一种改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法技术

本发明专利技术提供一种改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法，提供刻蚀腔体，刻蚀腔体内的底部设有与干泵连接的钟摆阀；将钟摆阀的打开尺度为800步的模式；将晶圆置于刻蚀腔体中；按预设好的尺度打开钟摆阀对刻蚀腔体进行泵吸。本发明专利技术在刻蚀腔体内改善腔体底部控制腔体压力的钟摆阀的开度尺寸大小，改善后开到800步，在压力、气体不变的情况下使产品进入腔体后压力稳定，腔体环境处于稳定，避免刻蚀腔体内的颗粒物由于腔体压力不稳定而瞬间扬起从而污染晶圆，因此有利于提高产品良率。因此有利于提高产品良率。因此有利于提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法。

技术介绍

[0002]目前在大规模晶圆制造过程中，刻蚀腔体内产生的聚合物会附着在腔体侧壁，制品过程中为了保证腔体压力稳定，腔体底部与干泵连接的钟摆阀(throttle valve)的开度尺寸大小稳定着腔体的动态压力平衡，晶圆进入前腔体要泵吸(Pump down)使其原本在腔体内的气体，游离的聚合物抽走，如钟摆阀全开1000步(全开)，会因开的尺度太大，导致腔体内的聚合物瞬间扬起，附着在制品的表面，使其晶圆产生缺陷，影响良率。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法，用于解决现有技术中由于钟摆阀尺度太大导致刻蚀腔在泵吸的过程中聚合物扬起，从而污染晶圆的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内的底部设有与干泵连接的钟摆阀；
[0005]步骤二、将所述钟摆阀的打开尺度预设为800步的模式；
[0006]步骤三、按预设好的尺度打开所述钟摆阀对所述刻蚀腔体进行泵吸，以去除所述刻蚀腔体中的聚合物；
[0007]步骤四、将晶圆置于所述刻蚀腔体中进行刻蚀。
[0008]优选地，步骤一中所提供的刻蚀腔体为已经进行了自动清洁后的刻蚀腔体。
[0009]优选地，步骤一中对所述刻蚀腔体进行的自动清洁方法包括：对无晶圆的刻蚀腔体使用气体烧掉其中的聚合物并产生有机物和无机物。
[0010]优选地，步骤二中将所述钟摆阀的打开尺度预设为800步的模式的方法包括：通过对控制所述刻蚀腔体的程式的设定来预设所述钟摆阀的打开尺度。
[0011]优选地，步骤三中通过与所述钟摆阀连接的干泵对所述刻蚀腔体进行泵吸。
[0012]优选地，步骤三中对所述刻蚀腔体进行泵吸时，所述钟摆阀打开的尺度为800步。
[0013]优选地，步骤三中所述钟摆阀打开800步的尺度用于稳定所述刻蚀腔体中的压力，避免所述有机物和无机物扬起。
[0014]优选地，步骤三中对所述刻蚀腔体进行泵吸过程中，所述刻蚀腔体中的有机物和无机物被吸走。
[0015]如上所述，本专利技术的改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法，具有以下有益效果：本专利技术在刻蚀腔体内改善腔体底部控制腔体压力的钟摆阀的开度尺寸大小，改善后开到800步，在压力、气体不变的情况下使产品进入腔体后压力稳定，腔体环境处于稳定，避免刻
蚀腔体内的颗粒物由于腔体压力不稳定而瞬间扬起从而污染晶圆，因此有利于提高产品良率。
附图说明
[0016]图1显示为本专利技术中的钟摆阀为闭合状态的示意图；
[0017]图2显示为本专利技术中的钟摆阀打开800步的尺度示意图；
[0018]图3显示为本专利技术中设有钟摆阀的刻蚀腔体；
[0019]图4显示为本专利技术的改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法流程图。
具体实施方式
[0020]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0021]请参阅图1至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0022]本专利技术提供一种改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法，如图4所示，图4显示为本专利技术的改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法流程图，该方法至少包括以下步骤：
