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本申请公开了一种后端工序中光刻对准图形的形成方法，包括：通过CMP工艺对进行平坦化处理，去除预定深度的金属层，金属层形成于阻挡层上，阻挡层形成于介质层和沟槽的表面，介质层形成于衬底上，沟槽形成于介质层中，沟槽与光刻工艺中的对准图形相对应；通...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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