本发明专利技术涉及发光器件和包括其的显示设备。发光器件包括：包括多个量子点的发射层、和设置在所述发射层上的电子辅助层，所述电子辅助层将电子传输至所述发射层，其中所述电子辅助层包括多个金属氧化物纳米颗粒，其中所述金属氧化物纳米颗粒包括锌和掺杂剂金属，其中所述掺杂剂金属包括Mg、Mn、Ni、Sn、Al、Y、Ga、Zr、Li、Co、或其组合，其中所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中的所述掺杂剂金属的浓度在从所述纳米颗粒的内部部分到外部部分的方向上增加，或者在从所述纳米颗粒的外部部分到内部部分的方向上增加。的方向上增加。
【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括其的显示设备
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年8月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0107636的优先权和权益、以及由其产生的所有权益，将其内容全部通过引用引入本文中。
[0003]公开了发光器件和显示设备。
技术介绍
[0004]不同于块体材料，纳米颗粒的作为内在特性的物理特性(例如，带隙能量、熔点等)可通过改变纳米颗粒的颗粒尺寸而控制。例如，也称作量子点的半导体纳米晶体可被供应以光能或电能并且可发射与量子点的尺寸对应的波长的光。因此，量子点可用作发射特定波长的光的发光元件。
技术实现思路
[0005]量子点可用在发光器件中。然而，期望新的改善包括量子点的发光器件的性能的方法。
[0006]实施方式提供能够实现改善的性能的发光器件。
[0007]实施方式提供包括所述发光器件的显示设备。
[0008]根据实施方式，发光器件包括，
[0009]包括多个量子点的发射层、和设置在所述发射层上的电子辅助层，所述电子辅助层将电子传输和/或注入至所述发射层，其中所述电子辅助层包括多个金属氧化物纳米颗粒，其中所述金属氧化物纳米颗粒包括锌和掺杂剂金属，其中所述掺杂剂金属包括Mg、Mn、Ni、Sn、Al、Y、Ga、Zr、Li、Co、或其组合，和其中在所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中，所述掺杂剂金属被包括(例如分布)以在金属氧化物纳米颗粒中具有浓度梯度。
[0010]在一个实施方式中，所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中的所述掺杂剂金属的浓度可在从所述纳米颗粒的内部部分到外部部分的方向上增加。
[0011]在另一实施方式中，所述掺杂剂金属的浓度可在从所述纳米颗粒的外部部分到内部部分的方向上增加。
[0012]在实施方式中，所述内部部分中的掺杂剂金属的摩尔量可不同于(大于或小于)所述外部部分的掺杂剂金属的摩尔量。
[0013]所述掺杂剂金属可占优势地(主要地)存在(例如，分布)于所述金属氧化物纳米颗粒的内部部分中。例如，在所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中，所述掺杂剂金属的浓度(或摩尔量，下文中浓度)可在从所述纳米颗粒的外部部分到内部部分的方向上增加。
[0014]所述掺杂剂金属可占优势地(主要地)存在(例如，分布)于所述金属氧化物纳米颗粒的外部部分中。例如，在所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中，所述掺杂剂金属的浓度
可在从所述纳米颗粒的内部部分到外部部分的方向上增加。
[0015]所述金属氧化物纳米颗粒可包括第一层和设置在所述第一层上的第二层。
[0016]所述第一层可具有比所述第二层大的掺杂剂金属的浓度例如摩尔量。所述第二层可不包括所述掺杂剂金属。所述第二层可具有比所述第一层大的掺杂剂金属的浓度例如摩尔量。所述第一层可不包括所述掺杂剂金属。
[0017]所述第二层可为所述金属氧化物纳米颗粒的最外层。
[0018]所述多个所述量子点可不包括镉、铅、或其组合。
[0019]所述多个量子点可包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、或其组合。
[0020]所述掺杂剂金属可包括镁、铝、锂、或其组合。
[0021]所述掺杂剂金属可不包括钠。
[0022]所述金属氧化物纳米颗粒中的所述掺杂剂金属相对于锌的摩尔比可大于或等于约0.005:1。
[0023]所述金属氧化物纳米颗粒中的所述掺杂剂金属相对于锌的摩尔比可大于或等于约0.01:1。
[0024]所述金属氧化物纳米颗粒中的所述掺杂剂金属相对于锌的摩尔比可大于或等于约0.05:1。
[0025]所述金属氧化物纳米颗粒中的所述掺杂剂金属相对于锌的摩尔比可大于或等于约0.1:1。
[0026]所述金属氧化物纳米颗粒中的所述掺杂剂金属相对于锌的摩尔比可小于或等于约0.5:1。
[0027]所述金属氧化物纳米颗粒中的所述掺杂剂金属相对于锌的摩尔比可小于或等于约0.4:1。
