射频功率放大芯片和射频前端模组制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射频功率放大芯片和射频前端模组，该射频功率放大芯片，包括晶体管阵列和至少一个金属凸块，晶体管阵列被配置为接收射频输入信号并进行信号放大处理；金属凸块用于与接地端相连；至少部分金属凸块与晶体管阵列中晶体管的发射极区域抵接。本技术方案减少射频功率放大芯片的损耗，同时提高射频功率放大芯片的散热能力，进而提高射频功率放大芯片的性能。放大芯片的性能。放大芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】
射频功率放大芯片和射频前端模组


[0001]本技术涉及射频
，尤其涉及一种射频功率放大芯片和射频前端模组。

技术介绍

[0002]在无线通信系统中，射频功率放大芯片的作用越来越重要，其被普遍地应用在无线远程通信、定位导航、卫星通信等系统中。在射频前端模组中，射频功率放大芯片作为信号发射机的重要模块，其工作带宽、输出功率、附加效率以及其线性度等性能决定了无线通信系统的质量。
[0003]射频功率放大芯片主要是利用晶体管的电流控制作用，或者射频功率放大芯片中的场效应管的电压控制作用，将电源的功率转换为根据输入信号变化的电流。然而，当该射频功率放大芯片应用在射频前端模组中时，现有的射频功率放大芯片中晶体管阵列的每一晶体管连接到功率放大电路中的连接方式会导致射频功率放大芯片产生较大的损耗，从而对无线通信系统的性能造成不利的影响。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供一种射频功率放大芯片和射频前端模组，以解决射频功率放大芯片的损耗较大的问题。
[0005]一种射频功率放大芯片，包括晶体管阵列和至少一个金属凸块，所述晶体管阵列被配置为接收射频输入信号并进行信号放大处理；
[0006]所述金属凸块用于与接地端相连；
[0007]至少部分所述金属凸块与所述晶体管阵列中晶体管的发射极区域抵接。
[0008]进一步地，所述金属凸块的数量小于或等于所述所述晶体管阵列中所述晶体管的数量。
[0009]进一步地，所述晶体管阵列中的所述晶体管呈间隔排布。
[0010]进一步地，所述至少一个金属凸块包括第一金属凸块，所述晶体管阵列包括第一晶体管；所述第一晶体管的发射极区域与所述第一金属凸块抵接。
[0011]进一步地，所述晶体管阵列还包括第二晶体管，所述第二晶体管的发射极区域与所述第一金属凸块抵接。
[0012]进一步地，所述至少一个金属凸块还包括第二金属凸块；所述晶体管阵列还包括第二晶体管；
[0013]所述第二晶体管的发射极区域与所述第二金属凸块抵接。
[0014]进一步地，所述晶体管阵列还包括第三晶体管，所述第三晶体管的发射极区域通过金属导线与所述第一金属凸块电连接。
[0015]进一步地，所述金属凸块的材质为铜。
[0016]进一步地，所述射频功率放大芯片还包括供电金属凸块，所述供电金属凸块与供
电端相连；所述晶体管阵列中的至少一个所述晶体管的集电极区域与所述供电金属凸块抵接。
[0017]一种射频功率放大芯片，包括晶体管阵列和至少一个金属凸块，所述晶体管阵列被配置为接收射频输入信号并进行信号放大处理；
[0018]所述金属凸块用于与接地端相连；
[0019]所述晶体管阵列中的至少部分晶体管的发射极区域限定一个虚拟矩形区域，所述金属凸块均匀分布在所述虚拟矩形区域中，以使所述至少部分晶体管中的每个晶体管的发射极区域到邻近金属凸块的距离之差小于第一预设值；所述至少部分晶体管中的每个晶体管的发射极区域通过金属导线与邻近金属凸块电连接。
[0020]进一步地，所述第一预设值小于所述晶体管阵列中相邻两个晶体管的发射极区域的间距D的十分之一。
[0021]进一步地，所述至少部分晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述至少一个金属凸块包括第一金属凸块；所述第一金属凸块设置在所述第一晶体管的发射极区域和所述第二晶体管的发射极区域之间。
[0022]进一步地，所述至少部分晶体管包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述至少一个金属凸块包括第一金属凸块和第二金属凸块，所述第一金属凸块设置在所述第一晶体管的发射极区域和所述第二晶体管的发射极区域之间；所述第二金属凸块设置在所述第二晶体管和所述第三晶体管之间。
[0023]一种射频前端模组，包括基板和上述的射频功率放大芯片；所述射频功率放大芯片采用倒扣工艺设置在所述基板上。
