本实用新型公开了一种杂物电梯门锁，包括轿厢、上层门和下层门，上层门上设有拉手滑块，拉手滑块的上端设有第一复位弹簧，拉手滑块的上端通过第一连接杆与开门滑块连接，开门滑块的上方设有限位挡块，限位挡块通过第二复位弹簧与挡板连接，限位挡块还通过...

本发明提出一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT(高电子迁移 率晶体管)的制作方法，此方法适用于需要同时集成增强型HEMT和耗尽 型HEMT的InP基集成电路。其特征在于：a)在InAlAs有源层和n+InGaAs 帽层之间生长双...