粘合带制造技术

本发明专利技术提供耐热性优异、即使在经过了加热工序的情况下也具有优异的扩展性的粘合带。本发明专利技术的粘合带具备基材和配置于该基材的单侧的粘合剂层。该粘合带在150℃下进行30分钟工作台加热贴附后的拉伸剪切粘接强度为0.05N/20mm以下，并且伸长10％时的应力为15N以下。

【技术实现步骤摘要】
粘合带
本专利技术涉及粘合带。更详细而言涉及适合于半导体晶圆的加工工序的粘合带。
技术介绍
对于作为电子部件的集合体的工件(例如，半导体晶圆)而言，以大直径被制造，在表面形成图案后，通常研削背面以使晶圆的厚度成为100μm～600μm左右，接着被切断分离(切割)为元件小片，进而移至安装工序。该切割工序中，将工件切断并进行小片化。在半导体的制造过程中，为了将半导体晶圆、切割工序中使用的切割框(例如，SUS环)固定，使用粘合片(例如，专利文献1)。半导体晶圆的加工工序中使用的粘合带要求具有对应于工序的特性。例如，对切割工序中使用的粘合带要求在切割工序时不产生切削屑的特性、及切割后的芯片的拾取性、扩展工序中的扩展性等。另外，有时在半导体晶圆的加工工序中在切割工序的前后包含加热工序。该加热工序中，以粘合带贴附于半导体晶圆的状态供于加热工序。上述那样的适合用于切割工序的粘合带在耐热性方面有改善的余地。因此，在包括加热工序的情况下，需要更换贴附于半导体晶圆的粘合片的工序。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-007646号公报专利文献2：日本特开2014-37458号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是为了解决上述以往的问题而作出的，目的在于提供耐热性优异、即使在经过了加热工序的情况下也具有优异的扩展性的粘合带。用于解决问题的方案本专利技术的粘合带具备：基材、和配置于该基材的单侧的粘合剂层。该粘合带在150℃下进行30分钟工作台加热贴附后的拉伸剪切粘接强度为0.05N/20mm以下，并且伸长10％时的应力为15N以下。1个实施方式中，上述粘合带的断裂伸长率为300％以上。1个实施方式中，上述粘合带在150℃下加热30分钟后的收缩率为1.0％以下。1个实施方式中，上述粘合带的初始弹性模量为500MPa以下。1个实施方式中，上述基材包含脂肪族聚酯树脂。1个实施方式中，上述粘合带在100℃～150℃的线膨胀系数为1000ppm/℃以下。1个实施方式中，上述基材的熔融开始点超过150℃。1个实施方式中，上述粘合带在半导体晶圆加工工序中使用。1个实施方式中，上述半导体晶圆的加工工序包括加热工序及扩展工序。1个实施方式中，上述粘合带用作切割带。专利技术的效果本专利技术的粘合带具备基材和配置于该基材的单侧的粘合剂层。该粘合带在150℃下进行30分钟工作台加热贴附后的拉伸剪切粘接强度为0.05N/20mm以下，并且伸长10％时的应力为15N以下。本专利技术的粘合带的耐热性优异。因此，即使在包括加热工序的制造工序中使用的情况下，也不需要粘合带的更换工序。另外，本专利技术的粘合带可以与以往的半导体晶圆加工用粘合带同样地适合用于半导体晶圆加工工序。具体而言，本专利技术的粘合带具有优异的扩展性。进而即使在经过加热工序的情况下，也可维持优异的扩展性(向面方向的伸长)。因此，即使应用于在面方向使粘合带扩张的扩展工序的情况下，也能够在粘合带不断裂的状态下良好地拾取切割后的经小片化的工件(例如，半导体芯片)。其结果，可提高半导体晶圆的生产率。附图说明图1为本专利技术的1个实施方式的粘合带的示意截面图。附图标记说明10基材20粘合剂层100粘合带具体实施方式A.粘合带的概要图1为本专利技术的1个实施方式的粘合带的示意截面图。图示例的粘合带100具备：基材10、和配置于基材10的一个面的粘合剂层20。粘合剂层代表性的是由活性能量射线固化型粘合剂组合物形成。在实用上，为了在直到使用为止的期间适当地保护粘合剂层20，在粘合剂层20上可剥离地临时粘接隔离体。另外，粘合带100还可以包含任意适当的其他层。优选粘合剂层直接配置于基材。本专利技术的另一实施方式中，粘合剂层为2层构成，粘合带依次具备基材、第1粘合剂层和第2粘合剂层(未图示)。