一种半导体制冷片散热器结构制造技术

技术编号:27495685 阅读:26 留言:0更新日期:2021-03-02 18:16
本实用新型专利技术公开了一种半导体制冷片散热器结构,具体涉及半导体制冷片领域,包括基座,所述基座顶部设置有半导体发电装置,所述半导体发电装置底部设置有水循环装置,所述半导体发电装置包括半导体制冷片本体,所述半导体制冷片本体包括第一硅脂片。本实用新型专利技术通过设置有半导体发电装置,与水循环装置,N型半导体和P型半导体构成的热电偶制冷元件,N型半导体和P型半导体连接成一个回路,会形成一个低温热源之间的温差,当电子从P型穿过结点至N型时,结点的温度降低,其能量必然增加形成一个温差发电的效果,在传递给循环水泵,使其水流动,不会因为温差均衡而导致的失去动力,减少了电能的损耗,节约成本。节约成本。节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体制冷片散热器结构


[0001]本技术涉及半导体散热器
,更具体地说,本技术涉及一种半导体制冷片散热器结构。

技术介绍

[0002]半导体制冷片是一种冷却装置,半导体制冷片适用于军事、医疗、日常生活、实验室装置、专用装置等领域,并具有无震动噪音、无需制冷剂、实时温度控制、可控温差范围等特点,因此被广泛用于散热器上。
[0003]但是在实际使用时单一的半导体制冷片散热的效果不理想,且大型的设备大多采用压缩机制冷散热,但是其方式耗电量巨大会造成能源的过度损耗。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的上述缺陷,本技术的实施例提供一种半导体制冷片散热器结构,通过设置有半导体发电装置,与水循环装置,N型半导体和P型半导体构成的热电偶制冷元件,N型半导体和P型半导体连接成一个回路,会形成一个低温热源之间的温差,当电子从P型穿过结点至N型时,结点的温度降低,其能量必然增加形成一个温差发电的效果,减少了电能的损耗,节约成本以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种半导体制冷片散热器结构,包括基座,所述基座顶部设置有半导体发电装置,所述半导体发电装置底部设置有水循环装置;
[0006]所述半导体发电装置包括半导体制冷片本体,所述半导体制冷片本体包括第一硅脂片,所述第一硅脂片底部设置有第一绝缘体,所述第一绝缘体底部设置有第一导电金属,所述第一导电金属底部设置有N型半导体,所述N型半导体一侧设置有P型半导体,所述N型半导体与P型半导体交替连接,所述N型半导体与P型半导体底部设置有第二导电金属,所述第二导电金属底部设置有第二绝缘体,所述第二绝缘体底部设置有第二硅脂片,所述第一导电金属一端设置有正极接头,所述第二导电金属一端设置有负极接头,所述正极接头与负极接头一端均设置有引流电线,所述引流电线一端连接有直流转换器;
[0007]所述水循环装置包括水箱,所述水箱一侧开设有出水口,所述出水口的底部开设有进水口,所述水箱一侧靠近出水口的位置处设置有隔离板,所述隔离板一侧设置有循环水泵,所述出水口内设置有出水管,所述出水管外面表面处设置有密封圈,所述出水管一端贯穿隔离板,并与循环水泵的抽水口固定连接,所述循环水泵一侧设置有L型水管,所述L型水管一端贯穿隔离板并与水箱的进水口固定连接。
[0008]在一个优选地实施方式中,所述基座顶部设置有外壳,且外壳表面开设有通风口,所述外壳与基座由金属材质制作而成。
[0009]在一个优选地实施方式中,所述第一硅脂片与第二硅脂片的厚度为0.03mm。
[0010]在一个优选地实施方式中,所述引流电线外表面的顶部设置有卡扣,且卡扣与基
座固定。
[0011]在一个优选地实施方式中,所述每个进水口与出水口处均设置有密封圈。
[0012]在一个优选地实施方式中,所述直流转换器的正负极与连接循环水泵的正负极,且此机构直流转换器为220V家用型。
[0013]在一个优选地实施方式中,所述水箱底部内表面一侧设置有分流板。
[0014]本技术的技术效果和优点:
[0015]1、通过整体设计,其中半导体发电装置中,N型半导体和P型半导体构成的热电偶制冷元件N型半导体和P型半导体连接成一个回路,会形成一个低温热源之间的温差,当电子从P型穿过结点至N型时,结点的温度降低,N型材料有多余的电子,有负温差电势,P型材料电子不足,当电子从P型穿过结点至N型时,结点的温度降低,其能量必然增加形成一个温差发电的效果,其能量必然增加形成一个温差发电的效果,减少了电能的损耗,节约成本;