[0028]所述金属氧化物纳米颗粒中的所述掺杂剂金属相对于锌的摩尔比可小于或等于约0.3:1。
[0029]所述金属氧化物纳米颗粒中的所述掺杂剂金属相对于锌的摩尔比可小于或等于约0.25:1。
[0030]所述金属氧化物纳米颗粒可具有小于或等于约350纳米(nm)、小于或等于约345nm、或者小于或等于约340nm的第一紫外(UV)吸收峰波长。
[0031]所述金属氧化物纳米颗粒可具有大于或等于约320nm、大于或等于约325nm、或者大于或等于约330nm的第一UV吸收峰波长。
[0032]所述金属氧化物纳米颗粒可具有拥有大于或等于约500nm、大于或等于约510nm的中心波长的陷阱发射峰(例如，在室温下或在77K下的光致发光光谱中)。所述陷阱发射峰的中心波长可小于或等于约600nm、或者小于或等于约560nm。
[0033]所述金属氧化物纳米颗粒可配置为在光致发光光谱(例如在77K下)中呈现出具有小于或等于约400nm或者小于或等于约390nm的中心波长的带边发射峰。
[0034]在光致发光光谱中(例如在77K下)所述带边发射峰的中心波长可大于或等于约200nm、大于或等于约300nm、或者大于或等于约350nm。
[0035]所述陷阱发射峰的强度相对于所述带边发射峰的强度的比可大于或等于约2.9:1
(例如，在约77K的低温光致发光(PL)光谱中)。所述陷阱发射峰的强度相对于所述带边发射峰的强度的比可大于或等于约5:1。所述陷阱发射峰的强度相对于所述带边发射峰的强度的比可大于或等于约7:1。所述陷阱发射峰的强度相对于所述带边发射峰的强度的比可大于或等于约9:1。
[0036]所述金属氧化物纳米颗粒可具有如通过热重分析测定的大于或等于约20重量百分数(重量％)的有机物含量例如有机物的量。
[0037]所述金属氧化物纳米颗粒可具有如通过热重分析测定的大于或等于约24重量％的有机物的量。
[0038]所述电子辅助层的电阻率可大于或等于约1
×
104ohm
·
cm(欧姆
·
厘米)、大于或等于约1
×
105ohm
·
cm、大于或等于约3
×
108ohm
·
cm、或者大于或等于约3.5
×
108ohm
·
cm。
[0039]所述电子辅助层的接触电阻可小于或等于约5
×
10
11
ohm
·
cm2、小于或等于约4
×
10
11
ohm
·
cm2、小于或等于约3
×
10
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.发光器件，包括：包括多个量子点的发射层，和设置在所述发射层上的电子辅助层，所述电子辅助层将电子传输或注入至所述发射层，其中所述电子辅助层包括多个金属氧化物纳米颗粒，其中所述金属氧化物纳米颗粒包括锌和掺杂剂金属，其中所述掺杂剂金属包括Mg、Mn、Ni、Sn、Al、Y、Ga、Zr、Li、Co、或其组合，和其中在所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中的所述掺杂剂金属被包括在金属氧化物纳米颗粒中以具有掺杂剂金属的浓度梯度。2.如权利要求1所述的发光器件，其中在所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中，所述掺杂剂金属的浓度在从所述纳米颗粒的内部部分到外部部分的方向上增加，或者在从所述纳米颗粒的外部部分到内部部分的方向上增加。3.如权利要求1所述的发光器件，其中所述量子点不包括镉、铅、或其组合。4.如权利要求1所述的发光器件，其中所述多个量子点包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、或其组合。5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述掺杂剂金属包括镁、铝、锂、或其组合。6.如权利要求1所述的发光器件，其中所述金属氧化物纳米颗粒中的所述掺杂剂金属相对于锌的摩尔比大于或等于0.01:1且小于或等于0.5:1。7.如权利要求1所述的发光器件，其中所述金属氧化物纳米颗粒具有拥有大于或等于500纳米的中心波长的陷阱发射峰。8.如权利要求1所述的发光器件，其中所述金属氧化物纳米颗粒在77K下的光致发光光谱中具有拥有小于或等于400纳米的中心波长的带边发射峰。9.如权利要求1所述的发光器件，其中在所述金属氧化物纳米颗粒在77K下的光致发光光谱中，陷阱发射峰相对于带边发射峰的最大强度比大于或等于2.9:1。10.如权利要求1所述的发光器件，其中所述金属氧化物纳米颗粒具有小于或等于350纳米的第一紫外吸收峰波长。11.如权利要求1所述的发光器件，其中所述金属氧化物纳米颗粒具有通过热重分析测定的大于或等于20重量％的有机物含量。12.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴建洙，金璨秀，金光熙，张银珠，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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