上述粘合带在150℃下进行30分钟工作台加热贴附后(以下，也称为工作台加热贴附)的拉伸剪切粘接强度为0.05N/20mm以下，优选为0.02N/20mm以下、更优选为测定极限值以下。通过使进行工作台加热贴附后的拉伸剪切粘接强度为0.05N/20mm以下，从而即使经过加热工序后，也可防止由在加热工序中熔融的粘合带、更详细而言熔融的基材所引起的工作台污染。另外，粘合带的进行工作台加热贴附后的粘接力越弱越优选，可以为测定极限值以下(实质上没有拉伸剪切粘接强度的状态)。因此，根据实施方式，有时粘合带的进行工作台加热贴附后的拉伸剪切粘接强度自身无法测定。作为本专利技术的粘合带，也可以适当地使用无法测定工作台加热后的粘接力的粘合带。本说明书中，在150℃下进行30分钟工作台加热贴附后的拉伸剪切粘接强度是指通过后述的实施例中记载的方法测定的拉伸剪切粘接强度。粘合带的伸长10％时的应力为15N以下、优选为10N以下、更优选为8N以下、进一步优选为5N以下。通过使伸长10％时的应力为上述范围，从而能够得到具有良好的扩展性的粘合带。因此，例如，即使在用于包括向面方向延伸的扩展工序的半导体晶圆的制造方法的情况下，也能够在面方向(MD方向及TD方向)良好地扩张，并且能够在接下来的拾取工序中效率良好地拾取经切割的半导体晶圆。伸长10％时的应力优选为4N以上。本说明书中，伸长10％时的应力是指通过后述的实施例中记载的方法测定的应力。粘合带的断裂伸长率优选为300％以上、更优选为400％以上、进一步优选为450％以上。另外，粘合带的断裂伸长率优选为1000％以下。通过使断裂伸长率为上述范围，从而能够适合将粘合带用于包括扩展工序的半导体晶圆的制造工序。粘合带的断裂伸长率可以通过任意适当的方法来测定。1个实施方式中，粘合带在TD方向及MD方向上具有上述断裂伸长率。通过在TD方向及MD方向上具有上述断裂伸长率，从而能够适合用于包括扩展工序的半导体晶圆的制造方法。粘合带在150℃下加热30分钟后的收缩率优选为1.5％以下、更优选为1.0％以下、进一步优选为-0.5％～1.0％、特别优选为-0.2％～0.7％、最优选为0％～0.5％。通过使在150℃下加热30分钟后的收缩率为上述范围，从而也能够适合用于包括加热工序的半导体晶圆的制造方法。本说明书中，在150℃下加热30分钟后的收缩率可以通过后述的实施例中记载的方法来测定。本说明书中，收缩率为-(负)的情况下，是指在加热后比初始值变大(伸长了)，收缩率为+(正)的情况下，是指加热后比初始值变小(收缩了)。粘合带的初始弹性模量优选为500MPa以下、更优选为300MPa以下、进一步优选为200MPa以下。通过使初始弹性模量为上述范围，从而能够适合用作在半导体晶圆加工工序中使用的粘合带。粘合带的初始弹性模量优选为50MPa以上。粘合带的初始弹性模量可以通过任意适当的方法来测定。粘合带在100℃～150℃的线膨胀系数优选为1000ppm/℃以下、更优选为950ppm/℃以下、进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种粘合带，其具备：基材、和配置于该基材的单侧的粘合剂层，/n所述粘合带在150℃下进行30分钟工作台加热贴附后的拉伸剪切粘接强度为0.05N/20mm以下，并且伸长10％时的应力为15N以下。/n

【技术特征摘要】
20190919 JP 2019-170055;20200415 JP 2020-0727991.一种粘合带，其具备：基材、和配置于该基材的单侧的粘合剂层，
所述粘合带在150℃下进行30分钟工作台加热贴附后的拉伸剪切粘接强度为0.05N/20mm以下，并且伸长10％时的应力为15N以下。


2.根据权利要求1所述的粘合带，其断裂伸长率为300％以上。


3.根据权利要求1所述的粘合带，其在150℃下加热30分钟后的收缩率为1.0％以下。


4.根据权利要求1所述的粘合带，其初始弹性模量为500M...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤友二，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP