【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻设备的照明技术,特别是涉及基于空间光调制器的光刻设 备照明技术。
技术介绍
光刻法用于制造半导体器件。光刻法使用电磁辐射,如紫外(uv)、深uv 或可见光,在半导体器件设计中产生精细的图。许多种半导体器件,如二极管、 三极管、和集成电路,能够用光刻技术制作。光刻曝光系统通常包括照明系统、含有电路图的掩模版、投影系统、和用 于涂覆了光刻胶的硅片和硅片对准台。照明系统照射掩模版电路图,投影系统 把掩模版电路图照明区域的像投射到晶片上。在光刻中,对图像质量起关键作用的两个因素是分辨率和焦深。所以既要 获得更好的分辨率来形成关键尺寸的图形,又要保持合适的焦深。离轴照明技 术可以提高焦深并且提高了分辨率。当今先进的光刻工艺要求使用离轴照明技 术,包括环形照明、双极照明、四极照明等。通过合理的选择与曝光图案相匹 配的光瞳形状可以最大限度的提高工艺窗口 ,这就要求照明系统具有可调节的 光瞳形貌。中国专利CN1474235提供了一种光刻照明装置,该装置是采用衍射片、变 焦透镜组、 一对凹凸互补的旋转三棱镜来产生连续可变的照明光瞳。这种方法 在改变照明光瞳形状时 ...
【技术保护点】
一种光刻照明装置,按光束传播的方向依次包括: 光源系统,用以产生照射光束; 空间光调制系统,包括空间光调制器和控制设备; 匀光系统,用于控制照射光束; 掩模; 其特征在于:所述光源系统发出照射光束,经过所述空间光调制器、匀光系统,照射所述掩模。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郭勇,
申请(专利权)人:上海微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。