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本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件及监测方法。其中器件包括由下至上依次层叠的衬底层、绝缘层和测试结构层，所述测试结构层设于所述绝缘层上，用于在热低温退火腔工作时发生硅化镍反应，所述测试结构层包...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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