用于毫米波的转接结构以及多层转接结构制造技术

技术编号:27439229 阅读:67 留言:0更新日期:2021-02-25 03:39
本发明专利技术提供一种用于毫米波的转接结构以及多层转接结构,其包括耦接于第一传输线的末端的第一层信号元件,以及以离第一传输线的条状本体与末端等距的方式沿着第一传输线的条状本体的相对两侧配置与围绕第一传输线的末端的多个第一层接地元件。转接结构又包括耦接第一层信号元件的中间层信号元件,以及以准同轴的方式围绕中间层信号元件的多个接地元件。本发明专利技术又提供一种用于毫米波的包括多层结构及转接结构的多层转接结构。本发明专利技术可克服多层结构的厚度对于操作频率所造成的影响,进而提高多层结构的共振频率。高多层结构的共振频率。高多层结构的共振频率。

【技术实现步骤摘要】
用于毫米波的转接结构以及多层转接结构


[0001]本专利技术涉及一种转接结构以及多层转接结构,详而言之,尤其涉及一种用于毫米波的转接结构以及多层转接结构。

技术介绍

[0002]在现今5G通信时代,新世代移动通信(next generation mobile)技术在例如自动汽车(V2X)、边缘计算或人工智能物联网(AIoT)等各种应用中发挥着关键作用。3GPP第15版(Release 15)定义了5G新无线电(5G New Radio,5G NR)移动通信标准,即对于6GHz以下的频谱与毫米波频带,区分为第一型频率范围(Frequency Ranges 1;FR1)与第二型频率范围(Frequency Ranges 2;FR2),FR1频段范围为450-6000MHz,FR2频段范围则为24250-52600MHz。
[0003]于现有技术中,用于毫米波频带的垂直转接结构如图1A和图1B所示。一般而言,垂直转接结构可用于多层电路板的转接,例如总厚度大约1.151mm的电路板。垂直转接结构可包括一个信号接脚(signal pin)11和两个接地接脚(ground pin)13,而两个传输线12分别耦接于信号接脚11的两端。通常可借由调整接地接脚13与信号接脚11之间的间隙14来改变阻抗,间隙14越小则阻抗越小。此外,调整信号接脚11或接地接脚13的直径也可改变阻抗,直径越小阻抗越大。另外,调整信号接脚11或接地接脚13的高度也可改变阻抗,高度越小操作频率越高。
[0004]换言之,在垂直转接结构中,间隙14和接脚的直径和高度影响着操作频率。然而,如图1C所示的垂直转接结构的透射系数(transmission coefficient)—频率(Frequency)曲线图可发现,在频率21GHz附近产生了共振点。此外,图1C为示出不同间隙的透射系数—频率曲线图,自上至下分别为间隙14mil、10mil、6mil、2mil,在频率约20GHz开始有插入损耗(insertion losses),到频率约23GHz左右插入损耗有4到10dB不等,而不利于5G通信的传输。
[0005]因此,如何改善转接结构的操作频率,同时克服电路板厚度的影响,为目前业界急待解决的议题之一。

