晶圆清洗装置制造方法及图纸

公开了一种晶圆清洗装置，包括输送管和喷嘴，所述喷嘴设置在所述输送管的一端，所述输送管的另一端与流量阀连接，其中，所述喷嘴呈莲蓬状。本申请的喷嘴呈莲蓬头状，并且在喷嘴朝向待清洗晶圆的表面上设置有多个喷孔，多个喷孔呈面分布，可以减小清洗液的流速，有助于降低对晶圆表面的冲击力，有效减弱高速液体流冲击晶圆表面造成的损伤，从而提高产品的良率以及可靠性。以及可靠性。以及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置


[0001]本技术涉及半导体的制造工艺领域，特别涉及晶圆清洗装置。

技术介绍

[0002]随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。
[0003]其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。
[0004]晶圆键合是在不使用粘结剂的情况下将两块经过抛光的晶圆紧密结合在一起，是半导体制造过程中的一个重要步骤。随着电子元器件向着高密度、小型化的方向发展，晶圆键合工艺由于可以实现不同晶圆间的电性连接、快速实现工艺层的堆叠，因而受到了越来越多的关注。
[0005]在晶圆键合前，需要对晶圆表面进行等离子体处理，然后再进行表面清洗，以去除晶圆表面的颗粒。
[0006]现有的晶圆键合设备中，常用的清洗晶圆的方法有两种：一种是表面式超声清洗，即在晶圆表面涂覆去离子水(DIW)，利用超声波将去离子水作用在晶圆表面，从而去除晶圆表面的颗粒；另一种是利用高压气体将去离子水高速喷出，直接冲洗晶圆表面，从而去除晶圆表面的颗粒。
[0007]然而，采用高压气体形成的高速水流冲洗晶圆表面虽然可以提高清洗效果，但是容易对晶圆表面造成损伤。

技术实现思路

[0008]鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种晶圆清洗装置，可以减弱有效减弱高速液体流冲击晶圆表面造成的损伤。
[0009]根据本技术的一方面，提供一种晶圆清洗装置，包括输送管和喷嘴，所述喷嘴设置在所述输送管的一端，所述输送管的另一端与流量阀连接，其中，所述喷嘴呈莲蓬状。
[0010]优选地，所述喷嘴包括喷嘴体和套于所述喷嘴体外部的套管，所述喷嘴体呈莲蓬状。
[0011]优选地，所述喷嘴体沿垂直方向的截面呈梯形。
[0012]优选地，所述喷嘴体包括第一表面和第二表面，其中，第一表面朝向套管，第二表面朝向待清洗晶圆。
[0013]优选地，所述第二表面上设置有多个喷孔。
[0014]优选地，所述第二表面呈圆形。
[0015]优选地，多个喷孔围成同心圆分布在第二表面上。
[0016]优选地，所述套管的端部与所述喷嘴体之间形成密封腔，用于容纳从喷嘴体内喷出的清洗液。
[0017]优选地，所述喷洗液为去离子水。
[0018]本技术实施例提供的晶圆清洗装置的喷嘴呈莲蓬头状，并且在喷嘴朝向待清洗晶圆的表面上设置有多个喷孔，多个喷孔呈面分布，即多个喷孔围成同心圆分布，可以减小清洗液的流速，有助于降低对晶圆表面的冲击力，有效减弱高速液体流冲击晶圆表面造成的损伤，从而提高产品的良率以及可靠性。
附图说明
[0019]通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
[0020]图1示出现有技术中晶圆清洗装置的示意图；
[0021]图2示出图1中晶圆清洗装置的俯视示意图；
[0022]图3示出根据本技术实施例的晶圆清洗装置的示意图；
[0023]图4示出图3中晶圆清洗装置的俯视示意图。
具体实施方式
[0024]以下将参照附图更详细地描述本技术的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
[0025]下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。
[0026]本技术中描述的“上方”，是指位于基板平面的上方，可以是指材料之间的直接接触，也可以是间隔设置。
[0027]在本申请中，术语“半导体结构”指在制造存储器件的各个步骤中形成的整个半导体结构的统称，包括已经形成的所有层或区域。在下文中描述了本技术的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本技术。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本技术。
[0028]本技术可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。
[0029]图1示出了现有技术中晶圆清洗装置的示意图。如图1所示，晶圆清洗装置包括输送管10和喷嘴20，喷嘴20设置在输送管10的一端，输送管的另一端连接流量阀，输送管用于输送清洗液，例如去离子水。清洗晶圆时，待清洗晶圆30位于喷嘴20的下方，喷嘴20朝向待清洗晶圆30的待清洗表面，待清洗晶圆30旋转，清洗液借助离心力在晶圆表面铺开，达到清洗整个晶圆表面的目的。
[0030]喷嘴20包括喷嘴体21以及套于喷嘴体21外部的套管22。套管22的端部与喷嘴体21之间形成密封腔，用于容纳从喷嘴体21喷出的清洗液。喷嘴体21和套管22均为圆柱体，如图2所示。在高压气体的压力下将清洗液从喷嘴喷出，由于喷嘴体为圆柱体，垂直于晶圆表面，高速液体柱直接作用于晶圆表面会形成强大的压力，容易对晶圆造成损伤。
[0031]为了有效减弱高速液体流冲击晶圆表面造成的损伤，从而提高产品的良率以及可靠性。本技术实施例对喷嘴体21进行了改进。
[0032]图3示出了本技术实施例提供的晶圆清洗装置的示意图。如图3所示，晶圆清洗装置包括输送管10和喷嘴20，喷嘴20设置在输送管10的一端，输送管的另一端连接流量阀，输送管用于输送清洗液，例如去离子水(DIW)。清洗晶圆时，待清洗晶圆30位于喷嘴20的下方，喷嘴20朝向待清洗晶圆30的待清洗表面，待清洗晶圆30旋转，清洗液借助离心力在晶圆表面铺开，达到清洗整个晶圆表面的目的。
[0033]喷嘴20包括喷嘴体21以及套于喷嘴体21外部的套管22。套管22的端部与喷嘴体21之间形成密封腔，用于容纳从莲蓬头喷出的清洗液。套管22为圆柱体，而喷嘴体21为蓬蓬头，其沿垂直方向的截面为梯形，喷嘴体21靠近套管22的表面为第一表面21a，靠近待清洗晶圆的表面为第二表面21b，第一表面的尺寸小于第二表面的尺寸。喷嘴体21的第二表面21b上有多个喷孔211，较佳的，第二表面21b呈圆形，多个喷孔211围成同心圆分布在第二表面21b上。
[0034]本技术实施例提供的晶圆清洗装置的喷嘴呈莲蓬头状，并且在喷嘴朝向待清洗晶圆的表面上设置有多个喷孔，多个喷孔呈面分布，可以减小清洗液的流速，有助于降低对晶圆表面的冲击力，有效减弱高速液体流冲击晶圆表面造成的损伤，从而提高产品的良率以及可靠性。
[0035]在以上的描述中，对于各层的构图、蚀刻等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括输送管和喷嘴，所述喷嘴设置在所述输送管的一端，所述输送管的另一端与流量阀连接，其中，所述喷嘴呈莲蓬状。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷嘴包括喷嘴体和套于所述喷嘴体外部的套管，所述喷嘴体呈莲蓬状。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷嘴体沿垂直方向的截面呈梯形。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷嘴体包括第一表面和第二表面，其中，第一表面朝向套管，第二表面朝...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国良，刘孟勇，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：