临时键合方法技术

本公开涉及一种临时键合方法，属于半导体技术领域，能够节省材料成本，降低解键合时间，而且不存在热应力。一种临时键合方法，包括：在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层；利用再布线的方式在所述保护层上形成嵌套结构的凸起结构；在用于临时键合的载板上形成所述嵌套结构的凹槽结构；以及将所述凹槽结构与所述凸起结构进行嵌套互锁。

【技术实现步骤摘要】
临时键合方法
本公开涉及半导体
，具体地，涉及一种临时键合方法。
技术介绍
为了提高集成电路的性能和集成度，已经开始在三维方向上对芯片进行集成。目前，多采用临时键合胶等聚合物材料进行临时键合，方法多为加热、激光、化学反应等。这种临时键合方法的缺点在于，材料成本高，应力大、以及解键合时间长等。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种临时键合方法，能够节省材料成本，降低解键合时间，而且不存在热应力。根据本公开的第一实施例，提供一种临时键合方法，包括：在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层；利用再布线的方式在所述保护层上形成嵌套结构的凸起结构；在用于临时键合的载板上形成所述嵌套结构的凹槽结构；以及将所述凹槽结构与所述凸起结构进行嵌套互锁。可选地，所述在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层，包括：在所述保护层上形成粘附层；在所述粘附层上进行负性光刻胶光刻，形成凹槽图形；在所述凹槽图形中沉积金属凸点层；去除所述光刻胶，并刻蚀所述粘附层，得到所述凸起结构。可选地，所述方法还包括：反复执行所述形成粘附层、所述负性光刻胶光刻和所述沉积金属凸点层的步骤，直至所述金属凸点层的厚度到达预设凸起结构厚度。可选地，所述预设凸起结构厚度大于20微米。可选地，所述粘附层的材料为TiW/Cu、Ti/Cu、Cr/Cu中的至少一者。可选地，所述凹槽结构的截面为倒梯形、三角形或直角形，所述凹槽结构的开口形状为六边形、五边形、正方形、三角形或圆形。可选地，所述在用于临时键合的载板上形成所述嵌套结构的凹槽结构，包括：在所述载板上形成硬掩模；对形成了所述硬掩模的所述载板进行光刻和湿法刻蚀，得到所述凹槽结构。可选地，所述方法还包括：在嵌套互锁后的所述衬底的背面上制备完成背部结构或背部器件之后，将所述衬底与所述载板解键合。可选地，所述将所述衬底与所述载板解键合，包括：利用吸附方式分别吸附所述衬底与所述载板，在吸附外力作用下将所述衬底与所述载板解键合。可选地，所述吸附方式为真空吸附、磁力吸附、毛细力吸附中的至少一者。本公开的技术方案具备如下优点：(1)由于是在衬底和载板上形成能够相互嵌套的结构来实现衬底与载板的临时键合，因此其不需要额外使用聚合物或者金属作为临时键合胶材料，从而节省了材料成本；(2)由于进行相互嵌套的结构的材料(也即衬底和载板的材料)相同，因此其不存在材料的热膨胀系数不匹配导致的热应力问题，提高了集成的可靠性；(3)由于临时键合时没有使用临时键合胶材料，所以在解键合时不需要进行加热、曝光、化学反应等等操作，大大降低了解键合时间。总体而言，根据本公开实施例的临时键合方法适合于晶圆级/芯片对晶圆/芯片对芯片的临时键合，而且键合芯片的类型不受限制，另外还能够大大促进三维集成的发展，特别是存在多种材料和界面的异构集成的发展。本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：图1是根据本公开一种实施例的临时键合方法的流程图。图2a-2j示出了根据本公开实施例的临时键合方法的剖面示意图。具体实施方式以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。图1是根据本公开一种实施例的临时键合方法的流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤S11至S14。在步骤S11中，在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层。保护层主要是用于在后续的步骤中对正面器件层进行保护，避免正面器件层受到损坏。保护层的材料可以是二氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺、苯丙环丁烯等等。保护层的厚度可以大于100纳米，例如可以为200纳米，以便于能够更好地起到保护作用。在步骤S12中，利用再布线的方式在保护层上形成嵌套结构的凸起结构。嵌套结构指的是构成嵌套结构的两个部分中的一个部分为凹槽结构、另一个部分为凸起结构，这样，当凸起结构嵌入凹槽结构中时两者能够相互嵌套并互锁，从而达到临时键合的目的。