一种裸硅封装MOS管制造技术

本发明专利技术公开了一种裸硅封装MOS管，包括底板、陶瓷座和MOS管本体，所述陶瓷座固定连接在底板上表面，所述陶瓷座上表面中间位置开设有圆弧槽，所述圆弧槽内壁粘接有橡胶条，所述陶瓷座表面分别固定连接卡座和连接座，所述连接座顶端铰链连接顶板，所述顶板上表面固定连接肋条，所述顶板下表面中间位置固定连接橡胶座。本发明专利技术通过顶板对MOS管本体进行抗压保护，防磨损和防撞击性能好，肋条提高顶板的结构强度，防止变形和断裂，陶瓷座对MOS管本体支撑固定，具有防漏电保护效果，防止MOS管本体漏电传递至壳体表面，提高使用的安全性。提高使用的安全性。提高使用的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种裸硅封装MOS管


[0001]本专利技术涉及MOS管相关
，具体为一种裸硅封装MOS管。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
[0003]MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。
[0004]但是，现有的裸硅封装MOS管在使用的时候存在以下缺点：
[0005]1、裸硅封装MOS管在相对壳体安装的时候，不具备抗压防撞保护，在组装的时候，MOS管受到磨损或者撞击，均会造成其功能的衰减，甚至造成报废；
[0006]2、裸硅封装MOS管与壳体之间直接安装，存在漏电的可能性，降低使用效果。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种裸硅封装MOS管，以解决上述
技术介绍
中的裸硅封装MOS管在相对壳体安装的时候，不具备抗压防撞保护，在组装的时候，MOS管受到磨损或者撞击，均会造成其功能的衰减，甚至造成报废；裸硅封装MOS管与壳体之间直接安装，存在漏电的可能性，降低使用效果的问题。
[0008]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种裸硅封装MOS管，包括底板、陶瓷座和MOS管本体，所述陶瓷座固定连接在底板上表面，所述陶瓷座上表面中间位置开设有圆弧槽，所述圆弧槽内壁粘接有橡胶条，所述陶瓷座表面分别固定连接卡座和连接座，所述连接座顶端铰链连接顶板，所述顶板上表面固定连接肋条，所述顶板下表面中间位置固定连接橡胶座，通过顶板对MOS管本体进行抗压保护，防磨损和防撞击性能好，肋条提高顶板的结构强度，防止变形和断裂，陶瓷座对MOS管本体支撑固定，具有防漏电保护效果，防止MOS管本体漏电传递至壳体表面，提高使用的安全性。
[0009]优选的，所述顶板自由端下表面位置固定连接卡台，所述卡台外部套接有橡胶圈，
MOS管本体底部插接在陶瓷座的圆弧槽内部，相对连接座转动顶板，顶板下方的橡胶座压合在MOS管本体上表面，方便快速安装，顶板的卡台插接在卡座内部，实现了对MOS管本体的压紧固定。
[0010]优选的，所述陶瓷座正面位置开设有置物槽，所述置物槽内部安装夹座，陶瓷座对MOS管本体支撑固定，具有防漏电保护效果，防止MOS管本体漏电传递至壳体表面，提高使用的安全性，通过在置物槽内部放置袋装干燥剂，具有很好的吸湿防潮功能，夹座对袋装干燥剂夹持固定，提高稳定性。
[0011]优选的，所述顶板上表面靠近端面位置固定连接提手，所述肋条为若干个，且等距分布在顶板上表面，通过顶板对MOS管本体进行抗压保护，防磨损和防撞击性能好，肋条提高顶板的结构强度，防止变形和断裂。
[0012]优选的，所述橡胶座内部开设有空腔，所述空腔内部活动连接弹性球，通过橡胶座对MOS管本体夹持固定，提高稳定性。
[0013]优选的，所述橡胶条表面一体成型有橡胶凸点，且橡胶凸点等距分布在橡胶条表面，通过橡胶条对MOS管本体提供支撑力，防止侧滑，提高稳定性。
[0014]本专利技术提供了一种裸硅封装MOS管，具备以下有益效果：
