存储器布局结构制造技术

本发明专利技术公开一种存储器布局结构，具有多条源极线设置在主动区之间，每条源极线具有多个互生排列的分支分别与两侧的主动区电连接，多条字符线延伸越过多个主动区构成晶体管，多个存储部位设置在该些主动区上以及该些字符线之间并呈交错阵列设置，以及多条位线分别与对应的一个主动区上的所有存储部位电连接，其中每个存储单元包含一个存储部位、分别位于该存储部位两侧的两个该晶体管、以及源极线的两个该分支。该分支。该分支。

【技术实现步骤摘要】
存储器布局结构


[0001]本专利技术涉及一种存储器布局结构，更具体言之，其涉及一种具有改良的驱动能力的存储器布局结构。

技术介绍

[0002]已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁阻式随机存取存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
[0003]上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electronic compass)零组件，用来提供使用者移动方位等资讯。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,AMR)感测元件、巨磁阻(GMR)感测元件、磁隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)感测元件等等。
[0004]然而，目前的磁阻式随机存取存储器还有许多缺点尚待克服，例如需要大的写入电流、功耗大、写入速度慢等，而有必要进一步改进。

技术实现思路

[0005]为了改良目前的磁阻式随机存取存储器，本专利技术特此提出了一种特殊的存储器布局结构，其在相同的存储单元尺寸下可达到较高的驱动能力，以改善磁阻式随机存取存储器驱动能力不佳的现有问题，也可以应用在各种新式存储器的领域中。
[0006]本专利技术的一目的在于提出一种存储器布局结构，其上界定有多个存储单元，所述存储器布局结构包含一基底，其具有多个主动区沿着第一方向延伸、多条源极线设置在该基底上的该主动区之间并沿着该第一方向延伸，其中每条该源极线具有多个互生排列的分支分别与两侧的该主动区电连接、多条字符线设置在该基底上并沿着第二方向延伸越过多个该主动区，其中每条该字符线与每个越过的该主动区构成一晶体管、多个存储部位设置在该些主动区上以及该些字符线之间，其中该些存储部位在该基底上呈交错阵列设置并与该些主动区电连接、以及多条位线设置在该些存储部位上并沿着该第一方向延伸，其中每条该位线分别与对应的一个该主动区上的所有该些存储部位电连接，其中每个该存储单元包含一个该存储部位、分别位于该存储部位两侧的两个该晶体管、以及该源极线的两个该分支。
[0007]本专利技术的这类目的与其他目的在阅者读过下文中以多种图示与绘图来描述的优选实施例的细节说明后应可变得更为明了显见。
附图说明
[0008]本说明书含有附图并于文中构成了本说明书的一部分，使阅者对本专利技术实施例有进一步的了解。该些图示描绘了本专利技术一些实施例并连同本文描述一起说明了其原理。在该些图示中：
[0009]图1为本专利技术实施例的一存储器布局图；
[0010]图2为本专利技术实施例以图1中A-A'截线所作的截面示意图；以及
[0011]图3为本专利技术实施例的一存储器电路图。
[0012]需注意本说明书中的所有图示都为图例性质，为了清楚与方便图示说明之故，图示中的各部件在尺寸与比例上可能会被夸大或缩小地呈现，一般而言，图中相同的参考符号会用来标示修改后或不同实施例中对应或类似的元件特征。
[0013]主要元件符号说明
[0014]100 基底
[0015]101 分支
[0016]103 第二部分
[0017]110 存储阵列区
[0018]120 逻辑区
[0019]BL,BL1～BL4 位线
[0020]CT
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接触结构
[0021]D1
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第一方向
[0022]D2
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第二方向
[0023]GBL 全域位线
[0024]M1
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第一金属层
[0025]M2
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第二金属层
