功率放大器及射频前端模组制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率放大器及射频前端模组，该功率放大器包括谐波抑制网络、第一功率放大晶体管和谐波控制电路；第一功率放大晶体管；谐波控制电路与第一功率放大晶体管的输出节点相连；谐波控制电路包括并联谐波控制电路和串联谐波控制电路，并联谐波控制电路被配置为对第一功率放大晶体管的输出节点上的谐波信号开路，串联谐波控制电路被配置为对第一功率放大晶体管的输出节点上的谐波信号短路；谐波抑制网络与第一功率放大晶体管的输入节点相连接，被配置对第一功率放大晶体管的输入节点上的谐波信号进行抑制。本技术方案能够在保证功率放大器具有较高输出功率和效率的同时，还具有较高的线性度。还具有较高的线性度。还具有较高的线性度。

【技术实现步骤摘要】
功率放大器及射频前端模组


[0001]本技术涉及射频
，尤其涉及一种功率放大器及射频前端模组。

技术介绍

[0002]伴随着通信技术的不断发展，人们对于通信技术的要求越来越高，而功率放大器作为通信收发系统中重要组成部分也越来越受到人们重视。由于功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率，因此，功率放大器一般选择具有较高输出功率和效率的F类功率放大器或逆F类功率放大器。然而，虽然F类功率放大器或逆F类功率放大器具有较高输出功率和效率，但是F类功率放大器或逆F类功率放大器的线性度较差。因此，如何在保证功率放大器的输出功率和效率的同时，提高功率放大器的线性度为射频
中亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供一种功率放大器及射频前端模组，以解决功率放大器的线性度较低的问题。
[0004]一种功率放大器，包括谐波抑制网络、第一功率放大晶体管和谐波控制电路；
[0005]所述第一功率放大晶体管，被配置接收射频输入信号，对所述射频输入信号进行放大处理，输出射频放大信号；
[0006]所述谐波控制电路与所述第一功率放大晶体管的输出节点相连；
[0007]所述谐波控制电路包括并联谐波控制电路和串联谐波控制电路，所述并联谐波控制电路被配置为对所述第一功率放大晶体管的输出节点上的谐波信号开路，所述串联谐波控制电路被配置为对所述第一功率放大晶体管的输出节点上的谐波信号短路；
[0008]所述谐波抑制网络与所述第一功率放大晶体管的输入节点相连接，被配置对所述第一功率放大晶体管的输入节点上的谐波信号进行抑制。
[0009]进一步地，若所述串联谐波控制电路被配置为对所述输出节点的偶次谐波信号短路，所述并联谐波控制电路被配置为对所述输出节点上的奇次谐波信号开路，则所述谐波抑制网络被配置为对所述输入节点上的奇次谐波信号进行抑制。
[0010]进一步地，若所述串联谐波控制电路被配置为对所述输出节点的奇次谐波信号短路，所述并联谐波控制电路被配置为对所述输出节点上的偶次谐波信号开路，则所述谐波抑制网络被配置为对所述输入节点上的偶次谐波信号进行抑制。
[0011]进一步地，所述偶次谐波信号为二次谐波信号，所述奇次谐波信号为三次谐波信号。
[0012]进一步地，所述第一功率放大晶体管为三极管，所述谐波抑制网络串联在所述第一功率放大晶体管的输入节点，所述谐波抑制网络包括并联连接的第一电容和第一电感。
[0013]进一步地，所述第一功率放大晶体管为场效应管，所述谐波抑制网络的一端与所述第一功率放大晶体管的输入节点相连接，另一端与接地端相连接，所述谐波抑制网络包
括串联连接的第一电容和第一电感。
[0014]进一步地，所述并联谐波控制电路串联在所述第一功率放大晶体管的输出节点，所述并联谐波控制电路包括并联连接的第二电感和第二电容。
[0015]进一步地，所述串联谐波控制电路的一端与所述第一功率放大晶体管的输出节点相连，另一端与接地端相连，所述串联谐波控制电路包括串联连接的第三电感和第三电容。
[0016]进一步地，所述功率放大器还包括第二功率放大晶体管，所述谐波抑制网络的一端与所述第二功率放大晶体管的输出节点相连，另一端与所述第一功率放大晶体管的输入节点相连接。
[0017]一种射频前端模组，包括上述述的功率放大器。
[0018]上述功率放大器及射频前端模组，功率放大器包括谐波抑制网络、第一功率放大晶体管和谐波控制电路；第一功率放大晶体管被配置接收射频输入信号，对射频输入信号进行放大处理，输出射频放大信号；谐波控制电路与第一功率放大晶体管的输出节点相连；谐波控制电路包括并联谐波控制电路和串联谐波控制电路，并联谐波控制电路被配置为对第一功率放大晶体管的输出节点上的谐波信号开路，串联谐波控制电路被配置为对第一功率放大晶体管的输出节点上的谐波信号短路；谐波抑制网络与第一功率放大晶体管的输入节点相连接被配置对第一功率放大晶体管的输入节点上的谐波信号进行抑制。本申请通过谐波控制电路使功率放大器工作在F类状态或者逆F类状态，从而使得功率放大器具有较高的输出功率和效率，且将谐波抑制网络与第一功率放大晶体管的输入节点相连接，以对第一功率放大晶体管的输入节点上的谐波信号进行抑制，使第一功率放大晶体管的输出节点上呈现出的电压波形和电流波形能够不重叠，从而实现提高功率放大器的功率回退效率，进而在保证功率放大器在具有较高输出功率和效率的同时，还具有较高的线性度。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本技术一实施例中功率放大器的一电路示意图；
[0021]图2是本技术一实施例中功率放大器的另一电路示意图；
[0022]图3是本技术一实施例中功率放大器的另一电路示意图；
[0023]图4是本技术一实施例中功率放大器的另一电路示意图。
[0024]图中：10、谐波抑制网络；20、第一功率放大晶体管；30、谐波控制电路；31、并联谐波控制电路；32、串联谐波控制电路；40、第二功率放大晶体管。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]应当理解的是，本技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0027]应当明白，当元件或层被称为“在
…
上”、“与
…
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
…
上”、“与
…
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器，其特征在于，包括谐波抑制网络、第一功率放大晶体管和谐波控制电路；所述第一功率放大晶体管，被配置接收射频输入信号，对所述射频输入信号进行放大处理，输出射频放大信号；所述谐波控制电路与所述第一功率放大晶体管的输出节点相连；所述谐波控制电路包括并联谐波控制电路和串联谐波控制电路，所述并联谐波控制电路被配置为对所述第一功率放大晶体管的输出节点上的谐波信号开路，所述串联谐波控制电路被配置为对所述第一功率放大晶体管的输出节点上的谐波信号短路；所述谐波抑制网络与所述第一功率放大晶体管的输入节点相连接，被配置对所述第一功率放大晶体管的输入节点上的谐波信号进行抑制。2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，若所述串联谐波控制电路被配置为对所述输出节点的偶次谐波信号短路，所述并联谐波控制电路被配置为对所述输出节点上的奇次谐波信号开路，则所述谐波抑制网络被配置为对所述输入节点上的奇次谐波信号进行抑制。3.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，若所述串联谐波控制电路被配置为对所述输出节点的奇次谐波信号短路，所述并联谐波控制电路被配置为对所述输出节点上的偶次谐波信号开路，则所述谐波抑制网络被配置为对所述输入节点上的偶次谐波信号进行抑制。4.如权利要求2或3所述的功率放大器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李铖，赖晓蕾，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：