发光二极管灯丝及照明装置制造方法及图纸

公开一种发光二极管灯丝及照明装置。根据一实施例的发光二极管灯丝包括：支撑基板，具有第一面和第二面；多个所述发光二极管芯片，布置于所述支撑基板的第一面上，并且射出蓝色光；第一金属板及第二金属板，贴附于所述支撑基板而与所述多个所述发光二极管芯片电连接；以及封装材料，覆盖布置于所述支撑基板的第一面上的多个发光二极管芯片以及所述第一金属板及第二金属板，其中，所述封装材料包括在500nm至550nm范围内具有发光峰值的绿色荧光体以及在600nm至650nm范围内具有发光峰值的红色荧光体，所述红色荧光体包括第一红色荧光体及第二红色荧光体，所述第一红色荧光体的发光峰值波长小于所述第二红色荧光体的发光峰值波长，Ra为80至98范围内，R8超过70。R8超过70。R8超过70。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管灯丝及照明装置
[0001]本申请是申请日为2019年02月07日、申请号为201980000929.5、题为“具有改善的显色性的发光二极管照明装置及发光二极管灯丝”的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种发光二极管灯丝及照明装置，尤其涉及一种具有改善的显色性的发光二极管灯丝及照明装置。

技术介绍

[0003]现有的灯泡(light bulb)利用钨等金属灯丝发光。但是，利用金属灯丝的灯泡寿命短、光效率低且功耗高，因此正快速被LED灯具替代。
[0004]LED灯具等LED照明装置通常使用发出蓝色区域的光的LED作为光源。尤其，实现白色光的LED照明装置将LED和荧光体一起使用。
[0005]另外，对于实现白色光的照明装置而言，通常要求较高的显色性(color rendering)。显色性是表示被照明装置照射的物体颜色与被基准光源照射的物体颜色有多相似的照明光源的性质。显色性利用显色指数(CRI：color rendering index)进行评价，大多使用平均显色指数(general CRI；Ra)。Ra是对利用八个测试颜色样本定量化的各个CRI(special CRIs；R1～R8)进行平均的值。
[0006]通常，若Ra为较高的值，则认为照明光源的显色性较高。但是，对于利用蓝色LED作为光源的照明装置而言，提高Ra通常会导致光度降低，从而功耗增加。此外，由于Ra是各个显色指数的平均值，所以即使Ra较高也无法看作R1至R8全部均匀地高。尤其，对于利用蓝色LED的LED照明装置而言，红色区域的光不足，因此通常利用粉红色区域的反射率较高的测试颜色样本来测量的R8的值与R1至R7相比相对较低。因此，需要一种能够在实现合适的Ra的同时提高R8的LED照明装置。
[0007]虽然为了充分地提高R8的值而添加红色区域的荧光体，但是由于在红色荧光体的发光光谱中产生的相当量的尾部，因此产生不必要的光，从而导致照明装置的效率降低。主要使用的氮化物系的红色荧光体，例如CaAlSiN3:Eu
2+
大致具有80nm以上的半宽度，在使用具有约650nm的发光峰值的氮化物荧光体的情况下，即使在700nm以上的区域中也会产生相当量的光。因此，若为了提高R8而增加红色荧光体使用量，则Ra总体上提高，从而降低了照明装置的整体光度。即，难以通过氮化物系红色荧光体在不降低照明装置的光度的情况下提高R8。另外，虽然可以通过增加照明装置的数量或增加照明装置内LED数量以及荧光体使用量来增加光度，但是会导致功耗增加，因此无法作为优选对策。
[0008]最近，正在使用K2SiF6:Mn
4+
(KSF)作为具有较窄的半宽度的红色荧光体。KSF荧光体是具有约小于10nm的非常窄的半宽度，因此是能够实现良好的颜色再现性的荧光体。在使用KSF等具有较窄的半宽度的红色荧光体的情况下，能够去除不必要的尾部而发出期望的红色区域的光，从而即使以相对较低的Ra也能够实现较高的R8。即，能够在不大副降低光度的情况下实现合适的Ra及R8。但是，由于半宽度较窄，因此与使用氮化物系的红色荧光体
时相比，存在使用的KSF荧光体的量显着增加的问题。通常，在使用KSF荧光体的情况下，与使用氮化物系的荧光体时相比，使用的荧光体的量增加六倍以上，因此利用KSF提高R8不能作为一个好的选择。此外，与其他红色荧光体相比，KSF荧光体价格相对昂贵且难以购买，因此作为荧光体使用存在限制。

