晶片修整和清洗设备制造技术

本公开实施例涉及一种晶片修整和清洗设备，其包含配置成修整晶片的受损边缘部分的刀片，由此定义晶片的新侧壁。晶片修整和清洗设备进一步包含水喷嘴和空气喷嘴。水喷嘴配置成将去离子水施加到晶片的新侧壁以去除由刀片产生的污染物颗粒。空气喷嘴配置成将加压气体施加到晶片的第一顶部表面区域以去除由刀片产生的污染物颗粒。第一顶部表面区域上覆于晶片的新侧壁。片的新侧壁。片的新侧壁。

【技术实现步骤摘要】
晶片修整和清洗设备


[0001]本专利技术实施例涉及一种晶片修整和清洗设备。

技术介绍

[0002]半导体器件制造是用于生产存在于日常电子器件中的集成电路的工艺。制造工艺是光刻和化学处理步骤的多步骤序列，在此期间在由半导体材料构成的晶片上逐渐产生电子电路。在制造期间，晶片的边缘可能变得受损或以其它方式不适合与电子电路一起使用。因此，可在制造期间修整晶片的边缘。在晶片边缘修整期间，可能存在污染物颗粒。使用清洗工艺来去除来自晶片边缘修整的污染物颗粒以产生可靠的半导体器件。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种晶片修整和清洗设备，其包括：刀片，配置成修整晶片的受损边缘部分且定义所述晶片的新侧壁；水喷嘴，配置成将去离子水施加到所述晶片的所述新侧壁，以去除由所述刀片产生的污染物颗粒；以及空气喷嘴，配置成将加压气体施加到所述晶片的第一顶部表面区域以去除由所述刀片产生的所述污染物颗粒，其中所述第一顶部表面区域上覆于所述晶片的所述新侧壁。
[0004]本专利技术实施例提供一种晶片修整和清洗设备，其包括：刀片，配置成去除晶片的受损边缘部分但不去除所述晶片的未受损边缘部分，其中通过所述刀片去除所述受损边缘部分定义所述晶片的新侧壁；晶片卡盘，配置成支撑所述晶片；水喷嘴，具有第一喷雾区域，所述第一喷雾区域配置成在所述刀片处与所述晶片的所述新侧壁交叠且清洗所述晶片的所述新侧壁；溶液喷嘴，具有第二喷雾区域，所述第二喷雾区域配置成在所述刀片处与所述晶片的所述未受损边缘部分交叠且清洗所述晶片的所述未受损边缘部分，其中所述第二喷雾区域毗邻所述第一喷雾区域；以及空气喷嘴，远离所述晶片卡盘的中心向外导向，且具有配置成在所述刀片处与所述晶片的所述未受损边缘部分交叠的第三喷雾区域，其中所述第三喷雾区域大于所述第二喷雾区域且包含所述第二喷雾区域。
[0005]本专利技术实施例提供一种用于修整和清洗晶片的边缘的方法，所述方法包括：用刀片修整所述晶片的受损边缘部分以定义所述晶片的新侧壁，其中所述修整在所述晶片上产生污染物颗粒；用水喷嘴将去离子水施加到所述晶片的所述新侧壁以去除所述污染物颗粒；以及在所述晶片的第一顶部表面区域处用空气喷嘴将加压气体施加到所述晶片，其中所述加压气体从所述晶片的中心向外导向以去除残留污染物颗粒，且其中在与所述修整相同的腔室中进行所述去离子水的施加和所述加压气体的施加。
附图说明
[0006]结合附图阅读以下详细描述会最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，不同特征未按比例绘制。实际上，为论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1A、图1B以及图1C分别示出包括溶液喷嘴和空气喷嘴的晶片修整和清洗设备的透视图、横截面视图以及俯视图。
[0008]图2A、图2B以及图2C分别示出包括空气喷嘴的晶片修整和清洗设备的透视图、横截面视图以及俯视图。
[0009]图3示出包括第一抗静电系统的空气喷嘴的横截面视图。
[0010]图4示出包括第二抗静电系统的溶液喷嘴的横截面视图。
[0011]图5示出配置成清洗晶片的溶液喷嘴和空气喷嘴的横截面视图。
[0012]图6A、图6B、图7A、图7B、图8A以及图8B示出使用刀片设备、溶液喷嘴以及空气喷嘴来修整和清洗晶片的方法的一些实施例的横截面视图和俯视图。
[0013]图9示出在图6A、图6B、图7A、图7B、图8A以及图8B中所示出的方法的一些实施例的流程图。