技术实现思路

[0006]本专利技术实施例公开一种用于毫米波的转接结构以及多层转接结构,能克服多层结构的厚度对于操作频率所造成的影响。
[0007]本专利技术的一实施例公开一种用于毫米波的转接结构,包括:第一层信号元件,其耦接设在多层结构的第一层的第一传输线的末端;以及多个第一层接地元件,其耦接该多层结构的第一层并围绕该第一传输线的条状本体及该末端。此外,部分该多个第一层接地元件以离该第一传输线的末端等距的方式围绕该第一传输线的末端,且部分该多个第一层接地元件以离该第一传输线的条状本体等距的方式沿着该第一传输线的条状本体的相对两侧配置。
[0008]于另一实施例中,该转接结构还包括:第二层接地元件,其耦接该多层结构中设有第二传输线的第二层,且该多个第二层接地元件围绕该第二传输线的条状本体及该第二传输线的末端,而该第二传输线的末端耦接至该第一层信号元件。此外,部分该多个第二层接地元件以离该第二传输线的末端等距的方式围绕该第二传输线的末端,且部分该多个第二层接地元件以离该第二传输线的条状本体等距的方式沿着该第二传输线的条状本体的相对两侧配置。另外,该第一传输线与该第二传输线朝相反方向延伸,且以该第一传输线的末端与该第二传输线的末端的连线为轴线,而该轴线贯穿该第一层信号元件,该多个第一层接地元件与该多个第二层接地元件共同(如完整地)围绕该第一层信号元件。
[0009]于又一实施例中,该转接结构还包括:中间层信号元件,其耦接该第一层信号元件;以及多个中间层接地元件,其耦接该多层结构中在该第一层与该第二层之间的中间层,且该多个中间层接地元件以准同轴的方式围绕该中间层信号元件。
[0010]于再一实施例中,该转接结构还包括:第三层信号元件,其耦接至该第一层信号元件;以及多个第三层接地元件,其耦接该多层结构中在该第一层与该第二层之间的第三层,且该第三层具有对应该第二传输线的第三空腔,而该多个第三层接地元件沿着该第三空腔的边缘配置。此外,该多个第三层接地元件以离该第三空腔的边缘等距的方式沿着该第三空腔的边缘配置。
[0011]本专利技术公开一种用于毫米波的多层转接结构,包括:多层结构,包括具有第一传输线的第一层;以及转接结构,包括耦接该多层结构的第一层的第一层信号元件及多个第一层接地元件,且该第一层信号元件耦接该第一传输线的末端,而该多个第一层接地元件围绕该第一传输线的条状本体及该末端。此外,部分该多个第一层接地元件以离该第一传输线的末端等距的方式围绕该第一传输线的末端,且部分该多个第一层接地元件以离该第一传输线的条状本体等距的方式沿着该第一传输线的条状本体的相对两侧配置。
[0012]于另一实施例中,该多层结构包括具有第二传输线的第二层,该第二传输线耦接至该第一层信号元件;以及该转接结构包括耦接该多层结构的第二层的多个第二层接地元件,且该多个第二层接地元件围绕该第二传输线的条状本体及该第二传输线的末端。此外,部分该多个第二层接地元件以离该第二传输线的末端等距的方式围绕该第二传输线的末端,且部分该多个第二层接地元件以离该第二传输线的条状本体等距的方式沿着该第二传输线的条状本体的相对两侧配置。此外,该第一传输线与该第二传输线朝相反方向延伸,且以该第一传输线的末端与该第二传输线的末端的连线为轴线,而该轴线贯穿该第一层信号元件,该多个第一层接地元件与该多个第二层接地元件共同(如完整地)围绕该第一层信号元件。
[0013]于又一实施例中,该多层结构包括在该第一层与该第二层之间的中间层;该转接结构包括中间层信号元件以及多个中间层接地元件,且该中间层信号元件耦接该第一层信号元件,而该多个中间层接地元件以准同轴的方式围绕该中间层信号元件。
[0014]于再一实施例中,该多层结构包括在该第一层与该第二层之间的第三层,该第三层具有对应该第二传输线的第三空腔;以及该转接结构包括第三层信号元件及多个第三层接地元件,且该第三层信号元件耦接至该第一层信号元件,而该多个第三层接地元件沿着该第三空腔的边缘配置。此外,该多个第三层接地元件以离该第三空腔的边缘等距的方式沿着该第三空腔的边缘配置。
[0015]此外,该第一层信号元件可为信号通孔或信号贯孔,该多个第一层接地元件可为接地通孔或接地贯孔。另外,该多层结构的第一层形成有第一空腔以容置该第一传输线,该多个第一层接地元件以离该第一空腔的边缘等距的方式沿着该第一空腔的边缘配置,而该多层结构的第二层形成有第二空腔以容置该第二传输线,该多个第二层接地元件以离该第二空腔的边缘等距的方式沿着该第二空腔的边缘配置,且该第一空腔与该第二空腔朝相反方向开口。
[0016]本专利技术的有益效果在于,本专利技术的用于毫米波的转接结构及多层转接结构,可将微带线转接至平面阵列网格,借由第一层信号元件与围绕第一层信号元件本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于毫米波的转接结构,其特征在于,包括:第一层信号元件,其耦接设在多层结构的第一层的第一传输线的末端;以及多个第一层接地元件,其耦接该多层结构的第一层并围绕该第一传输线的条状本体及该末端。2.如权利要求1所述的转接结构,其特征在于,部分该多个第一层接地元件以离该第一传输线的末端等距的方式围绕该第一传输线的末端,且部分该多个第一层接地元件以离该第一传输线的条状本体等距的方式沿着该第一传输线的条状本体的相对两侧配置。3.如权利要求1所述的用于毫米波的转接结构,其特征在于,该转接结构还包括:多个第二层接地元件,其耦接该多层结构中设有第二传输线的第二层,且该多个第二层接地元件围绕该第二传输线的条状本体及该第二传输线的末端,而该第二传输线的末端耦接至该第一层信号元件。4.如权利要求3所述的用于毫米波的转接结构,其特征在于,部分该多个第二层接地元件以离该第二传输线的末端等距的方式围绕该第二传输线的末端,且部分该多个第二层接地元件以离该第二传输线的条状本体等距的方式沿着该第二传输线的条状本体的相对两侧配置。5.如权利要求3所述的用于毫米波的转接结构,其特征在于,该第一传输线与该第二传输线朝相反方向延伸,且以该第一传输线的末端与该第二传输线的末端的连线为轴线,而该轴线贯穿该第一层信号元件,该多个第一层接地元件与该多个第二层接地元件共同围绕该第一层信号元件。6.如权利要求3所述的用于毫米波的转接结构,其特征在于,该转接结构还包括:第三层信号元件,其耦接至该第一层信号元件;以及多个第三层接地元件,其耦接该多层结构中在该第一层与该第二层之间的第三层,且该第三层具有对应该第二传输线的第三空腔,而该多个第三层接地元件沿着该第三空腔的边缘配置。7.如权利要求6所述的用于毫米波的转接结构,其特征在于,该多个第三层接地元件以离该第三空腔的边缘等距的方式沿着该第三空腔的边缘配置。8.如权利要求3所述的用于毫米波的转接结构,其特征在于,该转接结构还包括:中间层信号元件,其耦接该第一层信号元件;以及多个中间层接地元件,其耦接该多层结构中在该第一层与该第二层之间的中间层,且该多个中间层接地元件以准同轴的方式围绕该中间层信号元件。9.如权利要求1所述的用于毫米波的转接结构,其特征在于,该第一层信号元件为信号通孔或信号贯孔,该多个第一层接地元件为接地通孔或接地贯孔。10.一种用于毫米波的多层转接结构,其特征在于,包括:多层结构,包括具有第一传输线的第一层;以及转接结构,包括耦接该多层结构的第一层的第一层信号元件及多个第一层接地元件,且该第一层信号元件耦接该第一传输线的末端,而该多个第一层接地元件围绕该第一传输线的条状本体及该末端...

【专利技术属性】
技术研发人员:张书维林决仁蔡文才洪子杰戴扬方建喆黄柏嘉江资闻徐绍钧林育丞陈为旸
申请(专利权)人:稜研科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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