评估与三维NAND存储器单元有关的中间产品制造技术

用于评估与三维NAND存储器单元有关的中间产品的方法、非瞬态计算机可读介质和评估系统。评估系统可包括成像器和处理电路。成像器可配置成经由开放间隙获得属于中间产品的结构元件的一部分的电子图像。结构元件可以包括一系列层，所述一系列层可以包括顶层，所述顶层后跟交替的非导电层和凹陷的导电层。成像器可包括电子光学器件，所述电子光学器件配置成使用电子束扫描结构元件的一部分，所述电子束倾斜于开放间隙的纵轴。处理电路配置成基于电子图像评估中间产品。开放间隙(a)展现出高深宽比，(b)具有纳米量级尺度的宽度，并且(c)形成在中间产品的结构元件之间。成在中间产品的结构元件之间。成在中间产品的结构元件之间。

【技术实现步骤摘要】
评估与三维NAND存储器单元有关的中间产品
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求提交于2020年6月30日的申请第16/917,304号和提交于2019年9月4日的申请第62/895,917号的优先权和权益。所述申请的公开内容通过整体引用并出于所有目的而结合于此。

技术介绍

[0003]三维NAND(与非)存储器单元包括存储器单元的三维阵列。缩写“NAND”代表与非逻辑运算。三维NAND存储器单元可通过涉及多个制造阶段的制造工艺来制造。(除了制造工艺的最终制造阶段以外)每个制造阶段的结果可被视为与三维NAND储存器单元有关的中间产品。
[0004]这些制造阶段应受到监控。在一个或多个制造阶段中引入的故障可显著地降低整个制造工艺的产量。因为中间产品的结构元件是由纳米量级尺度且显示出高深宽比的间隙彼此间隔开，所以对中间产品的监控和对制造阶段的监控会出现问题。
[0005]存在对提供准确且有效的方式以评估由三维NAND存储器单元的一个或多个制造阶段制造的中间产品的不断增加的需求。

