Mini LED背光器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种Mini LED背光器件及其制备方法，其中，Mini LED背光器件中包括：分别与Mini LED芯片正负电极焊接的两个相互隔离的刚性导电基板结构，且两个刚性导电基板结构中与Mini LED芯片电极相对的下表面的间距大于芯片电极间的间距；围设于Mini LED芯片周围的高反射率白胶；及压制于Mini LED芯片上方的透镜。有效解决现有Mini LED背光器件中外露的铜因为氧化影响灯珠性能、切割过程中对刀片损耗较大等技术问题。

【技术实现步骤摘要】
MiniLED背光器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其是一种MiniLED背光器件及其制备方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，其发光原理是电激发光，即在PN结上加正向电流后，自由电子与空穴复合而发光，从而直接把电能转化为光能。LED，尤其是白光LED，作为一种新的照明光源材料被广泛应用着，它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展，目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。在LED封装中，基板中一般由铜支架作为电路，将多颗LED芯片置于该基板上进行封装，封装完成后，使用砂轮刀片进行切割分离得到LED灯珠。这一过程中，单颗灯珠的铜支架之间的铜是相连的，导致了切割得到单颗LED灯珠后支架侧面的铜外露，长期暴露会因为铜氧化而影响灯珠的性能，且切割过程中对刀片的损耗较大。
技术实现思路
为了克服以上不足，本专利技术提供了一种MiniLED背光器件及其制备方法，有效解决现有MiniLED背光器件中外露的铜因为氧化影响灯珠性能、切割过程中对刀片损耗较大等技术问题。本专利技术提供的技术方案为：本专利技术提供了一种MiniLED背光器件，包括：分别与MiniLED芯片正负电极焊接的两个相互隔离的刚性导电基板结构，且所述两个刚性导电基板结构中与MiniLED芯片电极相对的下表面的间距大于芯片电极间的间距；围设于所述MiniLED芯片周围的高反射率白胶；及压制于所述MiniLED芯片上方的透镜。本专利技术还提供了一种MiniLED背光器件制备方法，包括：在刚性支撑基板表面制备相互隔离的刚性导电基板，且针对同一MiniLED芯片的两个刚性导电基板中与芯片电极相对的下表面的间距大于芯片电极间的间距；在各刚性导电基板表面形成阻焊部和焊接部，所述焊接部位于端部与MiniLED的正负极适配；将MiniLED芯片焊接于所述刚性导电基板的焊接部；在MiniLED芯片周围围设高反射率白胶；在MiniLED芯片上方压制透镜；去除所述刚性支撑基板，切割得到单颗MiniLED背光器件。本专利技术提供的MiniLED背光器件及其制备方法，至少能够带来以下有益效果：1.刚性导电基板结构相互独立，其中的刚性导电基板不会出现外露的情况，故不存在氧化问题，且切割过程中不会对刀片出现较大损耗(不同MiniLED芯片之间的刚性导电基板之间无连接)，节约耗材及成本的同时，提高MiniLED背光器件的使用寿命。2.导电基板结构仅作为MiniLED芯片的支撑结构，无塑料或陶瓷，可重复利用，进而降低成本。3.通过该刚性导电基板结构扩开MiniLED芯片电极之间的距离，便于后续应用，降低由于MiniLED芯片电极间距过小导致芯片焊接出现问题的概率，从而扩展芯片的应用。附图说明图1为本专利技术一种实施例中MiniLED背光器件结构示意图；图2为本专利技术如图1所示MiniLED背光器件中刚性导电基板结构示意图；图3为本专利技术另一实施例中刚性导电基板结构示意图；图4为本专利技术使用如图4所示刚性导电基板的MiniLED背光器件结构示意图；图5(a)～图5(j)为本专利技术一实例中MiniLED背光器件制备方法流程图。附图说明：11/26-MiniLED芯片，12-刚性导电基板结构，13/28-高反射率白胶，14/27-透镜，15-焊接部，16-阻焊部，17-扩距部，18-刚性导电基板，21-第一导电层，22-导电连接层，23-第二导电层，24/25-绝缘材料。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术实施案例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。如图1所示为本专利技术提供的MiniLED背光器件一种实施例结构示意图，从图中可以看出，该MiniLED背光器件中包括：分别与MiniLED芯片11正负电极焊接的两个相互隔离的刚性导电基板结构12，且两个刚性导电基板结构中与MiniLED芯片电极相对的下表面的间距大于芯片电极间的间距；围设于MiniLED芯片周围的高反射率白胶13；及压制于MiniLED芯片上方的透镜14。对于MiniLED芯片芯片来说，正负电极之间的距离一般为100～200μm，由于间距过小，在后续背光应用将其焊接在底板的过程中存在一定困难，是以本实施例中，通过刚性导电基板结构对该间距扩开至300～350μm，便于后续应用。另外，由于目前不同灯珠的铜支架之间的铜是相连的，导致了切割得到单颗LED灯珠后支架侧面的铜外露，出现由于铜氧化影响灯珠性能及切割过程中对刀片的损耗较大的问题，本实施例中使用的刚性导电基板结构相互独立，避免了外露的同时切割过程中不会对刀片产生较大的损耗。该MiniLED背光器件使用的MiniLED芯片为倒装LED芯片，且本实施例仅示例性的给出了MiniLED背光器件的结构，在其他实施例中，器件中还可以包含其他结构，如设置于MiniLED芯片发光侧表面的荧光胶层，为提升出光亮度设计的其他出光结构等。高反射胶为内部掺杂有光反射颗粒(如二氧化钛)的硅胶，反射率大于95％，将其围设于MiniLED芯片周围将芯片四周出射的光反射回去，提高芯片的出光效率。如图2所示，每个刚性导电基板结构包括：刚性导电基板18、焊接部15及扩距部17，其中，焊接部15位于刚性导电基板18的上表面，且位于一侧端部，用于焊接MiniLED芯片11；扩距部位于刚性导电基板18的下表面与焊接部相对的端部，形成于刚性导电基板18本体上，且填充有绝缘材料。另一实施例中，每个刚性导电基板结构中还包括阻焊部16，为刚性导电基板的上表面除焊接部的区域，通过在刚性导电基板表面形成阻焊材料制备得到。在该刚性导电基板结构中，刚性导电基板(厚度为20～150μm)可以根据需要选定符合要求的基板，优选为铜片。刚性导电基板端部的扩距部(厚度2～10μm)可以选用腐蚀的方式进行制备，在腐蚀出来的扩距部中填充常规的绝缘材料即可，该绝缘材料可以根据实际应用进行选定，如选用光刻胶、聚酰亚胺材料等。由扩距部和焊接部设置在刚性导电基板的同一侧的不同表面，在焊接过程中，两个刚性导电基板的扩距部相对设置，在焊接部印刷锡膏，将MiniLED芯片固晶于锡膏表面进行回流焊接，以此将芯片电极之间的间距扩开，同时增加芯片焊盘的面积，便于后续背光应用。阻焊部通过在刚性导电基板表面印刷阻焊层制备得到，厚度为10～50μm。在另一实施例中，如图3所示，刚性导电基板从下至上包括第一导电层21、第二导电层23及至少一个用于连接第一导电层和第二导电层的导电连接层22，其中，第一导电层21的端部包括扩距部，第二导电层表面中与第一导电层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Mini LED背光器件，其特征在于，包括：/n分别与Mini LED芯片正负电极焊接的两个相互隔离的刚性导电基板结构，且所述两个刚性导电基板结构中与Mini LED芯片电极相对的下表面的间距大于芯片电极间的间距；/n围设于所述Mini LED芯片周围的高反射率白胶；及/n压制于所述Mini LED芯片上方的透镜。/n

