本发明专利技术涉及用于开闭工艺腔进出口的挡板及包括其的基板处理装置，本发明专利技术的基板处理装置包括：工艺腔，具有处理空间，在一侧形成有用于使基板进出的进出口；基板支撑单元，设置于上述处理空间内，用于支撑基板；挡板，设置于上述进出口，用于开闭上述进出口；以及多个挡板加热器，设置于上述挡板内，向上述工艺腔的内部传递热量。部传递热量。部传递热量。
【技术实现步骤摘要】
用于开闭工艺腔进出口的挡板及包括其的基板处理装置
[0001]本专利技术涉及用于开闭工艺腔进出口的挡板及包括其的基板处理装置，更详细地，用于向工艺腔的内部提供均匀的温度分布。
技术介绍
[0002]在制备半导体器件的工艺中，执行照相、蚀刻、薄膜沉积、离子注入以及清洗等多种工序。在这些工序中的蚀刻、薄膜沉积、离子注入以及清洗工序中，使用利用工艺气体的基板处理装置。
[0003]通常，用于制备半导体器件的基板处理装置包括用于进行基板的工艺处理的多个工艺腔和移送单元。移送单元向工艺腔的内部移送基板。并且，在工艺腔设置有用于使基板进出的挡板。
[0004]为了使基板在工艺腔内进出，必须设置挡板，但是，当开放挡板时，可导致如下的问题，即，使外部气流流入，或者，由于挡板及挡板周围部的温度差异，使工艺腔内部的温度分布不均匀。
[0005]若工艺腔内的温度分布不均匀，则在工艺腔中，可使整体基板的孔径、线宽等关键尺寸(CD)不均匀。在最近导入的超微细工艺中的关键尺寸不均匀可导致工艺不良。
技术实现思路
[0006]本专利技术用于解决如上所述的现有技术的问题，本专利技术的目的在于，提供可向工艺腔内提供均匀的温度分布的用于开闭工艺腔进出口的挡板及包括其的基板处理装置。
[0007]为了实现如上所述的目的，本专利技术的基板处理装置包括：工艺腔，具有处理空间，在一侧形成有用于使基板进出的进出口；基板支撑单元，设置于上述处理空间内，用于支撑基板；挡板，设置于上述进出口，用于开闭上述进出口；以及多个挡板加热器，设置于上述挡板内，向上述工艺腔的内部传递热量。
[0008]并且，在实施例中，上述挡板加热器可以被单独控制。
[0009]并且，在实施例中，上述挡板可通过朝向上方驱动来开放上述进出口，可通过朝向下方驱动来密封上述进出口。
[0010]并且，在实施例中，在上述多个挡板加热器中，越配置于上述挡板的下侧，则单独控制的挡板加热器的温度可越高。
[0011]并且，在实施例中，在上述挡板的外侧壁可设置有用于阻隔上述挡板的热传递的隔热部件。
[0012]并且，在实施例中，在上述进出口可设置有空气幕形成部及空气幕回收部，上述空气幕形成部形成用于防止外部气流流入的空气幕，上述空气幕回收部用于回收上述空气幕。
[0013]并且，在实施例中，上述空气幕形成部设置于上述进出口的左侧及右侧中的一侧，上述空气幕回收部设置于上述进出口的另一侧。
[0014]并且，在实施例中，上述空气幕沿着水平方向形成。
[0015]并且，在实施例中，上述空气幕可在上述进出口开放的情况下形成。
[0016]并且，在实施例中，本专利技术可包括侧壁腔加热器，上述侧壁腔加热器设置于上述工艺腔的内侧侧壁，向上述工艺腔的内部传递热量。
[0017]并且，在实施例中，本专利技术还可包括上壁腔加热器，上述上壁腔加热器设置于上述工艺腔的内侧上壁，向上述工艺腔的内部传递热量。
[0018]并且，在实施例中，本专利技术还可包括：侧壁腔加热器，设置于上述工艺腔的内侧侧壁，向上述工艺腔的内部传递热量；以及上壁腔加热器，设置于上述工艺腔的内侧上壁，向上述工艺腔的内部传递热量。
[0019]并且，在实施例中，上述上壁腔加热器及上述侧壁腔加热器设置有多个，被单独控制。
[0020]并且，在实施例中，上述多个挡板加热器中的与上述上壁腔加热器隔得远的挡板加热器的温度可被设置成高于上述多个挡板加热器中的与上述上壁腔加热器接近的挡板加热器的温度。
[0021]并且，在实施例中，上述多个挡板加热器从上部朝向下部的方向依次设置。
[0022]本专利技术提供用于开闭工艺腔进出口的挡板，上述挡板包括向工艺腔的内部传递热量的多个挡板加热器。
[0023]并且，在实施例中，上述多个挡板加热器被单独控制。
[0024]并且，在实施例中，上述多个挡板加热器从上部朝向下部的方向依次设置于上述挡板内。
[0025]并且，在实施例中，上述挡板通过朝向上方驱动来开放上述进出口，通过朝向下方驱动来密封上述进出口，在上述多个挡板加热器中，越配置于上述挡板的下侧，则单独控制的挡板加热器的温度越高。
[0026]本专利技术的基板处理装置可通过包括上壁腔加热器、侧壁腔加热器以及挡板加热器来向工艺腔内提供均匀的温度分布。
[0027]根据本专利技术，沿着从进出口的左侧到侧方向或从右侧到左侧方向的水平方向形成空气幕，当基板进出时，可使基板引起的空气幕的阻隔最小化。因此，当基板进出时，可有效防止气流向工艺腔内的处理空间流入。
附图说明
