发光二极管结构制造技术

一种发光二极管结构，其包括基板、发光堆叠层、第一电极、导电的第一反射器与第二电极。所述发光堆叠层包括依次层叠设置于所述基板上的多层，所述发光堆叠层靠近与远离所述基板的外表层分别为底层与顶层。所述第一电极位于所述底层远离所述基板的表面上且电性连接所述底层；导电的第一反射器位于所述顶层远离所述基板的表面且电性连接所述顶层，所述第二电极位于所述第一反射器远离所述基板的表面上且电性连接所述第一反射器。本发明专利技术提供一种倒装的发光二极管结构。装的发光二极管结构。装的发光二极管结构。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管结构


[0001]本专利技术涉及一种发光二极管结构。

技术介绍

[0002]一现有的发光二极管结构包括基板、位于所述基板的表面的第一半导体层、位于所述第一半导体远离所述基板的表面的有源层、位于所述有源层远离所述第一半导体层的表面的第二半导体层、位于所述第一半导体远离所述基板的表面的第一电极、位于所述第二半导体层远离所述基板一侧的第一反射器、以及位于第二半导体层远离所述基板一侧且部分覆盖第一反射器的第二电极。所述第一电极与所述第一半导体层欧姆接触，所述第二电极与所述第二半导体层欧姆接触，所述第一反射器为分布式布拉格反射器。当因外力作用，使得所述第一反射器在所述第二电极附近出现裂缝且破坏所述第二电极与所述第二半导体层欧姆接触，则容易导致发光二极管不能正常发光，使得产品发生异常。