技术实现思路

[0009]技术问题
[0010]本专利技术要解决的课题在于提供一种能够防止照明装置的光度减小同时提高R8的新型LED照明装置。
[0011]本专利技术要解决的又一课题在于提供一种能够在不增加荧光体的使用量的情况下增加R8的LED照明装置。
[0012]技术方案
[0013]根据本专利技术的一实施例的发光二极管灯丝包括：支撑基板，具有第一面和第二面；多个所述发光二极管芯片，布置于所述支撑基板的第一面上，并且射出蓝色光；第一金属板及第二金属板，贴附于所述支撑基板而与所述多个所述发光二极管芯片电连接；以及封装材料，覆盖布置于所述支撑基板的第一面上的多个发光二极管芯片以及所述第一金属板及第二金属板，其中，所述封装材料包括在500nm至550nm范围内具有发光峰值的绿色荧光体以及在600nm至650nm范围内具有发光峰值的红色荧光体，所述红色荧光体包括第一红色荧光体及第二红色荧光体，所述第一红色荧光体的发光峰值波长小于所述第二红色荧光体的发光峰值波长，Ra为80至98范围内，R8超过70。
[0014]根据本专利技术的一实施例的照明装置包括：多个所述发光二极管芯片，射出蓝色光；以及封装材料，覆盖所述多个发光二极管芯片，其中，所述封装材料包括在500nm至550nm范围内具有发光峰值的绿色荧光体以及在600nm至650nm范围内具有发光峰值的红色荧光体，所述红色荧光体包括第一红色荧光体及第二红色荧光体，所述第一红色荧光体的发光峰值波长小于所述第二红色荧光体的发光峰值波长，所述第一红色荧光体及第二红色荧光体的半宽度为20nm至60nm范围内，Ra为80至98范围内，R8超过70。
[0015]根据本专利技术的一实施例的照明装置包括：发光二极管芯片，射出蓝色光；以及荧光体，对从所述发光二极管芯片射出的光的波长进行转换的荧光体，所述荧光体包括：绿色荧光体，在500nm至550nm范围内具有发光峰值；以及红色荧光体，在600nm至650nm范围内具有发光峰值；其中，所述红色荧光体包括：第一红色荧光体，在620nm至630nm范围内具有发光峰值；以及第二红色荧光体，在630nm至640nm范围内具有发光峰值，所述第一红色荧光体及第二红色荧光体的半宽度分别为20nm至60nm范围内。
[0016]尤其，Ra可以为80至98范围内，R8可以为72以上。
[0017]所述第一红色荧光体及第二红色荧光体可以为(Ca,Sr)S:Eu系的荧光体。然而本专利技术并不局限于特定的硫化物荧光体，也可以使用发光峰值及半宽度满足上述条件的其他的红色荧光体。
[0018]在特定的实施例中，所述第一红色荧光体及第二红色荧光体的半宽度可以为50nm至60nm范围内。
[0019]另外，所述绿色荧光体可以包括Lu3(Al,Ga)5O
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:Ce(LuAG)系的荧光体。
[0020]进而，所述照明装置的所述荧光体还可以包括：黄色荧光体，在550nm至600nm范围内具有发光峰值。
[0021]调节绿色荧光体、黄色荧光体及红色荧光体的配合比能够满足所要求的的显色指数。并且，通过使用两种具有相对较窄的半宽度的红色荧光体，能够在不减小光度的同时实现R8。
[0022]所述照明装置可以包括发光二极管灯丝。所述发光二极管灯丝可以包括：支撑基板；多个所述发光二极管芯片，粘结于所述支撑基板上；引线，电连接所述发光二极管芯片；以及封装材料，将所述多个发光二极管芯片封装，其中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管灯丝，包括：支撑基板，具有第一面和第二面；多个发光二极管芯片，布置于所述支撑基板的第一面上，并且射出蓝色光；第一金属板及第二金属板，贴附于所述支撑基板而与所述多个发光二极管芯片电连接；以及封装材料，覆盖布置于所述支撑基板的第一面上的多个发光二极管芯片以及所述第一金属板及第二金属板，其中，所述封装材料包括在500nm至550nm范围内具有发光峰值的绿色荧光体以及在600nm至650nm范围内具有发光峰值的红色荧光体，所述红色荧光体包括第一红色荧光体及第二红色荧光体，所述第一红色荧光体的发光峰值波长小于所述第二红色荧光体的发光峰值波长，Ra为80至98范围内，R8超过70。2.根据权利要求1所述的发光二极管灯丝，其中，所述第一红色荧光体及第二红色荧光体的半宽度为20nm至60nm范围内。3.根据权利要求1所述的发光二极管灯丝，其中，所述第一红色荧光体在620nm至630nm范围内具有发光峰值，所述第二红色荧光体在630nm至640nm范围内具有发光峰值。4.根据权利要求1所述的发光二极管灯丝，其中，所述封装材料还包括：黄色荧光体，具有550nm至600nm范围内的发光峰值。5.根据权利要求1所述的发...

【专利技术属性】
技术研发人员：李钟国，宋俊命，李成真，
申请(专利权)人：首尔半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：