在衬底上形成凸起结构而不是凹槽结构，主要原因是为了减小应力。凸起结构的总厚度可以大于20微米，例如可以为30微米，以便于能够形成稳固的嵌套互锁。通常，凸起结构位于衬底的四周，而且其尺寸较大，这样便于利用对准的方式进行嵌套互锁。在步骤S13中，在用于临时键合的载板上形成嵌套结构的凹槽结构。凹槽结构的截面可以为倒梯形、三角形或直角形，凹槽结构的开口形状可以为六边形、五边形、正方形、三角形或圆形。但是本领域技术人员应当理解的是，凹槽结构的截面形状和开口形状实际上可以为任意形状，只要能够实现嵌套即可。另外，凹槽结构的深度可以大于20微米，例如可以为30微米，以便于能够形成稳固的嵌套互锁。在步骤S14中，将凹槽结构与凸起结构进行嵌套互锁。本领域技术人员应当理解的是，步骤S13可以在步骤S11之前、或者S12之前执行。也即，只要在步骤S14之前能够形成凹槽结构就行。本公开的技术方案具备如下优点：(1)由于是在衬底和载板上形成能够相互嵌套的结构来实现衬底与载板的临时键合，因此其不需要额外使用聚合物或者金属作为临时键合胶材料，从而节省了材料成本；(2)由于进行相互嵌套的结构的材料(也即衬底和载板的材料)相同，因此其不存在材料的热膨胀系数不匹配导致的热应力问题，提高了集成的可靠性；(3)由于临时键合时没有使用临时键合胶材料，所以在解键合时不需要进行加热、曝光、化学反应等等操作，大大降低了解键合时间。总体而言，根据本公开实施例的临时键合方法适合于晶圆级/芯片对晶圆/芯片对芯片的临时键合，而且键合芯片的类型不受限制，另外还能够大大促进三维集成的发展，特别是存在多种材料和界面的异构集成的发展。图2a-2j示出了根据本公开实施例的临时键合方法的剖面示意图。首先，在图2a中，在衬底1上形成正面器件层2，并然后在正面器件层2上形成保护层3。其中，可以采用沉积(例如，化学气相沉积、物理气相沉积等)的方法形成保护层3。衬底1的材料可以是硅、玻璃等。保护层3的材料可以是二氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺、苯丙环丁烯等等。然后，如图2b所示，在保护层3上形成粘附层4，并然后在粘附层4上进行负性光刻胶5光刻，形成凹槽图形6，例如可以制备厚度为例如7微米的倒梯形图形，倒梯形的角度可以达到30度。其中，粘附层4可以采用溅射蒸发等方法形成，其材料可以为TiW/Cu、Ti/Cu、Cr/Cu等。然后，如图2c所示，在凹槽图形6中沉积金属凸点层7。其中，金属凸点层7的高度可以小于倒梯形图形的厚度，例如倒梯形图形的厚度为7微米，则金属凸点层7的高度可以为6微米。通过重复图2b和2c中的操作，并使得再次制备的倒梯形图形的开口尺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种临时键合方法，其特征在于，包括：/n在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层；/n利用再布线的方式在所述保护层上形成嵌套结构的凸起结构；/n在用于临时键合的载板上形成所述嵌套结构的凹槽结构；以及/n将所述凹槽结构与所述凸起结构进行嵌套互锁。/n

【技术特征摘要】
1.一种临时键合方法，其特征在于，包括：
在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层；
利用再布线的方式在所述保护层上形成嵌套结构的凸起结构；
在用于临时键合的载板上形成所述嵌套结构的凹槽结构；以及
将所述凹槽结构与所述凸起结构进行嵌套互锁。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层，包括：
在所述保护层上形成粘附层；
在所述粘附层上进行负性光刻胶光刻，形成凹槽图形；
在所述凹槽图形中沉积金属凸点层；
去除所述光刻胶，并刻蚀所述粘附层，得到所述凸起结构。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：反复执行所述形成粘附层、所述负性光刻胶光刻和所述沉积金属凸点层的步骤，直至所述金属凸点层的厚度到达预设凸起结构厚度。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设凸起结构厚度大于20微米。


5.根据权利要求2至4中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述粘附...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卫，刘子玉，陈琳，孙清清，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31