本实用新型专利技术公开了一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，包括蚀刻槽，蚀刻槽的顶部固定安装有供气装置，供气装置包括供气箱、气泵、供气管、传输管、第一分流管、第二分流管、喷气嘴，供气箱固定安装在蚀刻槽的顶部，供气箱的顶部固定连接有供气管，供气管的一侧端部固定连接有气泵，气泵固定设在蚀刻槽的一侧外壁，供气管的另一侧贯穿通过供气箱的顶部并且端部固定连接有传输管，传输管一侧端部固定连接有第一分流管、另一侧端部固定连接有第二分流管，第一分流管和第二分流管弧形面上均均匀设有若干喷气嘴；蚀刻槽的两侧内壁外凸设有滚动组件，滚动组件转动连接有动力机构。滚动组件转动连接有动力机构。滚动组件转动连接有动力机构。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置
[0001]本技术涉及机械设备
，具体为一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置。
技术介绍
[0002]蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。但是一般在进行蚀刻加工时，半导体板在反应液中反应后，如果不及时清理反应液，会发生过渡蚀刻的现象，严重的会提高次品率，反应液只要与半导体接触就会发生反应，所以普通的风干效率较慢，使用高压气体风干速率快，清理残余的反应液更加彻底，但是现有的蚀刻槽没有相应的高压气体装置，为此我们提出一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置用于解决上述问题。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽的顶部固定安装有供气装置，所述供气装置包括供气箱、气泵、供气管、传输管、第一分流管、第二分流管、喷气嘴，所述供气箱固定安装在蚀刻槽的顶部，所述供气箱的顶部固定连接有供气管，所述供气管的一侧端部固定连接有气泵，所述气泵固定设在蚀刻槽的一侧外壁，所述供气管的另一侧贯穿通过供气箱的顶部并且端部固定连接有传输管，所述传输管一侧端部固定连接有第一分流管、另一侧端部固定连接有第二分流管，所述第一分流管和第二分流管弧形面上均均匀设有若干喷气嘴；
[0005]所述蚀刻槽的两侧内壁外凸设有滚动组件，所述滚动组件转动连接有动力机构。
[0006]优选的，所述动力机构包括转轴、电机、链轮、链条、轴承，所述电机固定安装在蚀刻槽的一侧外壁，所述电机靠近蚀刻槽外壁的一端转动安装有转轴，所述转轴沿长度方向贯穿通过蚀刻槽的两侧壁并且与蚀刻槽侧壁连接处同轴转动安装有两个轴承，所述两个轴承之间同轴固定安装有链轮，所述链轮转动连接有链条，所述链条形成环形并且内部转动连接有滚动组件。
[0007]优选的，所述滚动组件包括密封轴承、滚轮、从动轴、滚动槽，所述滚动槽外凸设在蚀刻槽和供气箱的两侧内壁，所述滚动槽内转动安装有滚轮，所述滚轮一侧端部同轴固定安装有从动轴并且延长度方向延伸入蚀刻槽和供气箱的侧壁内，所述从动轴与蚀刻槽和供气箱的侧壁连接处同轴转动安装有密封轴承，所述从动轴通过从动链轮转动连接链条。
[0008]优选的，所述滚动组件共设有的滚轮共设有六个并且轴心相连形成的直线与水平
面成30度夹角。
[0009]优选的，所述第一分流管上的喷气嘴的喷气方向朝下并且与水平面成50 度夹角，所述第二分流管上的喷气嘴喷气方向朝上并且与水平面成40度夹角。
[0010]优选的，所述第一分流管位于供气箱的顶部并且靠近动力机构的一侧，所述第二分流管位于蚀刻槽远离动力机构的顶部内壁处。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过动力机构的联动使半导体芯片从蚀刻槽内被带入到供气装置内，供气箱内的喷嘴喷出高压气体使半导体芯片的两面均被高压气体吹干，使风干的效率更高，残余的反应液和腐蚀附着的材料清理的更加彻底。
附图说明
[0012]图1为本技术结构示意图；
[0013]图2为本技术侧视图；
[0014]图3为本技术供气箱剖视图；
[0015]图4为本技术供气箱侧面剖视图；
[0016]图5为本技术A-A处倾斜角度剖视结构示意图。
