本申请涉及一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其包括：检测机台和安装在所述检测机台上的机台手臂，所述检测机台上设有用于对晶片进行检测的检测组件；所述机台手臂包括起抓取作用的抓取部、起限位作用的限位部和设置在所述机台手臂上的传感器。该深硅刻蚀后晶片的传送装置，可以有效检测各种沉膜颜色的晶圆，扩大了装置的检测范围，有效地避免了传送中晶片出现脱片的现象。片出现脱片的现象。片出现脱片的现象。
【技术实现步骤摘要】
用于深硅刻蚀后晶片的传送装置
[0001]本专利技术涉及一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，属于半导体制造领域。
技术介绍
[0002]微机电系统的制造工艺中，晶片是必不可少的器件之一，MEMS架构的构建过程中，通常需要对晶片进行多个工序的加工，大多数工序都需要对晶片进行抓取，目前，取晶片的手臂一般采用真空吸附的方式对晶片进行吸取，而深硅刻蚀后的晶片，被刻蚀的区域厚度低至20μm，由于厚度太小，真空会将晶片吸破，造成损失，并导致晶片检测系统无法检测到晶片。由于受传送空间的影响，手臂厚度无法增加，因此，目前通常通过检测晶面识别产品。但是当晶面沉膜颜色较暗时，由于手臂上传感器的发射段和接收端在一起，光线发射到晶面后反射光十分微弱，检测端无接收信号，导致无法准确侦测产品，机台无法正常传片。同时，部分晶片在刻蚀后会出现翘曲现象，现有的手臂在抓取过程中，存在往往由于摩擦力不足导致抓取晶圆时会脱片现象。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种深硅刻蚀后晶片的传送装置，可以有效检测各种沉膜颜色的晶圆，扩大了装置的检测范围，有效地避免了传送中晶片出现脱片的现象。
[0004]为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，包括：
[0005]检测机台和安装在所述检测机台上的机台手臂，所述检测机台上设有用于对晶片进行检测的检测组件；所述机台手臂包括起抓取作用的抓取部、起限位作用的限位部和设置在所述机台手臂上的传感器。
[0006]进一步地，所述抓取部被配置成与所述晶片大小相适应的U型结构，所述限位部设置在所述U新结构的平滑底端，且被配置在位于所述晶片的边缘位置。
[0007]进一步地，所述限位部设置在所述平滑底端的上方，且所述限位部被配置与所述平滑底端相同的弧形结构。
[0008]进一步地，所述传感器包括设置在所述抓取部上的发射端和设置在所述限位部上的接收端；或者，包括设置在所述抓取部上的接收端和设置在所述限位部上的发射端。
[0009]进一步地，当所述抓取部承载所述晶片时，所述接收端无法检测到来自所述发射端的信号。
[0010]进一步地，设置在所述抓取部上的发射端或接收端为去除屏蔽层后的发射光纤或接收光纤。
[0011]进一步地，所述抓取部上设有用于安装所述发射端或接收端的凹槽。
[0012]进一步地，所述传感器与所述检测机台电性连接，以给所述检测机台发送信号。
[0013]进一步地，所述抓取部上还设有防滑件，以增加所述晶片与抓取部之间的摩擦力。
[0014]进一步地，所述防滑件为橡胶防滑圈。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：本专利技术的深硅刻蚀后晶片的传送装置采用托取的方式来抓取晶片，并设置防滑件来保证抓取牢固，同时，设置传感器检测是否成功抓取，解决了真空吸附晶片会造成晶片破碎的问题，避免了不必要的损失，提高了生产效率。
[0016]并且，传感器采用发射端和接收端分体式设计，考虑到空间不足的问题，在机台手臂的抓取部上开设凹槽，以便于光纤排线，并去除抓取部光纤的屏蔽层。通过设定反向检测方式，当接收端检测不到信号时输出信号，并将信号传输给检测机台。
[0017]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
[0018]图1为本专利技术一实施例所示的深硅刻蚀后晶片的传送装置的结构示意图；
[0019]图2为图1所示的深硅刻蚀后晶片的传送装置中的局部结构放大示意图。
具体实施方式
[0020]下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。
[0021]需要说明的是：本专利技术的“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等用语只是参考附图对本专利技术进行说明，不作为限定用语。
[0022]请参见图1和图2，本专利技术一实施例所示的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置包括检测机台和安装在所述检测机台上的机台手臂，其中，所述检测机台上设有用于对晶片进行检测的检测组件；所述机台手臂包括起抓取作用的抓取部1、起限位作用的限位部2和设置在所述机台手臂上的传感器3。
[0023]在本实施例中，所述抓取部1被配置成与所述晶片大小相适应的U型结构，所述限位部2设置在所述U新结构的平滑底端，且被配置在位于所述晶片的边缘位置。所述限位部2设置在所述平滑底端的上方，且所述限位部2被配置与所述平滑底端相同的弧形结构。
[0024]在本实施例中，所述传感器3包括设置在所述抓取部1上的发射端31和设置在所述限位部2上的接收端32；诚然，在其他实施例中，其还可以是设置在所述抓取部1上的接收端32和设置在所述限位部2上的发射端31。并且，当所述抓取部1承载所述晶片时，所述接收端32无法检测到来自所述发射端31的信号。
[0025]考虑到空间不足的问题，设置在所述抓取部1上的发射端31或接收端32为去除屏蔽层后的发射光纤或接收光纤。同时，在所述抓取部1上开设有用于安装所述发射端31或接收端32的凹槽10，以便于光纤排线。
[0026]在本实施例中，所述传感器3与所述检测机台电性连接，以给所述检测机台发送信号。当接收端32检测不到信号时输出信号，并将信号传输给检测机台，此时检测机台认为晶片已成功抓取，即可进行后续工序。
[0027]由于采用托取的方式对晶片进行抓取，为避免晶片在传送过程中出现脱片和滑片等现象，在所述抓取部1上还设有防滑件4，以增加所述晶片与抓取部1之间的摩擦力。优选的，所述防滑件4为橡胶防滑圈。
[0028]综上所述：本专利技术的深硅刻蚀后晶片的传送装置可以有效检测各种沉膜颜色的晶圆，扩大了装置的检测范围，有效地避免了传送中晶片出现脱片的现象。
[0029]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0030]以上所述实施例仅表达了本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。因此，本专利技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，包括：检测机台和安装在所述检测机台上的机台手臂，所述检测机台上设有用于对晶片进行检测的检测组件；所述机台手臂包括起抓取作用的抓取部、起限位作用的限位部和设置在所述机台手臂上的传感器。2.如权利要求1所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述抓取部被配置成与所述晶片大小相适应的U型结构，所述限位部设置在所述U新结构的平滑底端，且被配置在位于所述晶片的边缘位置。3.如权利要求2所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述限位部设置在所述平滑底端的上方，且所述限位部被配置与所述平滑底端相同的弧形结构。4.如权利要求3所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述传感器包括设置在所述抓取部上的发射端和设置在所述限位部上的接收端；或者，包括设置在所述抓取部上的接收端和设置在所述限位部上...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯建炜，
申请(专利权)人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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