[0026]M3
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第三金属层
[0027]OD
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主动(有源)区
[0028]P1
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区域
[0029]P2
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存储单元
[0030]SL,SL1,SL2
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源极线
[0031]SN
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存储部位
[0032]SNC 存储部位接触结构
[0033]T1,T2 晶体管
[0034]V1,V2 接触结构
[0035]WL,WL1～WL5 字符线
具体实施方式
[0036]现在下文将详细谈述本专利技术的实施范例，其绘示在随附的图示中让阅者得以了解与施作本专利技术揭露，并知晓其技术功效。须注意下文仅是以范例的方式来进行说明，其并未要限定本专利技术的揭露内容。本揭露书中的多种实施例以及该些实施例中的各种特征在不互相冲突抵触的情况下可以多种不同的方式来加以组合与重设。在不悖离本揭露书的精神与
范畴的原则下，各种对于本专利技术揭露内容的修改、对应物、或是改良手段等应都能为本
的相关技艺人士所理解，且意欲含括在本专利技术揭露的范畴内。
[0037]应该容易理解的是，本文中的「在...上面」、「在...之上」及「在...上方」的含义应该以最宽义的方式来解释，使得「在...上面」不仅意味着「直接在某物上」，而且还包括在某物上且两者之间具有中间特征或中间层，并且「在...之上」或「在...上方」不仅意味着在某物之上或在某物上方的含义，而且还可以包括两者之间没有中间特征或中间层(即直接在某物上)的含义。
[0038]此外，为了便于描述，可以在说明书使用诸如「在...下面」、「在...之下」、「较低」、「在...之上」、「较高」等空间相对术语来描述一个元件或特征与另一个或多个元件或特征的关系，如图式中所表示者。除了图式中描绘的方向之外，这些空间相对术语旨在涵盖使用或操作中的装置的不同方位或方向。该装置可以其他方式定向(例如以旋转90度或以其它方向来定向)，并且同样能相应地以说明书中所使用的空间相关描述来解释。
[0039]如本文所使用的，术语「层」是指一材料部分，其一区域具有一厚度。一层的范围可以在整个下层或上层结构上延伸，或者其范围可以小于下层或上层结构的范围。此外，一层可以为均匀或不均匀连续结构的一区域，其厚度可小于该连续结构的厚度。例如，一层可以位于该连续结构的顶表面及底表面之间或在该连续结构的顶表面及底表面之间的任何一对水平平面之间。一层可以水平地、垂直地及/或沿着渐缩表面延伸。一基底可以为一层，其可以包括一层或多层，及/或可以在其上面及/或下面具有一层或多层。一层可以包含多层。例如，互连层可以包括一个或多个导体及接触层(其中形成有接点、互连线及/或通孔)以及一个或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器布局结构，其上界定有多个存储单元，其特征在于，该存储器布局结构包含：基底，具有多个主动区沿着第一方向延伸；多条源极线，设置在该基底上的该主动区之间并沿着该第一方向延伸，其中每条该源极线具有多个互生排列的分支分别与两侧的该主动区电连接；多条字符线，设置在该基底上并沿着第二方向延伸越过多个该主动区，其中每条该字符线与每个越过的该主动区构成一晶体管；多个存储部位，设置在该些主动区上以及该些字符线之间，其中该些存储部位在该基底上呈交错阵列设置并与该些主动区电连接；以及多条位线，设置在该些存储部位上并沿着该第一方向延伸，其中每条该位线分别与对应的一个该主动区上的所有该些存储部位电连接；其中每个该存储单元包含一个该存储部位、分别位于该存储部位两侧的两个该晶体管、以及该源极线的两个该分支。2.根据权利要求1所述的存储器布局结构，其中该些源极线为第一金属层(M1)的第一部分。3.根据权利要求2所述的存储器布局结构，其中该第一金属层(M1)还包含第二部分，该第二部分设置在该些字符线之间以...

【专利技术属性】
技术研发人员：许博凯，陈宏岳，周坤亿，张境尹，王慧琳，王裕平，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：