具体实施方式
[0014]以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例来简化本公开。当然，这些仅是实例且并不意欲是限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成，使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复附图标号和/或字母。此重复是出于简单和清晰的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0015]此外，为了易于描述，在本文中可使用例如“在
……
下方(beneath)”、“在
……
之下(below)”、“下部(lower)”、“在
……
之上(above)”、“上部(upper)”等的空间相关术语，以描述如图中所示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖器件在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。
[0016]在半导体器件制造期间，集成电路可形成于由半导体材料制成的晶片上。在一些制造方法中，晶片的边缘在制造期间变得受损或不可靠，且因此被去除。举例来说，在一些实施例中，晶片可能在其边缘处翘曲。在其它实施例中，多个晶片和/或层堆叠在彼此上且彼此接合，且在堆叠的边缘处，接合可能是弱的。另外，在一些实施例中，机器人可能在边缘处接触晶片以进行运输，从而造成损坏。
[0017]用于去除晶片的受损边缘的方法可例如包含将晶片放置在晶片卡盘上及使用刀片设备持续修整掉受损的晶片边缘。刀片设备可包含旋转刀片(spinning blade)和多个水喷嘴。当刀片修整掉受损的晶片边缘时，污染物颗粒可能留在所修整的晶片边缘上。当刀片正在修整时，多个水喷嘴将去离子水施加到所修整的晶片边缘，以便通过去除污染物颗粒来清洗晶片。然而，污染物颗粒可能极小，且难以去除。举例来说，污染物颗粒可能陷于晶片边缘上的不同裂隙中，且还可能陷于晶片和/或可存在于晶片的顶部表面上的集成电路内。在一些实施例中，由多个水喷嘴施加的去离子水集中到所修整的晶片边缘和与所修整的晶片边缘相邻的晶片的一小部分顶部表面。通常，污染物颗粒仍然残留在晶片的顶部表面上，且污染物颗粒与去离子水的混合物可能朝向晶片的中心流动而非离开晶片的顶部表面。另
外，在一些实施例中，去离子水可能未有效地去除这种小的污染物颗粒。此外，污染物颗粒可包括不同材料，且因此具有使污染物颗粒保留在晶片表面上的不同类型的吸引力。举例来说，在一些实施例中，污染物颗粒可包括半导体材料(例如，硅、锗等)、氧化物(例如，氧化硅、氮氧化硅等)、金属(例如，铜、铝、钨等)或其组合。因此，在一些实施例中，在晶片边缘修整之后，由于存在污染物颗粒，所以半导体器件可能仍然是受损的且不可靠的。
[0018]本公开的各种实施例提供晶片修整和清洗设备和用于修整和清洗晶片的方法以去除受损边缘且仍然产生可靠的电子器件。在一些实施例中，设备包含刀片、水喷嘴、溶液喷嘴以及空气喷嘴。刀片配置成修整掉受损边缘以定义新侧壁，且前述喷嘴配置成当刀片正在修整时通过去除任何污染物颗粒来清洗晶片；因此，修整和清洗原位(in-situ)进行。水喷嘴配置成通过将去离子水施加到新边缘来去除存在于晶片的新侧壁上的污染物颗粒。然而，污染物颗粒可存在于晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片修整和清洗设备，包括：刀片，配置成修整晶片的受损边缘部分且定义所述晶片的新侧壁；水喷嘴，配置成将去离子水施加到所述晶片的所述新侧壁，以去除由所述刀片产生的污染物...

【专利技术属性】
技术研发人员：周东和，陈升照，吴铭栋，匡训冲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：