后端工序中光刻对准图形的形成方法技术

本申请公开了一种后端工序中光刻对准图形的形成方法，包括：通过CMP工艺对进行平坦化处理，去除预定深度的金属层，金属层形成于阻挡层上，阻挡层形成于介质层和沟槽的表面，介质层形成于衬底上，沟槽形成于介质层中，沟槽与光刻工艺中的对准图形相对应；通过去胶机进行灰化处理以去除平坦化处理过程中产生的副产物；进行刻蚀，去除沟槽外的介质层和阻挡层。本申请提供的方法中由于CMP工艺中的副产物被灰化去除，因此解决了相关技术中由于在沟槽中存在反应副产物从而影响后续光刻工艺的问题，提高了后端工序中的光刻对准度。提高了后端工序中的光刻对准度。提高了后端工序中的光刻对准度。

【技术实现步骤摘要】
后端工序中光刻对准图形的形成方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种后端(back end of line，BEOL)工序中光刻对准图形(alignment mark)的形成方法。

技术介绍

[0002]半导体制造的后端工序中，通常在介质层中刻蚀形成金属连线的通孔，填充第一层金属层，再对第一层金属层进行平坦化，通孔中的金属层形成金属连线，再形成第二层金属层，实现上下金属层的互连。其中，光刻对准图形与金属连线在相同的工序中形成。
[0003]参考图1，其示出了相关技术中提供的后端工序中，通过化学机械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)工艺进行平坦化后的剖面示意图。如图1所示，衬底110上形成有介质层120，介质层120中形成有沟槽101，该沟槽101用作后续工序的光刻对准图形，在形成金属层130后，通过CMP工艺进行平坦化处理，由于沟槽101较深，因此在平坦化的过程中，会有较大的几率使研磨中产生的副产物200卡进沟槽101中，从而降低了后续工序中的光刻对准的准确度。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种后端工序中光刻对准图形的形成方法，其特征在于，包括：通过CMP工艺对进行平坦化处理，去除预定深度的金属层，所述金属层形成于阻挡层上，所述阻挡层形成于介质层和沟槽的表面，所述介质层形成于衬底上，所述沟槽形成于介质层中，所述沟槽与光刻工艺中的对准图形相对应；通过去胶机进行灰化处理以去除所述平坦化处理过程中产生的副产物；进行刻蚀，去除所述沟槽外的介质层和阻挡层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过CMP工艺对进行平坦化处理之前，还包括：在所述衬底上形成所述介质层；在所述介质层中形成所述沟槽；依次形成所述阻挡层和所述金属层。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超逸，梁金娥，冯秦旭，郭莉莉，吴建荣，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：