射频基板和同轴微带转换结构制造技术

本发明专利技术公开一种射频基板和同轴微带转换结构。该射频基板包括介质基板、设置在介质基板一侧面的接地板和设置在介质基板另一侧面的微带线，介质基板上设有用于装配同轴连接器的内导体的导体连接孔；其特征在于，射频基板还包括导体连接件和调整金属件；导体连接件与微带线相连，并设置在导体连接孔外围；调整金属件与微带线相连，并设置在导体连接件外围，与导体连接件之间形成间隙。本发明专利技术中，调整金属件与导体连接件之间形成有间隙，相当于引入一等效电感，从而降低同轴连接器20和微带线12之间连接转换时形成的等效电容C的电容值，进而对同轴连接器20和微带线12在连接转换时形成的的驻波比进行改善，并降低回波损耗和插入损耗。损耗。损耗。

【技术实现步骤摘要】
射频基板和同轴微带转换结构


[0001]本专利技术涉及射频电路
，尤其涉及一种射频基板和同轴微带转换结构。

技术介绍

[0002]在微波电路中，同轴线和微带线是微波系统中常见的微波传输线。同轴线以其频带宽、屏蔽性好、结构简单和可弯曲性等特性，常被用作模块或者系统之间连接的传输线。微带线是混合微波集成电路(Hybrid Microwave Integrated Circuit，简称HMIC)和单片微波集成系统(Monolithic Microwave Integrated Circuit，简称MMIC)使用最多的一种平面传输线，且容易其他无源微波电路和有源电路器件集成。为了实现微带线和同轴线之间信号传输，在微波系统中不可避免地采用同轴连接器连接微带线和同轴线，实现微带同轴转换。
[0003]一般来说，同轴连接器包括外导体和设置在所述外导体内的内导体，将同轴连接器的内导体与微带线连接，将同轴连接器的外导体与微带线对应的接地板连接，即可形成一个典型微带同轴转换的过渡结构。从传输线所传播的电磁波模式来看，同轴线传输的是横电磁波(TEM)，而微带线传输的是准横电磁波(Quasi TEM)，两种不同的传输线形式在连接时，即在同轴连接器与微带线的连接处，将会产生不连续，影响其驻波比，且插入损耗和回波损耗较大，并且，随着频率的逐渐增高，这一影响将会变得更为明显。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种射频基板和同轴微带转换结构，以解决现有微带同轴转换过程中存在不连线和回波损耗较大的问题。r/>[0005]本专利技术提供一种射频基板，包括介质基板、设置在所述介质基板一侧面的接地板和设置在所述介质基板另一侧面的微带线，所述介质基板上设有用于装配同轴连接器的内导体的导体连接孔；所述射频基板还包括导体连接件和调整金属件；所述导体连接件与所述微带线相连，并设置在所述导体连接孔外围；所述调整金属件与所述微带线相连，并设置在所述导体连接件外围，与所述导体连接件之间形成间隙。
[0006]优选地，所述调整金属件与所述导体连接件之间的间隙宽度，被配置为与所述介质基板的厚度成反比。
[0007]优选地，所述调整金属件的宽度被配置为与所述介质基板的厚度成反比，和/或所述调整金属件的长度被配置为与所述介质基板的厚度成正比。
[0008]优选地，所述导体连接件为环形金属件；所述调整金属件为闭合环形件或者非闭合环形件。
[0009]优选地，所述调整金属件呈圆形或者矩形。
[0010]优选地，所述介质基板上还设有用于固定同轴连接器的外导体的至少两个导体固定孔，所述调整金属件位于所述导体连接孔与所述导体固定孔之间。
[0011]优选地，所述介质基板上还设有用于固定同轴连接器的外导体的至少两个导体固
定槽，所述导体固定槽设置在所述介质基板上所述接地板所在侧面。
[0012]本专利技术还提供一种同轴微带转换结构，包括同轴连接器和上述射频基板，所述同轴连接器包括外导体和设置在所述外导体内的内导体，所述内导体装配在所述导体连接孔内并与所述导体连接件电连接；所述外导体与所述接地板相连。
[0013]优选地，所述介质基板上还设有用于固定同轴连接器的外导体的至少两个导体固定孔，所述调整金属件位于所述导体连接孔与所述导体固定孔之间；
[0014]所述外导体沿轴向方向延伸出连接销，所述连接销装配在所述导体固定孔内并与所述介质基板固定。