[0015](1)本专利技术陶瓷座固定连接在底板上表面，陶瓷座上表面中间位置开设有圆弧槽，圆弧槽内壁粘接有橡胶条，MOS管本体插接在陶瓷座的圆弧槽内部，通过顶板对MOS管本体进行抗压保护，防磨损和防撞击性能好，肋条提高顶板的结构强度，防止变形和断裂。
[0016](2)本专利技术MOS管本体底部插接在陶瓷座的圆弧槽内部，相对连接座转动顶板，顶板下方的橡胶座压合在MOS管本体上表面，方便快速安装，顶板的卡台插接在卡座内部，实现了对MOS管本体的压紧固定，陶瓷座对MOS管本体支撑固定，具有防漏电保护效果，防止MOS管本体漏电传递至壳体表面，提高使用的安全性。
附图说明
[0017]图1为本专利技术的整体结构示意图；
[0018]图2为本专利技术的顶板结构示意图；
[0019]图3为本专利技术的橡胶座结构示意图；
[0020]图4为本专利技术的底板和陶瓷座连接结构示意图。
[0021]图中：1、底板；2、陶瓷座；3、置物槽；301、夹座；4、MOS管本体；5、连接座；6、卡座；7、顶板；701、肋条；702、提手；8、橡胶座；801、空腔；802、弹性球；9、卡台；901、橡胶圈；10、圆弧槽；11、橡胶条；12、橡胶凸点。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0023]如图1-4所示，本专利技术提供技术方案：一种裸硅封装MOS管，包括底板1、陶瓷座2和MOS管本体4，所述陶瓷座2固定连接在底板1上表面，所述陶瓷座2上表面中间位置开设有圆弧槽10，所述圆弧槽10内壁粘接有橡胶条11，所述陶瓷座2表面分别固定连接卡座6和连接座5，所述连接座5顶端铰链连接顶板7，所述顶板7上表面固定连接肋条701，所述顶板7下表
面中间位置固定连接橡胶座8，通过顶板7对MOS管本体4进行抗压保护，防磨损和防撞击性能好，肋条701提高顶板7的结构强度，防止变形和断裂，陶瓷座2对MOS管本体4支撑固定，具有防漏电保护效果，防止MOS管本体4漏电传递至壳体表面，提高使用的安全性。
[0024]所述顶板7自由端下表面位置固定连接卡台9，所述卡台9外部套接有橡胶圈901，MOS管本体4底部插接在陶瓷座2的圆弧槽10内部，相对连接座5转动顶板7，顶板7下方的橡胶座8压合在MOS管本体4上表面，方便快速安装，顶板7的卡台9插接在卡座6内部，实现了对MOS管本体4的压紧固定。
[0025]所述陶瓷座2正面位置开设有置物槽3，所述置物槽3内部安装夹座301，陶瓷座2对MOS管本体4支撑固定，具有防漏电保护效果，防止MOS管本体4漏电传递至壳体表面，提高使用的安全性，通过在置物槽3内部放置袋装干燥剂，具有很好的吸湿防潮功能，夹座301对袋装干燥剂夹持固定，提高稳定性。
[0026]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种裸硅封装MOS管，其特征在于：包括底板(1)、陶瓷座(2)和MOS管本体(4)，所述陶瓷座(2)固定连接在底板(1)上表面，所述陶瓷座(2)上表面中间位置开设有圆弧槽(10)，所述圆弧槽(10)内壁粘接有橡胶条(11)，所述陶瓷座(2)表面分别固定连接卡座(6)和连接座(5)，所述连接座(5)顶端铰链连接顶板(7)，所述顶板(7)上表面固定连接肋条(701)，所述顶板(7)下表面中间位置固定连接橡胶座(8)。2.根据权利要求1所述的一种裸硅封装MOS管，其特征在于：所述顶板(7)自由端下表面位置固定连接卡台(9)，所述卡台(9)外部套接有橡胶圈(901)。3.根据权利要求1所述的一种裸...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂振坤，苗义敬，王泽斌，
申请(专利权)人：普森美微电子技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：