【技术实现步骤摘要】
一种NTC热敏电阻芯片及其制备方法
本申请涉及热敏电阻
，更具体地说，它涉及一种NTC热敏电阻芯片及其制备方法。
技术介绍
热敏电阻器是一种敏感元件，按照温度系数不同分为PTC(正温度系数热敏电阻器)和NTC(负温度系数热敏电阻器)，热敏电阻器的典型特点是对温度敏感不同，不同的温度下表现出不同的电阻值，PTC热敏电阻在温度越高时，电阻值越大，NTC热敏电阻在温度越高时，电阻值越低，他们同属于半导体器件。NTC热敏电阻是利用锰、钴、镍、铜、硅、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺制成的半导体陶瓷，具有对温度敏感、互换性好、响应快以及体积小等诸多优点，被广泛应用于温度控制、补偿、测量等方面。随着应用研究的广泛深入，发现NTC热敏电阻在使用过程中存在严重的老化问题，具体表现为：随着时间的推移，NTC热敏电阻室温阻值不稳定，即热敏指数(B值)和电阻值(R值)随使用时间的增加而变大。NTC热敏电阻老化现象容易导致热敏元器件的综合性能参数严重偏离设计值，极大的限制NTC热敏陶瓷材料在...
【技术保护点】
1.一种NTC热敏电阻芯片，其特征在于，由包含以下重量份的原料制成：/n538.28-538.38份 Mn
【技术特征摘要】
1.一种NTC热敏电阻芯片，其特征在于，由包含以下重量份的原料制成：
538.28-538.38份Mn3O4；
24.88-24.98份NiO；
436.69-436.79份Co3O4。
2.根据权利要求1所述的NTC热敏电阻芯片，其特征在于：所述原料的重量份如下：
538.33份Mn3O4；
24.93份NiO2；
436.74份Co3O4。
3.根据权利要求1-2任一项所述的NTC热敏电阻芯片，其特征在于，所述Co3O4由以下方法制成：将草酸钴置于氧化锆匣钵中，将氧化锆匣钵置于马弗炉中，从室温加热至800℃，升温时间为8-9h，再升温至850℃，升温时间为30-40min，在850℃下保温30-40min，冷却至75℃以下，制得Co3O4。
4.权利要求1-3任一项所述的NTC热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.称料：称取Mn3O4、NiO和Co3O4，混合，形成原料粉末，原料粉末的总量1000重量份，再称取990-1010重量份的蒸馏水、4.9-5.1重量份的分散剂和0.9-1.1重量份的消泡剂；
S2.混合：将蒸馏水、分散剂和消泡剂的混合物和原料粉末混合、研磨23-25h；
S3.干燥后粉碎、煅烧：将研磨后的物料在170-190℃下干燥20-25h，取出后粉碎28-35s，再将粉末在840-850℃下煅烧4-4.5h；
S4.微粉碎：将分散剂、消泡剂、离型剂、浓度为10.06-10.14%的PVA、蒸馏水和煅烧后的粉末混合均匀，研磨23-25h，分散剂和消泡剂的重量份为1.4-1.6，离型剂的重量份为2.9-3.1，PVA的重量份为99-101，蒸馏水的重量份为725-775；
S5.喷雾造粒：将微粉碎后的粉末进行喷雾造粒，制成原料颗粒，控制喷雾压强为0-0.2MPa，压差为0-0.4MPa，喷雾进口温度为190-200℃，出口温度为85-95℃，雾化转速为25-30r/min；
S6.压片成型：将雾化造粒后的原料颗粒过80目筛，压制成型，得到晶片；
S7.预烧结：将晶片在450-1050℃下烧结10h；
S8.烧结：将预烧结完的晶片进行烧结，温度控制如下：从室温以200℃/h速度升温至1000℃，再以100℃/h的速度升温至1200℃，保温8h，烧结完成后，冷却至室温；
S9.抛光、清洗：将晶片用研磨液进行表面抛光，再将...
【专利技术属性】
技术研发人员：鱼灌，金成慧，赵振波，张向营，
申请(专利权)人：青岛三元传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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