发光元件制造技术

本实用新型专利技术提供一种发光元件，包含一基板；一发光叠层，包含一第一半导体叠层，一活性层位于第一半导体叠层上，及一第二半导体叠层位于活性层上；一第一电极，位于第一半导体叠层上；一第二电极，位于第二半导体叠层上；以及一绝缘层，位于发光叠层上，其中第一半导体叠层包含一第一台面及一第二台面，第一电极位于第一台面上，且第一台面及第二台面之间具有一第一阶差。第一阶差。第一阶差。

【技术实现步骤摘要】
发光元件


[0001]本技术有关一种发光元件，特别是有关一种具有多个台面的发光元件。

技术介绍

[0002]发光二极管(LED)为一广泛使用的固态发光元件。发光二极管(LED)包含一p型半导体层，一n型半导体层，以及一活性层位于p型半导体层及n型半导体层之间以发出一光线。LED的原理为提供一电流予LED以将电子及电洞注入于活性层中，使电能转为光能。电子及电洞于活性层中结合以发出光线。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种发光元件，包含一基板；一发光叠层，包含一第一半导体叠层，一活性层位于第一半导体叠层上，及一第二半导体叠层位于活性层上；一第一电极，位于第一半导体叠层上；一第二电极，位于第二半导体叠层上；以及一绝缘层，位于发光叠层上，其中第一半导体叠层包含一第一台面及一第二台面，第一电极位于第一台面上，且第一台面及第二台面之间具有一第一阶差。
附图说明
[0004]图1是本技术所公开的一发光元件1的上视图。
[0005]图2是图1的沿着X-X
’
线的发光元件1剖面图。
[0006]图3是本技术所公开的发光元件1的部分电子显微镜(SEM)图。
[0007]图4是本技术所公开的一发光元件2的剖面图。
[0008]图5是本技术一实施例的发光装置3的示意图。
[0009]图6是本技术一实施例的发光装置4的示意图。
[0010]附图标记列表
[0011]1，2 发光元件
[0012]10 基板
[0013]10d 侧壁
[0014]10S 面
[0015]20 发光叠层
[0016]21 第一半导体叠层
[0017]210 第一掺杂半导体层
[0018]211 第一未掺杂半导体层
[0019]21S 第一斜面
[0020]211S 侧面
[0021]22 活性层
[0022]23 第二半导体叠层
[0023]23S 第二斜面
[0024]3 发光装置
[0025]31 第一电极
[0026]311 第一电极垫
[0027]312 第一延伸电极
[0028]32 第二电极
[0029]321 第二电极垫
[0030]322 第二延伸电极
[0031]4 发光装置
[0032]40 绝缘层
[0033]50 下反射层
[0034]51 封装基板
[0035]511 第一垫片
[0036]512 第二垫片
[0037]52 透明导电层
[0038]53 绝缘部
[0039]54 反射结构
[0040]60 第三电极
[0041]601 延伸部
[0042]602 灯罩
[0043]604 反射镜
[0044]606 承载部
[0045]608 发光单元
[0046]610 发光模块
[0047]612 灯座
[0048]614 散热片
[0049]616 连接部
[0050]618 电连接元件
[0051]70 第四电极
[0052]80 电流局限区
[0053]S1 第一台面
[0054]S2 第二台面
[0055]S3 第三台面
[0056]T 厚度
[0057]T1 第一阶差
[0058]T2 第二阶差
具体实施方式
[0059]为了使本技术的叙述更加详尽与完备，请参照下列实施例的描述并配合相关
图示。惟，以下所示的实施例用于例示本技术的发光元件，并非将本技术限定于以下的实施例。又，本说明书记载于实施例中的构成零件的尺寸、材质、形状、相对配置等在没有限定的记载下，本技术的范围并非限定于此，而仅是单纯的说明而已。且各图标所示构件的大小或位置关系等，会由于为了明确说明有加以夸大的情形。更且，于以下的描述中，为了适切省略详细说明，对于同一或同性质的构件用同一名称、符号显示。
[0060]图1是本技术所公开的一发光元件1的上视图。图2是图1的沿着 X-X
’
线的发光元件1的剖面图。图3是本技术所公开的发光元件1的部分电子显微镜(SEM)图。一发光元件1，包含一基板10；一发光叠层20，包含一第一半导体叠层21，一活性层22位于第一半导体叠层21上，及一第二半导体叠层23位于活性层22上；一第一电极31，位于第一半导体叠层21 上；一第二电极32，位于第二半导体叠层23上；以及一绝缘层40，位于发光叠层20上，其中第一半导体叠层21包含一第一台面S1及一第二台面S2，第一电极31位于第一台面S1上，且第一台面S1及第二台面S2之间具有一第一阶差T1。
[0061]于本技术的一实施例中，发光元件1的第二半导体叠层23包含一第三台面S3，其中第一台面S1及第三台面S3之间具有一第二阶差T2。
[0062]于本技术的一实施例中，第一阶差T1介于2μm～3μm之间。第二阶差T2介于0.2μm～2μm之间，较佳介于0.8μm～1.8μm之间。
[0063]于本技术的一实施例中，发光元件1还包含一第一斜面21S连接第一台面S1及第二台面S2，其中相对于第一台面S1或第二台面S2，第一斜面21S包含一第一角度位于15度～75度之间，较佳位于25度～65度之间，更佳位于35度～55度之间。
[0064]于本技术的一实施例中，发光元件1还包含一第二斜面23S连接第一台面S1及第三台面S3，其中相对于第一台面S1或第三台面S3，第二斜面23S包含一第二角度位于15度～75度之间，较佳位于25度～65度之间，更佳位于35度～55度之间。
[0065]基板10可以为一成长基板，包括用以磊晶成长磷化铝镓铟(AlGaInP)的砷化镓(GaAs)晶圆，或用以成长氮化铟镓(InGaN)的蓝宝石(Al2O3)晶圆、氮化镓(GaN)晶圆或碳化硅(SiC)晶圆。于另一实施例中，基板10可以为一支撑基板，原先磊晶成长于成长基板上的发光叠层20可以移转至前述的支撑基板上，且原先用以磊晶成长的成长基板再依据应用的需要而选择性地移除。
[0066]基板10与第一半导体叠层21相接的一面10S可以具有增加粗糙化的表面，粗糙化的表面可以为具有不规则形态的表面或具有规则形态的表面，例如具有多个半球形状的面，具有多个圆锥形状的面，或者具有多个多边锥形状的面。
[0067]支撑基板包括导电材料，例如硅(Si)、铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)、金(Au)、银(Ag)，碳化硅(SiC)或上述材料的合金，或导热材料，例如金刚石 (diamond)、石墨(graphite)、或氮化铝。
[0068]于本技术的一实施例中，藉由有机金属化学气相沉积法(MOCV本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包含：一基板；一发光叠层，包含一第一半导体叠层，一活性层位于该第一半导体叠层上，及一第二半导体叠层位于该活性层上；一第一电极，位于该第一半导体叠层上；一第二电极，位于该第二半导体叠层上；以及一绝缘层，位于该发光叠层上，其特征在于，该第一半导体叠层包含一第一台面及一第二台面，该第一电极位于该第一台面上，且该第一台面及该第二台面之间具有一第一阶差。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一半导体叠层包含一第一掺杂半导体层具有该第一台面及一第一未掺杂半导体层具有该第二台面。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，该基板包含一侧壁与该第一未掺杂半导体层的一侧面相连接。4.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，该第一未掺杂半导体层位于该基板与该第一掺杂半导体层之间。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱柏顺，蒋宗勋，纪喨胜，谢静，赵欣，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：