和各个第二导热部共同限定出的整个导热部对载具和载具上面的硅片实现均匀地加热升温，进而保证工艺效果。上述任一技术方案中，用于化学气相沉积处理的加热装置还包括：保护气体输出装置，适于向腔室中输入保护气体，以保护加热组件。本实施例的保护气体输出装置可向腔室中输出例如氮气或氩气等的惰性气体，其作用在于避免腔室中的部件，尤其是加热组件，受到腐蚀性气体的破坏，以延长加热装置的使用寿命，降低其维修成本。上述任一技术方案中，用于化学气相沉积处理的加热装置还包括：支撑座，设于腔室中，并与壳体连接；其中，支撑座适于支撑加热组件。支撑座能够对加热组件进行有效地支撑固定，并使得加热组件与载具之间的距离更为合理，从而保证加热组件的加热升温效果。上述任一技术方案中，加热组件还包括：保护罩，与导热部相互配合，以共同限定出部分封闭的保护空间，加热部设于保护空间中。保护罩与导热部之间具有间隙，以使得该保护空间为部分封闭的结构。保护罩能够有效避免腐蚀性气体对加热部造成影响。尤其，当加热装置还包括保护气体输出装置时，部分封闭的保护空间可有效阻止保护气体输出装置喷出的保护气体的流失，并阻止腐蚀性气体进入加热部的周围。上述任一技术方案中，加热组件还包括：第一支撑件，由保护罩之上伸出，适于支撑导热部；和/或第二支撑件，由保护罩之上伸出，适于支撑加热部。第一支撑件可保证导热部被稳定安放，并使得导热部与加热部之间留有间隙。第二支撑件可保证加热部被稳定地支撑固定，并对加热部的设置位置进行调节，保证其设置高度合理，避免加热部因距离过近而对导热部或保护罩造成损坏。本技术的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本技术一个实施例的用于化学气相沉积处理的加热装置的第一结构示意图；图2为图1中用于化学气相沉积处理的加热装置沿A-A方向的剖视图。其中，图1和图2中附图标记与部件名称之间的对应关系为：100：加热装置，110：壳体，120：腔室，130：载具，140：导热部，142：第一导热部，144：第二导热部，150：加热部，152：第一加热部，154：第二加热部，160：保护气体输出装置，170：支撑座，180：保护罩，190：传动滚轮，192：第一支撑件，194：第二支撑件，200：硅片，X1：第一间隙，X2：第二间隙。具体实施方式为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是，本技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。下面参照图1和图2描述本技术一些实施例的用于化学气相沉积处理的加热装置100。实施例1：如图1和图2所示，本技术的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。包括：壳体110和加热组件。壳体110包围限定出腔室120。加热组件设于腔室120中，并包括多个导热部140和多个加热部150。其中，至少两个的导热部140相互分体设置，任一导热部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，包括：/n壳体，包围限定出腔室；/n加热组件，设于所述腔室中，并包括多个导热部和多个加热部；/n其中，至少两个的所述导热部相互分体设置，任一所述导热部与任意至少一个的所述加热部相配合，所述加热部生发热量，所述导热部将来自所述加热部的热量散发至所述腔室中。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，包括：
壳体，包围限定出腔室；
加热组件，设于所述腔室中，并包括多个导热部和多个加热部；
其中，至少两个的所述导热部相互分体设置，任一所述导热部与任意至少一个的所述加热部相配合，所述加热部生发热量，所述导热部将来自所述加热部的热量散发至所述腔室中。


2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，
所述导热部和所述加热部之间具有第一间隙。


3.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，所述导热部包括：
第一导热部；
第二导热部，围绕所述第一导热部的周缘设置；
其中，所述第一导热部和所述第二导热部之间具有第二间隙。


4.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，
所述第一导热部和所述第二导热部中的任一者设有缺口，所述第一导热部和所述第二导热部中相对于所述任一者的另一者设有凸起，所述凸起的至少一部分伸入所述缺口。


5.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，
所述第一导热部包括至少两个并相互分体设置的第一导热部拼接单元；和/或
所述第二导热部包括至少两个并...

【专利技术属性】
技术研发人员：李时俊，梁建军，朱海剑，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44