【技术实现步骤摘要】
包括导电凸块的半导体封装件本申请要求于2019年9月11日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0112510号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种包括导电凸块的半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
在制造包括通过贯穿电极彼此电连接的半导体芯片的多芯片封装件中，在使用基底支撑系统将晶圆支撑在载体基底上之后，可以研磨晶圆的背面以减小晶圆的厚度。然而，因为晶圆在研磨工艺期间可能翘曲或损坏，所以晶圆的厚度可以安全地减小多少会存在限制。
技术实现思路
根据本公开的示例性实施例，半导体封装件包括包含第一贯穿电极的第一半导体芯片。第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上，并且第二半导体芯片包括第二贯穿电极。多个导电凸块置于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间，并且将第一贯穿电极和第二贯穿电极彼此电连接。填充支撑层覆盖第二半导体芯片的面对第一半导体芯片的第一表面，并且填充导电凸块之间的空间。粘合层设置在填充支撑层上，并且填...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n第一半导体芯片，包括第一贯穿电极；/n第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，并且包括第二贯穿电极；/n多个导电凸块，置于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间，所述多个导电凸块将第一贯穿电极和第二贯穿电极彼此电连接；/n填充支撑层，至少部分地覆盖第二半导体芯片的面对第一半导体芯片的第一表面，并且至少部分地填充所述多个导电凸块中的相邻导电凸块之间的空间；以及/n粘合层，设置在填充支撑层上并且至少部分地填充所述多个导电凸块中的相邻导电凸块之间的所述空间，并且将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此粘附。/n
【技术特征摘要】
20190911 KR 10-2019-01125101.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
第一半导体芯片，包括第一贯穿电极；
第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，并且包括第二贯穿电极；
多个导电凸块，置于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间，所述多个导电凸块将第一贯穿电极和第二贯穿电极彼此电连接；
填充支撑层，至少部分地覆盖第二半导体芯片的面对第一半导体芯片的第一表面，并且至少部分地填充所述多个导电凸块中的相邻导电凸块之间的空间；以及
粘合层，设置在填充支撑层上并且至少部分地填充所述多个导电凸块中的相邻导电凸块之间的所述空间，并且将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此粘附。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，填充支撑层至少部分地覆盖所述多个导电凸块中的每个导电凸块的上部和中部的侧表面，并且粘合层至少部分地覆盖所述多个导电凸块中的每个导电凸块的从填充支撑层突出的下部的侧表面。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，填充支撑层具有第一厚度，并且粘合层具有比第一厚度小的第二厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，填充支撑层包括环氧树脂，并且粘合层包括非导电膜。
5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的半导体封装件，其中，第二半导体芯片包括位于第一表面上的第一结合垫和位于与第一表面背对的第二表面上的第二结合垫，并且所述多个导电凸块中的每个导电凸块设置在第一结合垫上。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，第一结合垫和第二结合垫通过第二贯穿电极彼此电连接。
7.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的半导体封装件，其中，第二半导体芯片还包括层间绝缘层，层间绝缘层包括位于其外表面中的第一结合垫。
8.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括封装件基底，
其中，第一半导体芯片经由第二导电凸块安装在封装件基底上。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
第二填充支撑层，至少部分地覆盖第一半导体芯片的面对封装件基底的第三表面，并且至少部分地填充第二导电凸块中的相邻凸块之间的空间；以及
第二粘合层，设置在第二填充支撑层上，并且至少部分地填充第二导电凸块中的相邻凸块之间的所述空间，并且将第一半导体芯片和封装件基底彼此粘附。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片包括设置在第三表面上的第三结合垫和设置在与第三表面背对的第四表面上的第四结合垫，并且第二导电凸块设置在第三结合垫上。
11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
第一半导体芯片，包括：第一基底，包括第一表面以及与第一表面背对的第二表面；第一结合垫，设置在第一表面上；以及第一贯穿电极，穿透通过第一基底并电连接到第一结合垫；
第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片的第二表面上，第二半导体芯片包括：第二基底，包括第三表面以...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。