[0024]上述射频功率放大芯片和射频前端模组，射频功率放大芯片包括晶体管阵列和至少一个金属凸块，晶体管阵列被配置为接收射频输入信号并进行信号放大处理；金属凸块用于与接地端相连；至少部分金属凸块与晶体管阵列中晶体管的发射极区域抵接。由于晶体管的发射极区域是直接与接地的金属凸块抵接的方式接地的，同时该金属凸块还具有一定的散热能力，因此将至少部分金属凸块与晶体管阵列中晶体管的发射极区域抵接，能够减少射频功率放大芯片的损耗，同时提高射频功率放大芯片的散热能力，进而提高射频功率放大芯片的性能。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1是本技术一实施例中射频功率放大芯片的一电路示意图；
[0027]图2是本技术一实施例中射频功率放大芯片的另一电路示意图；
[0028]图3是本技术一实施例中射频功率放大芯片的另一电路示意图；
[0029]图4是本技术一实施例中射频功率放大芯片的另一电路示意图；
[0030]图5是本技术一实施例中射频功率放大芯片的另一电路示意图；
[0031]图6是本技术一实施例中射频功率放大芯片的另一电路示意图；
[0032]图7是本技术一实施例中射频功率放大芯片的另一电路示意图；
[0033]图8是本技术一实施例中射频功率放大芯片的另一电路示意图。
[0034]图中：10、射频功率放大芯片；20、晶体管阵列；30、金属凸块；31、第一金属凸块；32、第二金属凸块；40、供电金属凸块；50、发射极区域；60、集电极区域；70、虚拟矩形区域。
具体实施方式
[0035]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0036]应当理解的是，本技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0037]应当明白，当元件或层被称为“在
…
上”、“与
…
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
…
上”、“与
…
直接相邻”、“直接连接到”或“直接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大芯片，其特征在于，包括晶体管阵列和至少一个金属凸块，所述晶体管阵列被配置为接收射频输入信号并进行信号放大处理；所述金属凸块用于与接地端相连；至少部分所述金属凸块与所述晶体管阵列中晶体管的发射极区域抵接。2.如权利要求1所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述金属凸块的数量小于或等于所述所述晶体管阵列中所述晶体管的数量。3.如权利要求2所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述晶体管阵列中的所述晶体管呈间隔排布。4.如权利要求3所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述至少一个金属凸块包括第一金属凸块，所述晶体管阵列包括第一晶体管；所述第一晶体管的发射极区域与所述第一金属凸块抵接。5.如权利要求4所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述晶体管阵列还包括第二晶体管，所述第二晶体管的发射极区域与所述第一金属凸块抵接。6.如权利要求4所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述至少一个金属凸块还包括第二金属凸块；所述晶体管阵列还包括第二晶体管；所述第二晶体管的发射极区域与所述第二金属凸块抵接。7.如权利要求4所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述晶体管阵列还包括第三晶体管，所述第三晶体管的发射极区域通过金属导线与所述第一金属凸块电连接。8.如权利要求1所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述金属凸块的材质为铜。9.如权利要求1所述的射频功率放大芯片，其特征在于，所述射频功率放大芯片还包括供电金属凸块，所述供电金属凸块与供电端相连；所述晶体管阵列中的至少一个所述晶体管的集电极区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖晓蕾，滕鑫，方建，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：