半导体管芯、其制造方法、及半导体封装技术

提供一种半导体管芯。所述半导体管芯包括半导体衬底、内连结构、多个导电接垫、第一钝化层及第二钝化层。内连结构设置在半导体衬底上。导电接垫设置在内连结构之上且电连接到内连结构。第一钝化层及第二钝化层依序堆叠在导电接垫上。第一钝化层及第二钝化层填充所述导电接垫中的两个相邻的导电接垫之间的间隙。第一钝化层包括第一区段及第二区段。第一区段实质上平行于内连结构的顶表面延伸。第二区段面对导电接垫中的一者的侧表面。第一区段的厚度与第二区段的厚度不同。与第二区段的厚度不同。与第二区段的厚度不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体管芯、其制造方法、及半导体封装


[0001]本专利技术实施例涉及半导体管芯、其制造方法、及半导体封装。

技术介绍

[0002]用于各种电子装置(例如手机及其他移动电子设备)中的半导体器件及集成电路通常是在单个半导体晶片上制造。可在晶片级上对晶片的管芯进行处理并与其他半导体器件或管芯封装在一起，且已经开发出用于晶片级封装的各种技术及应用。多个半导体器件的集成已成为此领域中的挑战。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一些实施例，一种半导体管芯包括半导体衬底、内连结构、多个导电接垫、第一钝化层及第二钝化层。所述内连结构设置在所述半导体衬底上。所述导电接垫设置在所述内连结构之上且电连接到所述内连结构。所述第一钝化层及所述第二钝化层依序堆叠在所述导电接垫上。所述第一钝化层及所述第二钝化层填充所述导电接垫中的两个相邻的导电接垫之间的间隙。所述第一钝化层包括第一区段及第二区段。所述第一区段实质上平行于所述内连结构的顶表面延伸。所述第二区段面对所述导电接垫中的一者的侧表面。所述第一区段的厚度与所述第二区段的厚度不同。
附图说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体管芯，包括：半导体衬底；内连结构，设置在所述半导体衬底上；多个导电接垫，设置在所述内连结构之上且电连接到所述内连结构；以及第一钝化层及第二钝化层，依序堆叠在所述导电接垫上，其中所述第一钝化层及所述第二钝化层填充...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洁，陈宪伟，陈明发，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：