用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件及监测方法技术

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件及监测方法。其中器件包括由下至上依次层叠的衬底层、绝缘层和测试结构层，所述测试结构层设于所述绝缘层上，用于在热低温退火腔工作时发生硅化镍反应，所述测试结构层包括：多晶硅层，所述多晶硅层覆盖在所述绝缘层上，所述多晶硅层具有稳定的方块电阻；含镍金属层，所述含镍金属层覆盖在所述多晶硅层上；氮化钛层，所述氮化钛层覆盖在所述含镍金属层，所述氮化钛层具有稳定的方块电阻。方法包括使用上述用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件，以真实地监测热低温退火腔热稳定性。以真实地监测热低温退火腔热稳定性。以真实地监测热低温退火腔热稳定性。

【技术实现步骤摘要】
用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件及监测方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件及监测方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件集成度的持续增大，以及相关临界尺寸的持续减小，金属硅化物材料及工艺已被广泛地应用于MOS器件中，以降低MOS器件的栅极和源漏极的表面电阻和接触电阻。用于形成该金属硅化物的金属材料通常采用钛、钴等，为了进一步降低接触电阻，MOS器件中的金属硅化物越来越多地采用硅化镍。
[0003]在制作MOS器件的硅化镍时，先在硅片上沉积镍金属层，再在温度为300摄氏度左右的环境中，即通过热低温处理过程，使得镍金属层与硅反应生成硅化镍Ni
2-x
Si
x
。一旦该低温热处理过程的温度不稳定，则会使得镍原子沿着硅衬底的晶格缺陷扩散至硅衬底中，不利于MOS晶体管的性能。因此需要对该热低温处理过程进行有效地监控。以判断热低温处理过程的热稳定性。
[0004]由于，进行热低温处理的温度为硅化镍Ni
2-x
Si<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件，其特征在于，所述用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件包括：由下至上依次层叠的衬底层、绝缘层和测试结构层，所述测试结构层设于所述绝缘层上，用于在热低温退火腔工作时发生硅化镍反应，所述测试结构层包括：多晶硅层，所述多晶硅层覆盖在所述绝缘层上，具有稳定的方块电阻；含镍金属层，所述含镍金属层覆盖在所述多晶硅层上；氮化钛层，所述氮化钛层覆盖在所述含镍金属层，具有稳定的方块电阻。2.如权利要求1所述的用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的材料包括二氧化硅。3.如权利要求1所述的用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件，其特征在于，所述多晶硅层的晶格具有各向同性。4.如权利要求1所述的用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为1K至2K。5.如权利要求1所述的用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件，其特征在于，所述测试结构层的含镍金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：周星星，郑刚，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：