[0016]2、通过设置水循环装置,半导体发电装置,在经过温差发电之后,把电能通过第一导电金属与第二金属的正负极传递电流之后,在经过直流转换器的转换之后在传递给循环水泵,使得水循环不会因为水流不循环导致达到恒温的效果使其失去电力。
附图说明
[0017]图1为本技术的整体的俯视结构示意图。
[0018]图2为本技术的半导体制冷片结构示意图。
[0019]图3为本技术的图1的A处结构示意图。
[0020]图4为本技术的机壳正视图结构示意图。
[0021]附图标记为:1、基座;2、第一硅脂片;3、第一绝缘体;4、第一导电金属;5、N型半导体;6、P型半导体;7、第二导电金属;8、第二绝缘体;9、第二硅脂片;10、正极接头;11、负极接头;12、引流电线;13、直流转换器;14、水箱;15、出水口;16、进水口;17、隔离板;18、循环水泵;19、出水管;20、密封圈;21、抽水口;22、L型水管;23、外壳;24、通风口;25、卡扣;26、分流板。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0023]如附图1-4所示的一种半导体制冷片散热器结构,包括基座1,基座1顶部设置有半导体发电装置,半导体发电装置底部设置有水循环装置;
[0024]半导体发电装置包括半导体制冷片本体,半导体制冷片本包括第一硅脂片2,第一硅脂片2底部设置有第一绝缘体3,第一绝缘体3底部设置有第一导电金属4,第一导电金属4底部设置有N型半导体5,N型半导体5一侧设置有P型半导体6,N型半导体5与P型半导体6交替连接,N型半导体5与P型半导体6底部设置有第二导电金属7,第二导电金属7底部设置有第二绝缘体8,第二绝缘体8底部设置有第二硅脂片9,第一导电金属4一端设置有正极接头10,第二导电金属7一端设置有负极接头11,正极接头10与负极接头11一端均设置有引流电
线12,引流电线12一端连接有直流转换器13;
[0025]水循环装置包括水箱14,水箱14一侧开设有出水口15,出水口15的底部开设有进水口16,水箱14一侧靠近出水口15的位置处设置有隔离板17,隔离板17一侧设置有循环水泵18,出水口15内设置有出水管19,出水管19外面表面处设置有密封圈20,出水管19一端贯穿隔离板17,并与循环水泵18的抽水口21固定连接,循环水泵18一侧设置有L型水管22,L型水管22一端贯穿隔离板17并与水箱14的进水口16固定连接。
[0026]进一步的,基座1顶部设置有外壳23,且外壳23表面开设有通风口24,外壳23与基座1均由金属材质制作而成,基座1顶部的外壳23可以有效的放置内部装置的损坏。
[0027]进一步的,第一硅脂片2与第二硅脂片9的厚度均为0.03mm,硅脂片具有良好的柔韧性,使其接触的面积更大,0.33mm的硅脂片导能效果更好。
[0028]进一步的,引流电线12外表面的顶部设置有卡扣25,且卡扣25与基座1固本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制冷片散热器结构,包括基座(1),其特征在于:所述基座(1)顶部设置有半导体发电装置,所述半导体发电装置底部设置有水循环装置;所述半导体发电装置包括半导体制冷片本体,所述半导体制冷片本体包括第一硅脂片(2),所述第一硅脂片(2)底部设置有第一绝缘体(3),所述第一绝缘体(3)底部设置有第一导电金属(4),所述第一导电金属(4)底部设置有N型半导体(5),所述N型半导体(5)一侧设置有P型半导体(6),所述N型半导体(5)与P型半导体(6)交替连接,所述N型半导体(5)与P型半导体(6)底部设置有第二导电金属(7),所述第二导电金属(7)底部设置有第二绝缘体(8),所述第二绝缘体(8)底部设置有第二硅脂片(9),所述第一导电金属(4)一端设置有正极接头(10),所述第二导电金属(7)一端设置有负极接头(11),所述正极接头(10)与负极接头(11)一端均设置有引流电线(12),所述引流电线(12)一端连接有直流转换器(13);所述水循环装置包括水箱(14),所述水箱(14)一侧开设有出水口(15),所述出水口(15)的底部开设有进水口(16),所述水箱(14)一侧靠近出水口(15)的位置处设置有隔离板(17),所述隔离板(17)一侧设置有循环水泵(18),所述出水口(15)内设置有出水管(19...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈文斌
申请(专利权)人:江西北冰洋实业有限公司
类型:新型
国别省市:

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