[0028]图1为示出本专利技术实施例的基板处理装置的剖视图。
[0029]图2为用于说明图1所示的向工艺腔的内部提供均匀的温度分布的基板处理装置的结构的图。
[0030]图3a为示出挡板处于关闭状态的基板处理装置的图。
[0031]图3b为示出挡板处于开启状态的基板处理装置的图。
具体实施方式
[0032]需要解释的是，本专利技术的实施例可变形为多种形态，本专利技术的范围并不局限于以下所述的实施例。本实施例为了对本
的普通技术人员更加完整地说明本专利技术而提
供。因此，为了说明的明确性，附图中的结构要素的形状等有所夸张。
[0033]在本实施例中，以在腔室内利用等离子来对基板进行蚀刻处理的基板处理装置为例进行说明。但是，本专利技术并不限定于此，可适用于所有设置有可提供热环境的工艺腔的基板处理装置。
[0034]图1为示出本专利技术实施例的基板处理装置的剖视图。
[0035]参照图1，基板处理装置10包括工艺腔100、基板支撑单元200、供气单元300、等离子源400、排气单元500以及隔板单元600。
[0036]工艺腔100在内部提供处理基板W的处理空间101。腔室100以圆形筒形状提供。被腔室100上部的上壁和侧面的侧壁密封。在腔室100的侧壁102形成有进出口106。将进出口106用作使基板W进出的入口。在腔室100的外侧面提供门108。门108用于开闭进出口106。壳体100以金属材质提供。例如，腔室100能够以铝材质提供。在腔室100的底面形成有排气孔150。
[0037]基板支撑单元200在处理空间101支撑基板W。基板支撑单元200能够以利用静电力来支撑基板W的静电吸盘200形态提供。选择性地，基板支撑单元200能够以如机械夹持的多种方式支撑基板W。
[0038]静电吸盘200包括支撑板210、聚焦环250以及底座230。支撑板210以包含电介质材质的介电板210提供。在介电板210的上部面直接放置基板W。介电板210以圆板形状提供。介电板210可具有小于基板W的半径。在介电板210的内部设置内部电极212。内部电极212与电源(未图示)相连接，可从电源(未图示)接收电力。内部电极212从所施加的电力(未图示)提供静电力，使得基板W吸附于介电板210。在介电板210的内部设置用于加热基板W的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：工艺腔，具有处理空间，在一侧形成有用于使基板进出的进出口；基板支撑单元，设置于上述处理空间内，用于支撑基板；挡板，设置于上述进出口，用于开闭上述进出口；以及多个挡板加热器，设置于上述挡板内，向上述工艺腔的内部传递热量。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述挡板加热器被单独控制。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述挡板通过朝向上方驱动来开放上述进出口，通过朝向下方驱动来密封上述进出口，在上述多个挡板加热器中，越配置于上述挡板的下侧，则单独控制的挡板加热器的温度越高。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述挡板的外侧壁设置有用于阻隔上述挡板的热传递的隔热部件。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述进出口设置有空气幕形成部及空气幕回收部，上述空气幕形成部形成用于防止外部气流流入的空气幕，上述空气幕回收部用于回收上述空气幕。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，上述空气幕形成部设置于上述进出口的左侧及右侧中的一侧，上述空气幕回收部设置于上述进出口的另一侧。7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，上述空气幕沿着水平方向形成。8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，上述空气幕在上述进出口开放的情况下形成。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括侧壁腔加热器，上述侧壁腔加热器设置于上述工艺腔的内侧侧壁，向上述工艺腔的内部传递热量。10.根据权利要求1所述的基板处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：林主善，姜延锡，金成烨，金仁周，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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