高度计制造技术

提供高度计，使高度计与晶片之间不释放静电。将保护部件(S)与晶片(W)粘贴而成为一体的被测量物(U)按照使晶片(W)的上表面(Wa)成为上方的方式保持于卡盘工作台(2)的保持面(20a)上，使上表面高度计(51)所具有的第1探针(510)的触头(510a)与晶片(W)的上表面(Wa)接触而对晶片(W)的上表面(Wa)的高度进行测量。构成为第1探针(510)的表面电阻值为1

【技术实现步骤摘要】
高度计


[0001]本专利技术涉及高度计。

技术介绍

[0002]如专利文献1所公开的那样，利用磨削磨具对晶片进行磨削的磨削装置使用高度计对晶片的上表面高度进行测量，若晶片的上表面的高度成为规定的高度，则结束磨削。
[0003]高度计有接触式高度计和非接触式高度计。关于非接触式高度计，在磨削加工时提供至晶片的磨削水的雾会妨碍测量，从而难以准确地测量晶片的上表面的高度，并且当采取对策以便获取准确的值时，会成为昂贵的测量器。因此，大多使用廉价的接触式的测量器。
[0004]专利文献1：日本特开2008-073785号公报
[0005]但是，关于接触式高度计，当在探针上带有静电时，有时在探针即将与晶片接触之前释放静电，形成于晶片的器件有可能因放电而破损。因此，存在使对晶片的上表面高度进行测量的接触式高度计不释放静电的课题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供高度计，使高度计与晶片之间不释放静电。
[0007]本专利技术是高度计，其是使探针与被测量物的上表面接触而对该被测量物的上表面高度进行测量的接触式的高度计，其特征在于，该探针按照表面电阻值为1
×
104Ω至1
×
109Ω的方式构成。
[0008]期望上述探针是对非导电性材料分散导电性颗粒而形成的，按照50体积％以上且150体积％以下的混配率混配该导电性颗粒。
[0009]期望上述导电性颗粒为硅颗粒。
[0010]期望上述非导电性材料包含氧化铝。r/>[0011]期望上述非导电性材料包含结合剂。
[0012]本高度计具有探针，该探针具有导电性，因此能够抑制静电的带电。由此，在探针即将与晶片接触之前不会放电，能够防止形成于晶片的器件因放电而破损。
附图说明
[0013]图1是示出磨削装置的整体的立体图。
[0014]图2是从卡盘工作台的侧方观察使第1探针与晶片的上表面接触的情况的剖视图。
[0015]标号说明
[0016]1：磨削装置；10：基座；11：柱；12：罩；13：波纹部；2：卡盘工作台；20：吸引部；20a：保持面；21：框体；21a：框体的上表面；3：磨削单元；30：主轴；31：壳体；32：主轴电动机；33：安装座；34：磨削磨轮；340：磨削磨具；340b：磨削磨具的下表面；341：磨轮基台；35：旋转轴；4：磨削进给单元；40：滚珠丝杠；41：导轨；42：Z轴电动机；43：升降板；44：支托；45：旋转轴；
5：厚度测量单元；50：轴部；51：上表面高度计；510：第1探针；510a：第1触头；511：第1支承部；512：螺纹孔；513：小径部；514：大径部；515：螺纹切槽；52：保持面高度计；520：第2探针；520a：第2触头；521：第2支承部；81：标尺单元；810：标尺；811：读取部；W：晶片；Wa：晶片的上表面；Wb：晶片的下表面；S：保护部件；Sb：保护部件的下表面；U：被测量物；E：地线。
具体实施方式
[0017]1磨削装置
[0018]图1所示的磨削装置1是使用磨削单元3对晶片W进行磨削加工的磨削装置。晶片W是半导体晶片等，在其下表面Wb上例如粘贴有保护部件S，晶片W与保护部件S一体化。以下，对磨削装置1的结构进行说明。
[0019]磨削装置1具有：基座10，其沿Y轴方向延伸设置；以及柱11，其竖立设置于基座10的+Y方向侧。
[0020]在柱11的-Y方向侧的侧面上配设有将磨削单元3支承为能够升降的磨削进给单元4。磨削单元3具有：主轴30，其具有Z轴方向的旋转轴35；壳体31，其将主轴30支承为能够旋转；主轴电动机32，其使主轴30以旋转轴35为轴而进行旋转驱动；圆环状的安装座33，其与主轴30的下端连接；以及磨削磨轮34，其以能够装卸的方式安装于安装座33的下表面上。