技术实现思路

[0006]可以提供一种评估系统，所述评估系统可包括成像器，和处理电路。成像器可配置成经由开放间隙获得属于中间产品的结构元件的一部分的电子图像。结构元件可以包括一系列层，其中所述一系列层可以包括顶层，所述顶层后跟交替的非导电层和凹陷的导电层。图像可包括电子光学器件，所述电子光学器件配置成使用电子束扫描结构元件的一部分，所述电子束倾斜于开放间隙的纵轴。处理电路可配置成基于电子图像评估中间产品。开放间隙(a)展现出高深宽比，(b)具有纳米量级尺度的宽度，并且(c)形成在中间产品的结构元件之间。可通过三维NAND存储器单元的制造工艺的一个或多个制造阶段来制造中间产品。
[0007]可提供一种用于评估中间产品的方法，所述方法可包括：(i)经由开放间隙获得属于中间产品的结构元件的一部分的电子图像；其中所述结构元件包括一系列层，其中所述一系列层包括顶层，所述顶层后跟交替的非导电层和凹陷的导电层；以及(ii)基于所述电子图像评估中间产品。开放间隙(a)具有纵轴，(b)展现出高深宽比，(c)具有纳米量级尺度的宽度，并且(d)形成在中间产品的结构元件之间。通过三维NAND存储器单元的制造工艺的一个或多个制造阶段来制造中间产品。电子图像的获取可包括使用电子束扫描结构元件的一部分，所述电子束倾斜于开放间隙的纵轴。
[0008]可提供一种非瞬态计算机可读介质，所述非瞬态计算机可读介质可存储用于以下操作的指令：(i)经由开放间隙获得属于中间产品的结构元件的一部分的电子图像；其中所述结构元件包括一系列层，其中所述一系列层包括顶层，所述顶层后跟交替的非导电层和凹陷的导电层；以及(ii)基于电子图像评估中间产品。开放间隙(a)具有纵轴，(b)展现出高深宽比，(c)具有纳米量级尺度的宽度，并且(d)形成在中间产品的结构元件之间。通过三维
NAND存储器单元的制造工艺的一个或多个制造阶段来制造中间产品。电子图像的获取可包括使用电子束扫描结构元件的一部分，所述电子束倾斜于开放间隙的纵轴。
附图说明
[0009]在说明书的结论部分中被特别指出并明显地要求保护的是被视为本公开的实施方式的主题。然而，当与附图一起阅读时，本公开的实施方式(关于组织和操作方法两者)以及其目标、特征和优点可参考以下具体实施方式最佳地理解，在附图中：
[0010]图1示出了中间产品的示例；
[0011]图2示出了四个结构元件的示例；
[0012]图3示出了扫描第三结构元件的一部分的电子束的示例；
[0013]图4示出了扫描图案的示例；
[0014]图5示出了由电子束照明的路径的示例；
[0015]图6示出了从结构元件发射的电子束和电子的示例；
[0016]图7示出了电子图像和结构元件的示例；
[0017]图8示出了沿从三对结构元件的照明部分获得的一个或多个扫描线的灰度(gray level)和位置之间的关系的示例；
[0018]图9示出了评估系统和两个结构元件的示例；以及
[0019]图10示出了方法的示例。
具体实施方式
[0020]在以下详细描述中，阐述了众多具体细节以提供对本公开的实施方式的透彻理解。
[0021]然而，本领域技术人员将理解，本公开的当前实施方式可在没有这些具体细节的情况下实践。在其他实例中，尚未详细描述众所周知的方法、程序和组件，以避免混淆本公开的当前实施方式。
[0022]在说明书的结论部分中被特别指出并明显地要求保护的是被视为本公开的实施方式的主题。然而，当与附图一起阅读时，本公开的实施方式(关于组织和操作方法两者)以及其目标、特征和优点可参考以下具体实施方式最佳地理解。
[0023]将理解的是，为了说明的简单和清晰起见，图中所示的元件不一定按比例绘制。例如，为了清晰起见，一些元件的尺寸可相对于其他元件被放大。此外，在认为适当的情况下，可在附图中重复参考标记以指示对应的或类似的元件。
[0024]因为本公开的所示实施方式在很大程度上可使用本领域技术人员已知的电子元件和电路实现，所以为了理解和了解本公开的当前实施方式的基本概念并且为了不混淆或偏离本公开的当前实施方式的教导，将不会以比如上所述的所认为必要的任何更大程度来解释细节。
[0025]说明书中对方法的任何引用应在经必要修改后应用于能够执行方法的系统，并且应在经必要修改后应用于计算机可读介质，所述计算机可读介质是非瞬态的并存储用于执行方法的指令。
[0026]说明书中对系统的任何引用应在经必要修改后应用于可由系统执行的方法，并且
应在经必要修改后应用于计算机可读介质，所述计算机可读介质是非瞬态的并存储可由系统执行的指令。
[0027]在说明书中对非瞬态的计算机可读介质的任何引用应在经必要修改后应用于在执行计算机可读介质中存储的指令时可应用的方法，并且应在经必要修改后应用于配置成执行存储在计算机可读介质中的指令的系统。
[0028]术语“和/或”意味着附加地或替代地。
[0029]术语“深宽比”意味着元件的深度和宽度之间的比率。高深宽比可被视为超过例如10:1的深宽比。
[0030]术语“纳米量级尺度”意味着值的范围可在几十纳米至小于一纳米之间。
[0031]术语“电子图像”意味着通过施加电子图像采集过程而生成的图像，所述电子图像采集过程涉及(a)使用一个或多个电子束照明一个或多个中间产品(或者所述一个或多个中间产品的一个或多个部分)和(b)检测由于照明发射的电子。
[0032]电子图像采集过程还可包括处理表示检测到的电子的检测的检测信号。
[0033]检测信号的处理可包括施加降噪操作、平滑操作中的至少一个，和/或提供某种格式的电子图像。所述某种格式可以是灰度格式，但可提供其他格式。
[0034]检测到的电子可以是二次电子(secondary electron)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种评估系统，包括：成像器，所述成像器配置成经由开放间隙获得属于中间产品的结构元件的一部分的电子图像，所述中间产品通过三维NAND存储器单元的制造工艺的一个或多个制造阶段来制造，所述结构元件包括一系列层，所述一系列层包括顶层，所述顶层后跟交替的非导电层和凹陷的导电层，其中所述成像器包括电子光学器件，所述电子光学器件配置成使用电子束扫描所述结构元件的一部分，所述电子束倾斜于所述开放间隙的纵轴；以及处理电路，所述处理电路配置成基于所述电子图像评估所述中间产品；其中所述开放间隙(a)展现出高深宽比，(b)具有纳米量级尺度的宽度，并且(c)形成在所述中间产品的结构元件之间。2.如权利要求1所述的评估系统，其特征在于，所述处理电路配置成通过估计在所述凹陷的导电层中的一个或多个凹陷的导电层内形成的至少一个凹槽的深度来评估所述中间产品。3.如权利要求1所述的评估系统，其特征在于，所述处理电路配置成通过估计在所述凹陷的导电层中的最高凹陷的导电层内形成的凹槽的深度来评估所述中间产品。4.如权利要求1所述的评估系统，其特征在于，所述处理电路配置成通过计算(a)所述电子图像的顶层像素的强度属性和(b)与所述一系列交替层中的至少一层相关的所述电子图像的像素的强度属性之间的关系来评估所述中间产品。5.如权利要求1所述的评估系统，其特征在于，所述处理电路配置成通过计算(a)所述电子图像的顶层像素的强度属性和(b)与最高凹陷的导电层相关的所述电子图像的像素的强度属性之间的关系来评估所述中间产品。6.如权利要求1所述的评估系统，其特征在于，所述处理电路配置成通过计算所述电子图像的第一最高峰值与所述电子图像的第二最高峰值之间的关系来评估所述中间产品。7.如权利要求1所述的评估系统，其特征在于，所述处理电路配置成通过计算曲线的粗糙度来评估所述中间产品，所述曲线的粗糙度表示沿扫描线定位的电子图像像素的强度，所述扫描线在所述交替的非导电层和凹陷的导电层中的至少两个层上行进。8.如权利要求1所述的评估系统，其特征在于，所述处理电路配置成通过计算曲线的粗糙度来评估所述中间产品，所述曲线的粗糙度表示沿扫描线定位的电子图像像素的强度，所述扫描线在所述交替的非导电层和凹陷的导电层中的至少两个层上行进。9.一种包括计算机可读指令的非瞬态计...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：