[0015]优选地，所述介质基板上还设有用于固定同轴连接器的外导体的至少两个导体固定槽，所述导体固定槽设置在所述介质基板上所述接地板所在侧面；
[0016]所述外导体沿径向方向延伸出连接部件，所述连接部件上设有与所述导体固定槽数量相匹配的固定连接孔；
[0017]所述同轴微带转换结构还包括固定连接件，所述固定连接件穿过所述固定连接孔装配在所述导体固定槽内。
[0018]本专利技术实施例提供一种射频基板和同轴微带转换结构，同轴连接器和微带线之间相当于并联一个等效电容，随着频率的增加，电容的电纳越来越大，部分传输信号开始被反射，造成同轴连接器和微带线在连接转换时形成的驻波比和插入损耗明显增大，为了克服这一问题，在射频基板的导体连接件外围设置有与微带线相连的调整金属件，调整金属件与导体连接件之间形成有间隙，相当于引入一等效电感，从而降低同轴连接器和微带线在连接转换时形成的等效电容的电容值，进而对同轴连接器和微带线在连接转换时的驻波比进行改善，并降低回波损耗和插入损耗。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本专利技术一实施例中同轴微带转换结构的一示意图；
[0021]图2是本专利技术一实施例中射频基板的一示意图；
[0022]图3是本专利技术一实施例中射频基板的另一示意图。
[0023]图中：10、射频基板；11、介质基板；12、微带线；13、接地板；14、导体连接孔；15、导体连接件；16、调整金属件；17、导体固定孔；20、同轴连接器；21、内导体；22、外导体；23、连接销。
具体实施方式
[0024]为了使本专利技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0025]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“径向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、
“
上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0026]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0027]本专利技术实施例提供一种射频基板10，如图1-图3所示，射频基板10包括介质基板11、设置在介质基板11一侧面的接地板13和设置在介质基板11另一侧面的微带线12，介质基板11上设有用于装配同轴连接器20的内导体21的导体连接孔14；射频基板10还包括导体连接件15和调整金属件16；导体连接件15与微带线12相连，并设置在导体连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频基板，包括介质基板、设置在所述介质基板一侧面的接地板和设置在所述介质基板另一侧面的微带线，所述介质基板上设有用于装配同轴连接器的内导体的导体连接孔；其特征在于，所述射频基板还包括导体连接件和调整金属件；所述导体连接件与所述微带线相连，并设置在所述导体连接孔外围；所述调整金属件与所述微带线相连，并设置在所述导体连接件外围，与所述导体连接件之间形成间隙。2.如权利要求1所述的射频基板，其特征在于，所述调整金属件与所述导体连接件之间的间隙宽度，被配置为与所述介质基板的厚度成反比。3.如权利要求1所述的射频基板，其特征在于，所述调整金属件的宽度被配置为与所述介质基板的厚度成反比，和/或所述调整金属件的长度被配置为与所述介质基板的厚度成正比。4.如权利要求1所述的射频基板，其特征在于，所述导体连接件为环形金属件；所述调整金属件为闭合环形件或者非闭合环形件。5.如权利要求4所述的射频基板，其特征在于，所述调整金属件呈圆形或者矩形。6.如权利要求1所述的射频基板，其特征在于，所述介质基板上还设有用于固定同轴连接器的外导体的至少两个导体固定孔，所述调整金属件位于所述导体连接孔与所述导体固定孔之间。7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷传球，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：