[0021]磨削磨轮34具有磨轮基台341以及大致长方体形状的多个磨削磨具340，这些磨削磨具340呈环状排列在磨轮基台341的下表面上，磨削磨具340的下表面340b成为对晶片W进行磨削的磨削面。
[0022]磨削进给单元4具有：滚珠丝杠40，其具有Z轴方向的旋转轴45；一对导轨41，它们配设成相对于滚珠丝杠40平行；Z轴电动机42，其使滚珠丝杠40以旋转轴45为轴而进行旋转；升降板43，其内部的螺母与滚珠丝杠40螺合，升降板43的侧部与导轨41滑动接触；以及支托44，其与升降板43连结，对磨削单元3进行支承。
[0023]当通过Z轴电动机42对滚珠丝杠40进行驱动而使滚珠丝杠40以旋转轴45为轴进行旋转时，与此相伴，升降板43被导轨41引导而在Z轴方向上进行升降移动，并且支托44所保持的磨削单元3在与保持面20a垂直的方向(Z轴方向)上移动。
[0024]磨削装置1具有标尺单元81。标尺单元81具有：标尺810，其配设于导轨41的-Y方向侧的侧面上；以及读取部811，其配设于升降板43的+X方向侧的侧面上且配设于与标尺810相邻的位置。读取部811例如具有对形成于标尺810的刻度的反射光进行读取的光学式的识别机构等，能够对标尺810的刻度进行识别。
[0025]例如采取如下结构：读取部811的高度位置与磨削磨具340的下表面340b的高度位置相对应，能够基于读取部811的高度位置而测量磨削磨具340的下表面340b的高度位置。
[0026]在基座10上配设有卡盘工作台2。卡盘工作台2例如具有：吸引部20，其具有多孔部件等；以及框体21，其对吸引部20进行支承。吸引部20的上表面是对晶片W进行保持的保持面20a，框体21的上表面21a与保持面20a形成为同一平面。
[0027]在基座10的内部的卡盘工作台2的下方例如配设有未图示的水平移动单元。卡盘工作台2能够通过水平移动单元而在Y轴方向上移动。
[0028]在卡盘工作台2的周围配设有罩12和以伸缩自如的方式与罩12连结的波纹部13。当卡盘工作台2在Y轴方向上移动时，罩12与卡盘工作台2一体地在Y轴方向上移动，波纹部
13进行伸缩。
[0029]在使用图1所示的磨削装置1进行晶片W的磨削加工时，首先将在下表面Wb上粘贴有保护部件S的晶片W按照保护部件S的下表面Sb与保持面20a抵接的方式载置于卡盘工作台2的保持面20a上，并且使用未图示的吸引单元等从下方吸引保持面20a，从而将晶片W吸引保持于保持面20a上。
[0030]并且，在晶片W保持于保持面20a的状态下，例如使用未图示的水平移动单元使卡盘工作台2向+Y方向移动，将晶片W定位于磨削单元3的下方。
[0031]接着，使用未图示的旋转单元等使卡盘工作台2旋转，从而使保持面20a所吸引保持的晶片W旋转。并且，使用磨削单元3的主轴电动机32使主轴30以旋转轴35为轴而进行旋转，从而使与主轴30的下端连接的圆环状的安装座33以及与安装座33连结的磨削磨具340以旋转轴35为轴而进行旋转。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高度计，其是使探针与被测量物的上表面接触而对该被测量物的上表面高度进行测量的接触式的高度计，其特征在于，该探针按照表面电阻值为1
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104Ω至1
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109Ω的方式构成。2.根据权利要求1所述的高度计，其中，该探针是对非导电性材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：千岛一史，浦山孝世，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：