【技术特征摘要】
1.一种MiniLED背光器件，其特征在于，包括：
分别与MiniLED芯片正负电极焊接的两个相互隔离的刚性导电基板结构，且所述两个刚性导电基板结构中与MiniLED芯片电极相对的下表面的间距大于芯片电极间的间距；
围设于所述MiniLED芯片周围的高反射率白胶；及
压制于所述MiniLED芯片上方的透镜。


2.如权利要求1所述的MiniLED背光器件，其特征在于，每个所述刚性导电基板结构包括：刚性导电基板、焊接部及扩距部，其中，所述焊接部位于刚性导电基板的上表面，且位于一侧端部，用于焊接MiniLED芯片；扩距部位于刚性导电基板的下表面与焊接部相对的端部，形成于刚性导电基板本体上，且填充有绝缘材料。


3.如权利要求2所述的MiniLED背光器件，其特征在于，每个所述刚性导电基板结构中还包括阻焊部，为刚性导电基板的上表面除焊接部的区域，通过在刚性导电基板表面形成阻焊材料制备得到。


4.如权利要求2或3所述的MiniLED背光器件，其特征在于，所述刚性导电基板从下至上包括第一导电层、第二导电层及至少一个用于连接第一导电层和第二导电层的导电连接层，其中，所述第一导电层的端部包括扩距部，所述第二导电层表面中与第一导电层相应的端部包括焊接部；且MiniLED背光器件两个刚性导电基板结构的刚性导电基板中第一导电层的扩距部之间填充有绝缘材料，各导电连接层之间填充有绝缘材料。


5.如权利要求4所述的MiniLED背光器件，其特征在于，各导电连接层之间填充的绝缘材料和第二导电层相接的表面还镀有钯金属层。


6.一种MiniLED背光器件制备方法，其特征在于，包括：
在刚性支撑基板表面制备相互隔离的刚性导电基板，且针对同一MiniLED芯片的两个刚性导电基板中与芯片电极相对的下表面的间距大于芯片电极间的间距；
在各刚性导电基板表面形成阻焊部和焊接部，所述焊接部位于端部与...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖伟民，梁伏波，
申请(专利权)人：江西省晶能半导体有限公司，江西省昌大光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36