技术实现思路

[0003]鉴于此，有必要提供一种发光二极管结构，所述发光二极管结构的耐用性高。
[0004]本专利技术一方面提供一种发光二极管结构，包括：
[0005]基板；
[0006]发光堆叠层，包括依次层叠设置于所述基板上的多层，所述发光堆叠层靠近与远离所述基板的外表层分别为底层与顶层；
[0007]第一电极，位于所述底层远离所述基板的表面上且电性连接所述底层；
[0008]导电的第一反射器，位于所述顶层远离所述基板的表面且电性连接所述顶层；以及，
[0009]第二电极，位于所述第一反射器远离所述基板的表面上且电性连接所述第一反射器。
[0010]在本申请实施例，所述第一反射器包括多个第一介质层与多个第二介质层，所述第一介质层与所述第二介质层交替层叠设置且均为导电的，所述第一反射器中的一个第一介质层与所述发光堆叠层接触连接，所述第一介质层的折射率大于所述第二介质层的折射率。
[0011]在本申请实施例，所述第一介质层的厚度为所述第二介质层的厚度均为其中λ为所述发光二极管结构发射的光的波长，n1为所述第一介质层的折射率；n2为所述第二介质层的折射率。
[0012]在本申请实施例，所述第一介质层的材质为掺有铌的氧化钛，所述第二介质层的材质为氧化铟锡。
[0013]在本申请实施例，所述发光二极管结构还包括位于所述基板远离所述发光堆叠层的表面上的第二反射器。
[0014]在本申请实施例，所述第二反射器包括依次交替层叠设置的多个第三介质层与多个第四介质层，所述第三介质层与所述第四介质层交替层叠设置，所述第二反射器的一个第三介质层与所述基板接触连接；所述第三介质层的折射率大于所述第四介质层的折射率。
[0015]在本申请实施例，所述第三介质层的厚度为所述第四介质层的厚度均为其中λ为所述发光二极管结构发射的光的波长，n3为所述第三介质层的折射率，n4为所述第四介质层的折射率；所述第三介质层与所述四层为电介质材料层。
[0016]在本申请实施例，所述发光堆叠层还包括依次层叠设置于所述底层与所述顶层之间的有源层、半导体层与透明导电层，所述底层为半导体材质层，所述顶层为电流扩散层；所述发光堆叠层还包括位于所述半导体层上且夹设于所述透明导电层之间的电流阻挡层，所述电流阻挡层与所述第二电极正对设置。
[0017]在本申请实施例，所述发光二极管结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板具有发光堆叠层的表面，且包裹设置于所述基板上的所述发光堆叠层；所述第一电极与所述第二电极相对所述绝缘层露出。
[0018]本专利技术另一方面还提供一种倒装的发光二极管结构，包括：
[0019]衬板；以及，
[0020]所述发光二极管结构，且所述第一电极与所述第二电极朝向并连接所述衬板的同一表面。
[0021]上述发光二极管结构，即使因外力作用所述发光二极管结构时，所述第一反射器被所述第二电极覆盖的部分与所述第一反射器的其他部分之间出现裂缝，且破坏了所述第二电极与所述发光堆叠层的电连接关系。由于所述第二电极位于所述第一反射器上且所述第一反射器具有导电性质，依然不会影响所述第二电极与所述发光堆叠层的电流导通作用，即不影响所述发光二极管结构的发光，有利于提高所述发光二极管结构的耐用性。
附图说明
[0022]图1为本专利技术实施例的发光二极管结构的示意图。
[0023]图2为本专利技术实施例的发光二极管结构的第一反射器出现裂缝的示意图。
[0024]图3为本专利技术实施例的发光二极管结构的第一反射器的多个第一介质层与多个第二介质层的结构示意图。
[0025]图4为本专利技术实施例的倒装的发光的二极管结构的示意图。
[0026]主要元件符号说明
[0027]发光二极管结构100、200基板10第一表面101第二表面102侧面103微结构104发光堆叠层20
底层21有源层22半导体层23透明导电层24电流阻挡层25顶层26第一电极30第二电极40第一反射器50第一介质层51第二介质层52第二反射器60第三介质层61第四介质层62绝缘层70衬板80
[0028]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。
具体实施方式
[0029]附图中示出了本专利技术的实施例，本专利技术可以通过多种不同形式实现，而并不应解释为仅局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本专利技术更为全面与完整的公开，并使本领域的技术人员更充分地了解本专利技术的范围。为了清晰可见，在图中，层与区域的尺寸被放大了。
[0030]除非另外定义，这里所使用的所有术语(包括技术与科学术语)具有与本专利技术所述领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应当理解，比如在通用的辞典中所定义的那些的术语，应解释为具有与它们在相关领域的环境中的含义相一致的含义，而不应以过度理想化或过度正式的含义来解释，除非在本文中明确地定义。
[0031]参照图1，本专利技术实施例提供发光二极管结构100，其包括基板10、发光堆叠层20、第一电极30、第二电极40与导电的第一反射器50。所述发光堆叠层20位于基板10上，所述发光堆叠层20包括依次层叠设置于基板10上的多层，其中所述发光堆叠层20靠近与远离所述基板10的外表层分别为底层21与顶层26，即所述底层21与所述顶层26之间还层叠设置有其他的层。导电的所述第一反射器50位于所述顶层26远离所述基板10的表面且电性连接所述顶层26。所述第二电极40位于所述第一反射器50远离所述基板10的表面且电性连接所述第一反射器50。在本实施例中，所述第一反射器50为分布式布拉格反射器，所述第一反射器50用于将发光堆叠层20产生并传送至所述第一反射器50的光进行反射。
[0032]通常所述第一电极30与所述第二电极40连接所述发光堆叠层20的相对的两端且被施加不同的电压，从而驱动所述发光二极管结构100发光。现有技术中，所述第一反射器50为非导电的材质，如果所述第一反射器50被所述第二电极40覆盖的部分与所述第一反射器50的其他部分出现裂缝，则会导致所述第二电极40与所述发光堆叠层20的电连接关系被...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：基板；发光堆叠层，包括依次层叠设置于所述基板上的多层，所述发光堆叠层靠近与远离所述基板的外表层分别为底层与顶层；第一电极，位于所述底层远离所述基板的表面上且电性连接所述底层；导电的第一反射器，位于所述顶层远离所述基板的表面且电性连接所述顶层；以及第二电极，位于所述第一反射器远离所述基板的表面上且电性连接所述第一反射器。2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一反射器包括多个第一介质层与多个第二介质层，所述第一反射器的第一介质层与第二介质层交替层叠设置且均为导电的，所述第一反射器中的一个第一介质层与所述发光堆叠层接触连接，所述第一介质层的折射率大于所述第二介质层的折射率。3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一介质层的厚度为所述第二介质层的厚度均为其中λ为所述发光二极管结构发射的光的波长，n1为所述第一介质层的折射率；n2为所述第二介质层的折射率。4.如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一介质层的材质为掺有铌的氧化钛，所述第二介质层的材质为氧化铟锡。5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构还包括位于所述基板远离所述发光堆叠层的表面上的第二反射器。6.如权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二反射器包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘广惟，
申请(专利权)人：业成光电深圳有限公司英特盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：