微型发光二极管及显示面板制造技术

技术编号:27499734 阅读:12 留言:0更新日期:2021-03-02 18:23
本申请提供一种微型发光二极管,其包括一发光芯片本体和一光转换结构,所述光转换结构设置于所述发光芯片本体的发光侧,并用于将所述发光芯片本体发出的光转换为白光;其中,所述光转换结构包括缓冲层和光转换单元,所述缓冲层上设置有至少一凹槽,所述光转换单元容置于所述凹槽内。本申请提高了蓝光芯片的光能利用率,降低了产品的能耗。降低了产品的能耗。降低了产品的能耗。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管及显示面板


[0001]本申请涉及显示
,具体涉及一种微型发光二极管及显示面板。

技术介绍

[0002]Micro LED(Micro Light Emitting Diode,微型发光二极管)显示器具有可靠性高、色域高、亮度高、透明度高、像素密度高等优点,且Micro LED显示器的封装要求低,非常容易实现柔性及无缝拼接显示,是未来极具有发展潜力的显示器。
[0003]目前,在Micro LED显示器的全彩化显示技术中,通常采用蓝光+光致转换层的方案来实现全彩化显示。具体的,通过在驱动基板的红像素、绿像素和蓝像素位置处分别转移蓝光芯片,然后在彩膜基板上分别打印红色量子点和绿色量子点,并通过上下基板的对位贴合来实现颜色的转换,以实现全彩化显示。由于该方案需要防止红像素、绿像素和蓝像素之间的串色,因而通常需要在相邻像素对应的量子点之间单独设置黑色遮光结构。
[0004]然而,由于采用喷墨打印的方式在彩膜基板上形成红绿量子点来实现颜色转换时,相邻量子点之间黑色遮光结构的厚度较大,使得蓝光芯片发出的部分光因被黑色遮光结构吸收而损失掉,进而大大降低了蓝光芯片的光能利用率,增加了产品的能耗。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种微型发光二极管及显示面板,以解决蓝光芯片光能利用率降低的技术问题。
[0006]本申请提供一种微型发光二极管,其包括:
[0007]一发光芯片本体;以及
[0008]一光转换结构,所述光转换结构设置于所述发光芯片本体的发光侧,并用于将所述发光芯片本体发出的光转换成白光;
[0009]其中,所述光转换结构包括缓冲层和光转换单元,所述缓冲层上设置有至少一凹槽,所述光转换单元容置于所述凹槽内。
[0010]在本申请的微型发光二极管中,所述凹槽的数量为多个,每一所述凹槽内均容置有所述光转换单元。
[0011]在本申请的微型发光二极管中,自所述缓冲层的两侧向所述缓冲层的中心的方向上,相邻所述凹槽之间的距离递增。
[0012]在本申请的微型发光二极管中,所述发光芯片本体发出的光为蓝光;
[0013]所述光转换单元的材料包括红色量子点和绿色量子点。
[0014]在本申请的微型发光二极管中,所述发光芯片本体包括:
[0015]一第一电极;
[0016]一第二电极,所述第二电极和所述第一电极相邻设置;
[0017]一电流扩散层,所述电流扩散层设置于所述第二电极上;
[0018]一第一半导体层,所述第一半导体层设置于所述电流扩散层上;
[0019]一发光层,所述发光层设置于所述第一半导体层上;以及
[0020]一第二半导体层,所述第二半导体层设置于所述发光层上,并覆盖所述第一电极,所述光转换结构位于所述第二半导体层上。
[0021]在本申请的微型发光二极管中,所述微型发光二极管还包括一阻隔结构层,所述阻隔结构层设置于所述光转换结构上;
[0022]所述阻隔结构层包括依次设置于所述光转换结构上的第一无机层、有机层和第二无机层。
[0023]本申请还提供一种显示面板,其包括:
[0024]驱动基板;以及
[0025]多个微型发光二极管,多个所述微型发光二极管设置于所述驱动基板上,并电性连接于所述驱动基板;
[0026]其中,所述微型发光二极管包括:
[0027]一发光芯片本体;以及
[0028]一光转换结构,所述光转换结构设置于所述发光芯片本体的发光侧,并用于将所述发光芯片本体发出的光转换成白光;
[0029]其中,所述光转换结构包括缓冲层和光转换单元,所述缓冲层上设置有至少一凹槽,所述光转换单元容置于所述凹槽内。
[0030]在本申请的显示面板中,所述凹槽的数量为多个,每一所述凹槽内均容置有所述光转换单元。
[0031]在本申请的显示面板中,自所述缓冲层的两侧向所述缓冲层的中心的方向上,相邻所述凹槽之间的距离递增。
[0032]在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括一遮光单元,所述遮光单元设置于相邻的所述微型发光二极管之间。
[0033]相较于现有技术中的微型发光二极管,本申请提供的微型发光二极管通过将光转换单元集成在发光芯片本体上,具体的,通过在缓冲层上设置至少一凹槽,并将光转换单元容置于凹槽内,进而缩短了发光芯片本体与光转换单元之间的距离,使得发光芯片本体发出的光能够有效地被光转换单元吸收,从而提高了发光芯片本体的光能利用率,降低了光能的损耗,进而降低了产品的能耗。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是本申请实施例提供的微型发光二极管的结构示意图;
[0036]图2是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图;
[0037]图3是本申请实施例提供的显示面板中微型发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
[0038]下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
[0039]在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0040]在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0041]在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管,其特征在于,包括:一发光芯片本体;以及一光转换结构,所述光转换结构设置于所述发光芯片本体的发光侧,并用于将所述发光芯片本体发出的光转换成白光;其中,所述光转换结构包括缓冲层和光转换单元,所述缓冲层上设置有至少一凹槽,所述光转换单元容置于所述凹槽内。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管,其特征在于,所述凹槽的数量为多个,每一所述凹槽内均容置有所述光转换单元。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管,其特征在于,自所述缓冲层的两侧向所述缓冲层的中心的方向上,相邻所述凹槽之间的距离递增。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管,其特征在于,所述发光芯片本体发出的光为蓝光;所述光转换单元的材料包括红色量子点和绿色量子点。5.根据权利要求1所述的微型发光二极管,其特征在于,所述发光芯片本体包括:一第一电极;一第二电极,所述第二电极和所述第一电极相邻设置;一电流扩散层,所述电流扩散层设置于所述第二电极上;一第一半导体层,所述第一半导体层设置于所述电流扩散层上;一发光层,所述发光层设置于所述第一半导体层上;以及一第二半导体层,所述第二半导体层设置于所述发光层上,并覆盖所述第一电极,所述光转换...

【专利技术属性】
技术研发人员:樊勇
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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