[0023]步骤一、提供刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内的底部设有与干泵连接的钟摆阀；如图3所示，图3显示为本专利技术中设有钟摆阀的刻蚀腔体。图3中，所述刻蚀腔体03内的底部设有所述钟摆阀01，本实施例中所述钟摆阀下方还设有与其连接的干泵，图3中未示出所述干泵，本专利技术中的所述干泵用于泵吸所述刻蚀腔体内部的颗粒物。
[0024]本专利技术进一步地，本实施例的步骤一中所提供的刻蚀腔体为已经进行了自动清洁后的刻蚀腔体。
[0025]本专利技术再进一步地，本实施例的步骤一中对所述刻蚀腔体进行的自动清洁方法包括：对无晶圆的刻蚀腔体使用气体烧掉其中的聚合物并产生有机物和无机物。也就是说，所述刻蚀腔体在没有晶圆时的初始状态，其内部含有之前刻蚀后留下的聚合物，本专利技术的所述自动清洁方法用于将所述刻蚀腔体中的聚合物去除，在无晶圆的状态下，在所述刻蚀腔体中用一些气体将所述刻蚀腔体中的聚合物烧掉，之后会产生一些无机物和有机物的颗粒，这些颗粒将在后续的步骤中被泵吸走。
[0026]步骤二、将所述钟摆阀的打开尺度预设为800步的模式；如图1所示，图1显示为本专利技术中的钟摆阀01为闭合状态的示意图。图2显示为本专利技术中的钟摆阀打开800步的尺度示意图。
[0027]本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中将所述钟摆阀的打开尺度预设为800步的模式的方法包括：通过对控制所述刻蚀腔体的程式的设定来预设所述钟摆阀的打开尺度。也就是说，本实施例的步骤二中，通过对程式(recipe)的设定来控制所述钟摆阀的打开尺度，通过控制所述钟摆阀的程式来打开所述钟摆阀，将其尺度打开为800步，所述钟摆阀的
打开尺度大小决定着所述刻蚀腔体压力的大小。
[0028]步骤三、按预设好的尺度打开所述钟摆阀对所述刻蚀腔体进行泵吸，以去除所述刻蚀腔体中的聚合物；
[0029]本专利技术进一步地，本实施例的步骤三中通过与所述钟摆阀连接的干泵对所述刻蚀腔体进行泵吸。
[0030]本专利技术进一步地，本实施例的步骤三中对所述刻蚀腔体进行泵吸时，所述钟摆阀打开的尺度为800步。如图2所示，图2显示为本专利技术中的钟摆阀打开800步的尺度示意图。
[0031]本专利技术进一步地，本实施例的步骤三中所述钟摆阀打开800步的尺度用于稳定所述刻蚀腔体中的压力，避免所述有机物和无机物扬起。也就是说，本专利技术中所述钟摆阀打开800步的瞬间，不会造成所述刻蚀腔体中有机物和无机物被扬起，从而避免落在晶圆上污染晶圆。
[0032]本专利技术进一步地，本实施例的步骤三中对所述刻蚀腔体进行泵吸过程中，所述刻蚀腔体中的有机物和无机物被吸走。与所述钟摆阀连接的干泵会泵吸所述刻蚀腔体中的无机物和有机物的颗粒，将所述刻蚀腔体进行了清洁，避免后续刻蚀所述晶圆时，所述颗粒污染所述晶圆。
[0033]步骤四、将晶圆置于所述刻蚀腔体中进行刻蚀。该步骤四中将用于刻蚀的晶圆置于所述刻蚀腔体中，进一步地，如图3所示，所述晶圆02置于所述刻蚀腔体中的静电吸盘上(ES本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内的底部设有与干泵连接的钟摆阀；步骤二、将所述钟摆阀的打开尺度预设为800步的模式；步骤三、按预设好的尺度打开所述钟摆阀对所述刻蚀腔体进行泵吸，以去除所述刻蚀腔体中的聚合物；步骤四、将晶圆置于所述刻蚀腔体中进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法，其特征在于：步骤一中所提供的刻蚀腔体为已经进行了自动清洁后的刻蚀腔体。3.根据权利要求2所述的改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法，其特征在于：步骤一中对所述刻蚀腔体进行的自动清洁方法包括：对无晶圆的刻蚀腔体使用气体烧掉其中的聚合物并产生有机物和无机物。4.根据权利要求3所述的改善多晶硅刻蚀腔体聚合物缺陷的方法，其特征在于：步...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟玲，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：