[0017]图中：蚀刻槽1、供气装置2、供气箱21、气泵22、供气管23、传输管 24、第一分流管25、第二分流管26、喷气嘴27、动力机构3、转轴31、电机 32、链轮33、链条34、轴承35、滚动组件4、密封轴承41、滚轮42、从动轴43、滚动槽44。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]请参阅图1-5，本技术提供一种技术方案：一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，包括蚀刻槽1，蚀刻槽1的顶部固定安装有供气装置2，供气装置2包括供气箱21、气泵22、供气管23、传输管24、第一分流管25、第二分流管26、喷气嘴27，供气箱21固定安装在蚀刻槽1的顶部，供气箱21的顶部固定连接有供气管23，供气管23的一侧端部固定连接有气泵22，气泵22固定设在蚀刻槽1的一侧外壁，供气管23的另一侧贯穿通过供气箱21的顶部并且端部固定连接有传输管24，传输管24一侧端部固定连接有第一分流管25、另一侧端部固定连接有第二分流管26，第一分流管25 和第二分流管26弧形面上均均匀设有若干喷气嘴27；蚀刻槽1的两侧内壁外凸设有滚动组件4，滚动组件4转动连接有动力机构3。
[0020]如图2和图5所示，动力机构3包括转轴31、电机32、链轮33、链条 34、轴承35，电机32固定安装在蚀刻槽1的一侧外壁，电机32靠近蚀刻槽 1外壁的一端转动安装有转轴31，转轴31沿长度方向贯穿通过蚀刻槽1的两侧壁并且与蚀刻槽1侧壁连接处同轴转动安装有两个轴承35，两个轴承35之间同轴固定安装有链轮33，链轮33转动连接有链条34，链条34形成环形并且内部转动连接有滚动组件4。
[0021]如图1和图5所示，滚动组件4包括密封轴承41、滚轮42、从动轴43、滚动槽44，滚动槽44外凸设在蚀刻槽1和供气箱21的两侧内壁，滚动槽44 内转动安装有滚轮42，滚轮42一
侧端部同轴固定安装有从动轴43并且延长度方向延伸入蚀刻槽1和供气箱21的侧壁内，从动轴43与蚀刻槽1和供气箱21的侧壁连接处同轴转动安装有密封轴承41，从动轴43通过从动链轮转动连接链条34。滚动组件4共设有的滚轮42共设有六个并且轴心相连形成的直线与水平面成30度夹角。
[0022]如图3和图4所示，第一分流管25上的喷气嘴27的喷气方向朝下并且与水平面成50度夹角，第二分流管26上的喷气嘴27喷气方向朝上并且与水平面成40度夹角。
[0023]如图1和图4所示，第一分流管25位于供气箱21的顶部并且靠近动力机构3的一侧，第二分流管26位于蚀刻槽1远离动力机构3的顶部内壁处。
[0024]工作原理：本技术在使用时操作人员把需要蚀刻的半导体芯片放入到蚀刻槽1内，半导体芯片在重力作用下与滚动组件4的滚轮42接触，当蚀刻完毕后，启动电机32带动本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，包括蚀刻槽(1)，其特征在于：所述蚀刻槽(1)的顶部固定安装有供气装置(2)，所述供气装置(2)包括供气箱(21)、气泵(22)、供气管(23)、传输管(24)、第一分流管(25)、第二分流管(26)、喷气嘴(27)，所述供气箱(21)固定安装在蚀刻槽(1)的顶部，所述供气箱(21)的顶部固定连接有供气管(23)，所述供气管(23)的一侧端部固定连接有气泵(22)，所述气泵(22)固定设在蚀刻槽(1)的一侧外壁，所述供气管(23)的另一侧贯穿通过供气箱(21)的顶部并且端部固定连接有传输管(24)，所述传输管(24)一侧端部固定连接有第一分流管(25)、另一侧端部固定连接有第二分流管(26)，所述第一分流管(25)和第二分流管(26)弧形面上均均匀设有若干喷气嘴(27)；所述蚀刻槽(1)的两侧内壁外凸设有滚动组件(4)，所述滚动组件(4)转动连接有动力机构(3)。2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，其特征在于：所述动力机构(3)包括转轴(31)、电机(32)、链轮(33)、链条(34)、轴承(35)，所述电机(32)固定安装在蚀刻槽(1)的一侧外壁，所述电机(32)靠近蚀刻槽(1)外壁的一端转动安装有转轴(31)，所述转轴(31)沿长度方向贯穿通过蚀刻槽(1)的两侧壁并且与蚀刻槽(1)侧壁连接处同轴转动安装有两个轴承(35)，所述两个轴承(35)之间同轴固定安装有链轮(33)，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹宏伟，
申请(专利权)人：邹宏伟，
类型：新型
国别省市：
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